Π Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ транзисторная систСма заТигания – БСсконтактно-транзисторная систСма заТигания — лабораторная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ транзисторная систСма заТигания – БСсконтактно-транзисторная систСма заТигания — лабораторная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ транзисторная систСма заТигания

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ транзисторной систСмы основана Π½Π° использовании ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ². ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ транзисторной систСмы ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ систСмой Π·Π°ΠΆΠΈΠ³Π°Π½ΠΈΡΒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅:

  • Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ прСрыватСля ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ управлСния транзистора, Π° Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ (Π΄ΠΎ 8 А) ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания (ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ эрозия ΠΈ износ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²).
  • ВозрастаСт Ρ‚ΠΎΠΊ высокого напряТСния ΠΈ энСргия искрового разряда (это позволяСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π·ΠΎΡ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСктродами свСчи заТигания, ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ пуска двигатСля, Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ экономичнСС).

Для Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ разбСрСмся,

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор

Вранзистор — это трСхэлСктродный ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ сопротивлСниС ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… сот ΠΎΠΌΠΎΠ² (транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚) Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ ΠΎΠΌΠ° (транзистор ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚).

ИмСя ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большоС сопротивлСниС Π² Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии, транзистор Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ удовлСтворяСт трСбованиям ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ элСмСнтам. Π’ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмС заТигания транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ (Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°).

Устройство ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ транзисторной систСмы Π—Π˜Π›-130

Устройство ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ транзисторной систСмы заТигания

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° устройства ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмы заТигания двигатСля Π—Π˜Π›-130 (стрСлками ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Ρ†Π΅ΠΏΡŒ высокого напряТСния):

Π° – располоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π½Π° транзисторном ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅; Π± – общая схСма систСмы заТигания; 1 – транзисторный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ВК 102; 2 — рСзисторы; 3 – Π±Π»ΠΎΠΊ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ транзистора; 4 – пСрвичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ°; 5 – ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° заТигания; 6 – вторичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ°; 7 – свСчи заТигания; 8 — ΠΊΡ€Ρ‹ΡˆΠΊΠ°; 9 – Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€ с элСктродом; 10 – Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ заТигания; 11 –подвиТный ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚; 12 – Π½Π΅ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚; 13 – ΠΊΡƒΠ»Π°Ρ‡ΠΎΠΊ прСрыватСля; 14 – Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы Π‘Π­ 117; 15 – Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора; 16 — ΠΠšΠ‘; 17 – Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ заТигания; 18 — стабилитрон; 19 — Π΄ΠΈΠΎΠ΄; 20 – ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ трансформатор; 21 – Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ транзистор; К, Π‘, Π­ – элСктроды транзистора (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π±Π°Π·Π°, эмиттСр).

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ транзисторная систСма Π—Π˜Π›-130 состоит ΠΈΠ· транзисторного ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°1, ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания 5, свСчСй заТигания 7, распрСдСлитСля 10, Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов 14, Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ 15 Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора, ΠΠšΠ‘ 16 ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ заТигания 17.

ΠšΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° заТигания Π‘114 – маслонаполнСнная, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° ΠΏΠΎ трансформаторной схСмС, Ρ‚.Π΅. Π΅Π΅ пСрвичная ΠΈ вторичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π½Π΅ соСдинСны ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой ΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ сущСствуСт Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ магнитная связь. ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½Π°Ρ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π²Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, располоТСнныС Π½Π° ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΡ€Ρ‹ΡˆΠΊΠ΅. Один Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ К, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ обозначСния. Один Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ присоСдинСн ΠΊ корпусу, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ соСдинСн с ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ высокого напряТСния, ΡƒΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ отвСрстии ΠΊΡ€Ρ‹ΡˆΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания. ΠŸΡ€ΠΈ установкС ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания Π΅Π΅ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ с массой Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π·Π°Π·ΠΎΡ€ΠΎΠ².

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы Π‘Π­ 107, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π΄Π²ΡƒΡ… спиралСй, установлСны Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠΆΡƒΡ…Π΅ ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°: Π’Πš-Π‘, Π’Πš ΠΈ К. Π‘ΠΏΠΈΡ€Π°Π»ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹ ΠΈΠ· константановой ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΈ, сопротивлСниС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π΅ Π½Π΅ измСняСтся, ΠΈ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания поддСрТиваСтся постоянноС напряТСниС.

Вранзисторный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ВК 102 состоит ΠΈΠ· транзистора 21, ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ трансформатора 20 ΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° 3 Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ транзистора. Π’ Π±Π»ΠΎΠΊ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ входят рСзисторы 2, Π΄ΠΈΠΎΠ΄ 19, стабилитрон 18 ΠΈ кондСнсатор.

ВсС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Ρ‹ Π² алюминиСвом корпусС, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Ρ€Π΅Π±Ρ€Π° для Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Ρ‹. Π£ транзисторного ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ М, К, Π , ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π±Π΅Π· обозначСния. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ М Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ с массой автомобиля ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΆΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ К с ΠΊΠΎΠ½Ρ†ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания, Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π΅Π· обозначСния – со Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ†ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания, Π  с ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ прСрыватСля.

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания?

Если Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ заТигания 17 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½, Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ прСрыватСля Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹, Ρ‚ΠΎ транзистор 21 Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Π΅Π³ΠΎ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния, Ρ‚.Π΅. Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ эмиттСр – Π±Π°Π·Π°. Π’ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π° массу, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ сопротивлСниС этого ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большоС. ΠŸΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния транзистора (эмиттСр-Π±Π°Π·Π°) ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ транзистор открываСтся. Π‘ΠΈΠ»Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° управлСния Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠ° ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ (0,8 А) ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π΄ΠΎ 0,3 А с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ частоты вращСния ΠΊΡƒΠ»Π°Ρ‡ΠΊΠ° прСрыватСля. Π’ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмС заТигания ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния: Ρ†Π΅ΠΏΡŒ управлСния транзистора ΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

ЦСпь управлСния транзистора: ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΠšΠ‘ 16 – Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ заТигания 17 – Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ Π’Πš-Π‘ ΠΈ К Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов 14 – пСрвичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° 4 ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания 5 – Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ транзисторного ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° 1 – элСктроды ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° эмиттСр – Π±Π°Π·Π° транзистора 21 – пСрвичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ трансформатора 20 – Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π  – ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ 11 ΠΈ 12 прСрыватСля – масса – ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΠšΠ‘. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° управлСния транзистора Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ сопротивлСниС эмиттСр-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, ΠΈ транзистор открываСтся, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (7-8 А).

ЦСпь Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния

ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΠšΠ‘ 16 – Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ заТигания 17 – Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ Π’Πš-Π‘ ΠΈ К Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов 14 – пСрвичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° 4 ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания 5 – Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ транзисторного ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° 1 – элСктроды ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° эмиттСр-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ транзистора 21 – Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ М – масса – ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΠšΠ‘. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля прСкращаСтся Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния транзистора ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ возрастаСт Π΅Π³ΠΎ сопротивлСниС. Вранзистор закрываСтся, Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. ΠœΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ поля пСрСсСкаСт Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания, индуктируя Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Π­Π”Π‘, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ высокоС напряТСниС (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 30000 Π’), Π° Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Π­Π”Π‘ самоиндукции (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 80-100 Π’).

ЦСпь высокого напряТСния

Вторичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° 6 ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания 5 Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€ 9 распрСдСлитСля 10 – свСчи заТигания 7 ( Π² соотвСтствии с порядком Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ двигатСля) – масса – вторичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° 6 ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания 5.

Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ трансформатор Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для быстрого запирания транзистора. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ трансформатора индуктируСтся Π­Π”Π‘ самоиндукции, Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр. Благодаря этому быстро исчСзаСт ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ 4 ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания 5. Π”ΠΈΠΎΠ΄ 19 ΠΈ стабилитрон 18 Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ – ΠΌΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания.

НСобходимо ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ прСрыватСля ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ силу Ρ‚ΠΎΠΊΠ° управлСния транзистора 0,3-0,8 А. Если Π½Π° Π½ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠΏΠ°Π»ΠΎ масло, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π»Π°ΡΡŒ масляная ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ слой окиси, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ управлСния транзистора Π½Π΅ смоТСт ΠΏΡ€ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ прСрыватСля ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π±Π΅Π½Π·ΠΈΠ½ΠΎΠΌ ΠΈ слСдят Π·Π° Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½ΠΈ всСгда Π±Ρ‹Π»ΠΈ чистыми.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания

просмотров 8Β 308 Google+

Π‘ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ мощности Π±Π΅Π½Π·ΠΈΠ½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ двигатСля ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π»Π°ΡΡŒ модСрнизация систСмы заТигания. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ числа Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΎΠ², ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ числа ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ² вращСния ΠΊΠΎΠ»Π΅Π½Π²Π°Π»Π°, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ стСпСни сТатия ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Ρ‘Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… смСсСй, ΠΎΠ½Π° Π½Π΅ ΠΌΠΎΠ³Π»Π° ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° свСчах.
Если Π½Π° ΡˆΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ эта систСма Π΅Ρ‰Ρ‘ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎ ΡΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΠ»Π°ΡΡŒ со своСй Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ появлСнии Π²ΠΎΡΡŒΠΌΠΈΡ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ двигатСля, Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ сбой ΠΏΡ€ΠΈ малСйшСй Π½Π΅ΠΏΠΎΠ»Π°Π΄ΠΊΠ΅. Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ сущСствСнно снизился срок слуТбы ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π² ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания отличия ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ.

Π’ 60-Ρ… Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ… Π½Π° Π΅Ρ‘ смСну Π² этих двигатСлях ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ»ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторноС Π·Π°ΠΆΠΈΠ³Π°Π½ΠΈΠ΅. Π•Π³ΠΎ СдинствСнноС отличиС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСма заТигания ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ, это Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠ±Π»Ρ‘Ρ€Π° ΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΎΠΉ заТигания, ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора.

Вранзистор – ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, слуТащий для прСобразования элСктричСских Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½. Π’ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмС заТигания ΠΎΠ½ Π² частности слуТит для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания прСимущСства ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ.

Π§Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Ρ‘Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторного ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π² систСмС заТигания?
Π’ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, самоС Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ прСимущСство, это Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ примСнСния ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ заТигания с большим числом трансформации. Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ число Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ² Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания ΠΈ Π² Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ врСмя ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ число Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ² Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π° Ρ‡Π΅Ρ‚Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Ρ‘Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ слСдствиС ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π·ΠΎΡ€ Π½Π° свСчах заТигания Π΄ΠΎ 1ΠΌΠΌ.

ΠŸΡ€ΠΈ всём этом Ρ‚ΠΎΠΊ, проходящий Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠ±Π»Ρ‘Ρ€Π° ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»Π΅Π½, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0,5А. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ примСнСния кондСнсатора для гашСния искрСния ΠΈ позволяСт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π·ΠΎΡ€ ΠΏΡ€ΠΈ этом увСличиваСтся срок слуТбы ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ².

К нСдостаткам этой систСмы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ отнСсти Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ трущихся Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ Π² Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠ±Π»Ρ‘Ρ€Π΅. ΠŸΡ€ΠΈ износС ΡƒΠΏΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° измСняСтся Π·Π°Π·ΠΎΡ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈ этом измСняСтся ΡƒΠ³ΠΎΠ» Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠ³ΠΎ состояния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΈ измСняСтся ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ искрообразования. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ этого Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠ±Π»Ρ‘Ρ€ остаётся Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΊ износу Π²Ρ‚ΡƒΠ»ΠΎΠΊ ΠΊΡƒΠ»Π°Ρ‡ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Π»Π°.  Но ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания, Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°Π΅ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ, ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° ΠΊ износам Π² Ρ‚Ρ€ΠΌΠ±Π»Ρ‘Ρ€Π΅.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Рассмотрим ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ схСму ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ – транзисторной систСмы заТигания. Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· схСмы СдинствСнным ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания являСтся Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора. Вранзистор выполняСт Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°, Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠ±Π»Ρ‘Ρ€Π° Π² этом случаС Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°, подавая ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора.

ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π·Π°ΠΆΠΈΠ³Π°Π½ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹, Π±Π°Π·Π° транзистора Π² ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ Π½Π΅ соСдиняСтся с минусом, ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΈΠ·-Π·Π° большого ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния Π² P-N ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ отсутствуСт Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ транзистора (транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚). Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания отсутствуСт.

ΠŸΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ², Π±Π°Π·Π° транзистора соСдиняСтся с минусом, ΠΏΡ€ΠΈ этом сопротивлСниС Π² P-N-P ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠŸΡ€ΠΈ этом сопротивлСниС эмиттСр – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ сниТаСтся (транзистор открываСтся) замыкая Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля Π±Π°Π·Π° транзистора ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ минуса, ΠΏΡ€ΠΈ этом Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ увСличиваСтся сопротивлСниС эмиттСр – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, транзистор закрываСтся, ΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ питания ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания рвётся.
Π’ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½Π° схСма ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ питания ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ², Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π΅Π½Ρ‡Π°Ρ‚Ρ‹ΠΉ Π²Π°Π» двигатСля Π½Π΅ вращаСтся. Π­Ρ‚ΠΎ слуТит для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°Ρ… Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠ±Π»Ρ‘Ρ€Π°.

Π­Ρ‚Π° систСма стала ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ Π½Π° ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ элСктронного заТигания. На Π΅Ρ‘ основС Π±Ρ‹Π»ΠΎ сдСлано мноТСство приставок ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ заТиганию, прСимущСством ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… являСтся Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΡƒΠ³Π»Π° опСрСТСния заТигания нСпосрСдствСнно ΠΈΠ· салона автомобиля ΠΏΡ€ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ.

admin 24/02/2012«Если Π’Ρ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΊΡƒ Π² тСкстС, поТалуйста Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅ это мСсто ΠΌΡ‹ΡˆΠΊΠΎΠΉ ΠΈ Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ CTRL+ENTERΒ» «Π•ΡΠ»ΠΈ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ Π±Ρ‹Π»Π° Π’Π°ΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Π°, ΠΏΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ ссылкой Π½Π° Π½Π΅Ρ‘ Π² соцсСтях»

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ транзисторная систСма заТигания

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания!
Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмы заТигания Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π—Π˜Π›-130, ГАЗ-53А ΠΈ Π΄Ρ€.!

Β Β  ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ стСпСни сТатия ΠΈ частоты вращСния ΠΊΠΎΠ»Π΅Π½Ρ‡Π°Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Π»Π° двигатСля, происходящСС Π² процСссС развития конструкций Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π·Π° собой ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния систСмы заТигания.

Π’ процСссС эксплуатации напряТСниС измСняСтся ΠΈΠ·-Π·Π° обгорания элСктродов свСчСй ΠΈ увСличСния Π·Π°Π·ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ. Π‘ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны, это ΠΎΠ±ΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ возрастаниС напряТСния, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ для пробоя ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСктродами свСчСй, Π° с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ β€” износ прСрыватСля-распрСдСлитСля ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния всСх ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΈ постСпСнноС сниТСниС напряТСния систСмы заТигания.

Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ надСТности ΠΈ долговСчности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² систСмы заТигания ΠΈ устранСния нСдостатков Π½Π° Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ транзисторныС систСмы заТигания, Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈ являСтся ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² качСствС усилитСля, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ размыкания Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ. По этому ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторныС систСмы заТигания, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ-Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΉ конструкции, Π½ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌ ΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΎΠΉ заТигания Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, часто Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.

Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΌ ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ систСмы заТигания являСтся Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° прСрыватСля ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ с ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ усилитСлСм. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания получаСтся прСрывистым. На Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ основаны схСмы бСсконтактных транзисторных систСм заТигания, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠ·-Π·Π° отсутствия ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π·Π°ΠΆΠΈΠ³Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°Ρ… прСрыватСля (рис. 11.7) транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. Π’ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ замыкания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ 0,3β€” 0,8 А (Π² зависимости ΠΎΡ‚ скорости вращСния ΠΊΡƒΠ»Π°Ρ‡ΠΊΠ° прСрыватСля).

ΠŸΡƒΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния транзистора ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΡˆΡ‚Ρ€ΠΈΡ…ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ стрСлками: Β« + Β» аккумуляторной Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ β€” Π·Π°ΠΆΠΈΠΌ ΠšΠ— тягового Ρ€Π΅Π»Π΅ стартСра β€” Π·Π°ΠΆΠΈΠΌ AM Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ заТигания β€” Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ β€” Π·Π°ΠΆΠΈΠΌ ΠšΠ— Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ β€” Π΄Π²Π° Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… рСзистора, соСдинСнных ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌΠΈ Π’ΠšΠ‘ ΠΈ Π’Πš β€” пСрвичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания β€” бСзымянный Π·Π°ΠΆΠΈΠΌ транзисторного ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр Π­ β€” Π±Π°Π·Π° (Π‘) транзистора β€” пСрвичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ трансформатора β€” Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ прСрыватСля β€” «масса» β€” Β« β€” Β» Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° управлСния происходит Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠ΅ сниТСниС сопротивлСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° эмиттСр β€” ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (Π­β€”Πš) транзистора, ΠΈ ΠΎΠ½ открываСтся, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ заТигания.

ΠŸΡƒΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΡΠΏΠ»ΠΎΡˆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ стрСлками: Β« + Β» аккумуляторной Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ β€” Π·Π°ΠΆΠΈΠΌ ΠšΠ— тягового Ρ€Π΅Π»Π΅ стартСра β€” Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ заТигания β€” рСзисторы β€” пСрвичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания β€” бСзымянный Π·Π°ΠΆΠΈΠΌ транзисторного ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° β€” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (3β€”Πš) транзистора 7 β€” «масса»—«—» аккумуляторной Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ.

Π‘ΠΈΠ»Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² этой Ρ†Π΅ΠΏΠΈ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния источника, Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ сопротивлСния, индуктивности ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠ³ΠΎ состояния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля Ρ‚ΠΎΠΊ управлСния прСрываСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния транзистора, ΠΎΠ½ закрываСтся, Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ заТигания.

Π Π΅Π·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания сопровоТдаСтся Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ пСрСсСкаСт Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΠΊ, сСрдСчник ΠΈ ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ индуктируСтся э.Π΄.с. ΠΎΡ‚ 17 Π΄ΠΎ 30 ΠΊΠ’, Π° Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½Π΅ΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ э.Π΄.с. самоиндукции Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 100 Π’.

Π’ΠΎΠΊ высокого напряТСния ΠΈΠ· Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания поступаСт Π½Π° Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π½Π° свСчу заТигания, «массу» ΠΈ возвращаСтся Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ.

Π­.Π΄.с. самоиндукции ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ заряд кондСнсатора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°Π΅Ρ‚ транзистор ΠΎΡ‚ дСйствия э.Π΄.с., Π° элСктролитичСский кондСнсатор Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°Π΅Ρ‚ транзистор ΠΎΡ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… пСрСнапряТСний.

ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ°

Рис. 11.7. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмы заТигания Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π—Π˜Π›-130, ГАЗ-53А ΠΈ Π΄Ρ€.:
1—транзисторный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€; 2, 5β€” кондСнсаторы; 3, 8, 12β€” рСзисторы; 4, 6β€” соотвСтствСнно Π΄ΠΈΠΎΠ΄-стабилитрон Π”β€ž ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π”; 7β€” транзистор; 9β€” ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ трансформатор; 10β€” ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ; 11 β€” Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ; 13β€” ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° заТигания; 14 β€” аккумуляторная батарСя; 15 β€” Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы; 16 β€” Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ заТигания с Π·Π°ΠΆΠΈΠΌΠ°ΠΌΠΈ AM, ΠšΠ— ΠΈ Π‘Π’; 17 β€” тяговоС Ρ€Π΅Π»Π΅ стартСра; М, К. Π  β€” Π·Π°ΠΆΠΈΠΌΡ‹ транзисторного ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°

Π”ΠΈΠΎΠ΄ Π”1 прСпятствуСт ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄-стабилитрон Π”Π΅Ρ‚ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, минуя ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания. ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄-стабилитрон Π”Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΎΡ‚ пробоя э.Π΄.с. самоиндукции.

Π‘ систСмой заТигания ГАЗ-3307 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ознакомится Π²ΠΎΡ‚ Π² этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅:

БистСма заТигания ГАЗ-3307.

Β  Если Π²Π΄Ρ€ΡƒΠ³, Π’Ρ‹ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ нашли, ΠΈΠ»ΠΈ Ρƒ Вас просто Π½Π΅Ρ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π½Π° поиски, Ρ‚ΠΎ я Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΡŽ ΠΎΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΠΈΡ‚ΡŒΡΡ со ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΠΌΠΈ Π² ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΠΉ «Π Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚ ГАЗ«. Π― ΡƒΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½ Π’Ρ‹ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ Π½Π° свой вопрос, Π° Ссли ΠΆΠ΅ Π½Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΏΠΈΡˆΠΈΡ‚Π΅ Π² коммСнтариях ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Вас вопрос я ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‡Ρƒ.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания | whatisvehicle

1 β€” свСча заТигания; 2 β€” ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ высокого напряТСния; 3 β€” Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ распрСдСлитСля; 4 β€” Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€ распрСдСлитСля; 5 β€” ΠΊΡƒΠ»Π°Ρ‡ΠΎΠΊ; 6 β€” ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ прСрыватСля; 7 β€” ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€; 8 β€” пСрвичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания; 9 β€” вторичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ°; 10 β€” Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ высокого напряТСния; 11 β€” Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ заТигания; 12 β€” аккумуляторная батарСя; А β€” ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ; Π‘ β€” Π±Π°Π·Π°; Π’ β€” ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° заТигания; К β€” ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€; Π­ – эмиттСр.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания явилась ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ этапом ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΊ бСсконтактным элСктронным систСмам. Π’ Π½Π΅ΠΉ устраняСтся нСдостаток ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы β€” ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ износ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля, ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ†Π΅ΠΏΡŒ с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ силой Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмС ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ возбуТдСния ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ транзистор, управляСмый ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ прСрыватСля. Π‘ примСнСниСм’ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмы Π½Π° Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ появился Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ β€” элСктронный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€(7), ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² сСбС силовой ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ транзистор ΠΈ элСмСнты схСмы Π΅Π³ΠΎ управлСния ΠΈ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹.

ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ систСму, Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ разбСрёмся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор.

Вранзисторами Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ для усилСния, гСнСрирования ΠΈ прСобразования элСктричСских ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ.

Π£ транзистора Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°: ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°.

МоТно Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎ Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΡƒΠ΄Π½Ρ‹Π΅ объяснСния Π½Π°ΡƒΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π·Π°ΡƒΠΌΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ„Ρ€Π°Π·Π°ΠΌΠΈ. А ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ быстро ΠΈ просто ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΎΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚.

Π’Π°ΠΊ Π²ΠΎΡ‚, Β ΠΏΠΎ ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ Ρ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚ ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ(Ik). По Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ Π‘Π°Π·Π°-Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ Ρ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚ слабый ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ(IΠ±). И Π²ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ этого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ управляСтся ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ(Π΅Π³ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°).

ΠŸΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ всСгда большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ количСство Ρ€Π°Π·. Π­Ρ‚Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° называСтся коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, обозначаСтся h31э. Π£ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² транзисторов это Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ колСблСтся ΠΎΡ‚ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† Π΄ΠΎ сотСн Ρ€Π°Π·.

Если ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π­Π‘ откроСтся сильнСС, ΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ смоТСт ΠΏΡ€ΠΎΡΠΊΠΎΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ большС элСктронов. А ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‚ΠΎ это ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ вСсьма ΠΈ вСсьма Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ,Β ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ усилСниС слабого сигнала, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΠ²ΡˆΠ΅Π³ΠΎ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ.

Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΡƒΡ‚:Β http://radiokot.ru/start/analog/basics/08/

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ вСрнёмся ΠΊ нашСй систСмС заТигания )

1 β€” аккумуляторная батарСя; 2,3 β€” ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ заТигания; 4,5 β€” Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы; 6 β€” ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€; 7 β€” ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ

На рисункС прСдставлСна схСма ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторного заТигания с ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ВК 102.

ΠŸΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля(7) Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ… Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора VT1, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ открываСтся ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания ΠΊ источнику питания.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля транзистор VT1 закрываСтся, Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ прСрываСтся ΠΈ Π½Π° свСчах появляСтся всплСск высокого напряТСния, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмС.

Π₯арактСристики ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ- транзисторной систСмы Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ, Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сниТСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частотах, вращСния ΠΊΡƒΠ»Π°Ρ‡ΠΊΠ° Π½Π΅ происходит. Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ трансформатор Π’ Π² схСмС ускоряСт Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора, Ρ†Π΅ΠΏΡŒ VD1, VQ2 Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°Π΅Ρ‚ транзистор ΠΎΡ‚ пСрСнапряТСний, Π° кондСнсатор Π‘2 β€” ΠΎΡ‚ случайных ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² напряТСния ΠΏΠΎ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ питания. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘1 способствуСт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ, Π² транзисторС. Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор 4 закорачиваСтся ΠΏΡ€ΠΈ пускС двигатСля.

Π‘Ρ€ΠΎΠΊ слуТбы ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля, Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмС большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΈ, Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ. Однако мСханичСский износ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ°, влияниС Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π² систСмС Π½Π΅ устранСны.

БпСцифичСскиС особСнности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈΒ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания прСдопрСдСляСт Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктричСского раздСлСния ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΠΊ (Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ Π΄Π²Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΠΊ соСдинСны), Π° Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ отсутствиС кондСнсатора. ΠšΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° транзисторной систСмы заТигания ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ большСС ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ числа Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ² Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΠΊ. НаиболСС распространСнной отСчСствСнной ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмой заТигания являСтся ВК-102. К систСмС заТигания добавляСтся ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€, рСзистор ΠΈ замСняСтся ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° заТигания. ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠΌ этой систСмы заТигания являСтся Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ увСличСния искрового ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΊΠ° свСчи, ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ двигатСля Π½Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Π°, холостого Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ, ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ пусковых качСств, особСнно ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ напряТСнии аккумулятора, ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ долговСчности ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля.

Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π΅Ρ‰Ρ‘ Ρ€Π°Π· ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ взглянСм Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ систСмы:

1 β€” свСча;Β 2Β β€” Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€;Β 3 β€”Β Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ;Β 4Β β€” ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹; 5 β€” ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€;Β 6,7β€”ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ;Β 8Β β€” Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ систСма ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ: ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ заТигания(8) послС замыкания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² 4 прСрыватСля транзистор ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°(5) открываСтся(Ρ‚.ΠΊ. ΠΏΠΎΡˆΡ‘Π» Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ транзистор), ΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅(7) ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ размыкания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля транзистор ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° запираСтся(Ρ‚.ΠΊ. ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹). Π’ΠΎΠΊ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, ΠΈ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅(6)Β ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания создаСтся Ρ‚ΠΎΠΊ высокого напряТСния. Он подводится ΠΊ Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ(2) распрСдСлитСля заТигания(3), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ распрСдСляСт Ρ‚ΠΎΠΊ высокого напряТСния ΠΏΠΎ свСчам заТигания(1) Π² соотвСтствии с порядком Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ двигатСля.

Π•Ρ‰Ρ‘ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ‚ΡƒΡŽ Π³Π»ΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ:

Β Π ΡƒΡ‚ΡƒΠ±:Β http://rutube.ru/tracks/175204.html?v=967bdecc203dd38887c9620e767f244f

Π”ΡƒΠΌΠ°ΡŽ, Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ понятно, ΠΊΠ°ΠΊ это Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°ΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΊ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ соврСмСнной систСмС заТигания.

ΠŸΠΎΠ½Ρ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ это:

Нравится Π—Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°…

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°, схСмы

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Π°Ρ систСма заТигания выдСляСтся Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ΠΌ Π² составС распрСдСлитСля, ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ производится ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° напряТСния ΠΊ свСчам заТигания двигатСля.

Π’ Ρ‡Π΅ΠΌ особСнности этой систСмы? Π“Π΄Π΅ ΠΎΠ½Π° примСняСтся, ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚? Из ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… элСмСнтов состоит, ΠΈ с ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΌΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ²Π»Π°Π΄Π΅Π»Π΅Ρ† Π² процСссС пользования транспортным срСдством? Рассмотрим эти ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅.

Π“Π΄Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ?

ΠŸΡ€ΠΎΡˆΠ»Ρ‹Π΅ ΠΈ настоящиС Π²Π»Π°Π΄Π΅Π»ΡŒΡ†Ρ‹ ВАЗ «классики», Ρ€Π°Π·Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Π² конструкции Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ΠΉ, прСкрасно Π·Π½Π°ΡŽΡ‚ слабыС мСста ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ функционирования схСмы заТигания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π•Π΅ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² распрСдСлСнии напряТСния ΠΊ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌ сгорания двигатСля Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ соСдинСния (ΠΎΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° ΠΈ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅).

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ соврСмСнным (элСктронным) Π·Π°ΠΆΠΈΠ³Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ управляСтся микропроцСссором.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

К основным систСмам, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅, стоит отнСсти:

  • КБ3 (KSZ) β€” Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнный Ρ‚ΠΈΠΏ схСмы, Π² структурС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ имССтся Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹
  • КВБ3 (HKZ-2, JFU4, HKZk) β€” систСма заТигания с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠΌ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ энСргии.
  • KTC3 (TSZi) β€” Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ‚ΠΈΠΏ систСмы, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅. Π’ Π΅Π΅ составС ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ транзистор ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ энСргии.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

НаличиС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ΅Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°ΠΆΠΈΠ³Π°Π½ΠΈΠ΅ Π³ΠΎΡ€ΡŽΡ‡Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€Π°Ρ… осущСствляСтся ΠΏΠΎ Ρ„Π°ΠΊΡ‚Ρƒ появлСния искры ΠΎΡ‚ свСчи заТигания.

ΠŸΡ€ΠΈ этом сама искра Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ поступлСнии ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° высокого напряТСния ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания.

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ выполняСт ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° заТигания, которая ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ трансформатор.

Она состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΠΊ (ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ), Π½Π°ΠΌΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° сСрдСчник ΠΈΠ· ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°.

Π‘Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° напряТСниС подводится ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅, послС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ создаСтся Ρ‚ΠΎΠΊ.

Как Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ происходит ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ нивСлируСтся, Π½ΠΎ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ высокоС напряТСниС (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 25000 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚).

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’ этот ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ присутствуСт напряТСниС, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ 300 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌ.

ΠŸΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π΅Π³ΠΎ появлСния β€” Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ самоиндукции. ИмСнно ΠΈΠ·-Π·Π° появлСния этого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ искрСниС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля.

Из сказанного Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ зависит ΠΎΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… аспСктов:

  • ΠœΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля;
  • Уровня интСнсивности падСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅.

Для роста Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ сниТСния риска обгорания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹, Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ кондСнсатор (устанавливаСтся ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ). Π”Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ кондСнсатор заряТаСтся.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Разряд Смкости происходит Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ, посрСдством формирования ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Благодаря этой особСнности, ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ исчСзаСт, Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС растСт.

ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ кондСнсатора для ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания составляСт 0,17-0,35 ΠΌΠΊΠ€. Для ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π°, Π² «Жигулях» отСчСствСнного производства установлСн кондСнсатор, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² 0,2-0,25 ΠΌΠΊΠ€ (ΠΏΡ€ΠΈ частотС ΠΎΡ‚ 50 Π΄ΠΎ 1000 Π“Ρ†).

Если систСма заТигания автомобиля Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π±Π΅Π· сбоСв, Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ постоянно расти. Оно зависит ΠΎΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… основных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² β€” Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° Π·Π°Π·ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ свСчными элСктродами, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ давлСния Π² Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€Π°Ρ… ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½Ρ‹.

Для ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания этот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ (Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС) Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ 8-12 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ систСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»Π° Π±Π΅Π· сбоСв, Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ прСрывания упомянутый ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ вырастаСт Π΄ΠΎ 16-25 ΠΊΠ’. НаличиС ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ³ΠΎ запаса позволяСт ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ нСблагоприятных послСдствий ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Π² систСмС заТигания.

К упомянутым Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ отнСсти ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ состава Π³ΠΎΡ€ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ смСси ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ расстояния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСктродами свСчи.

К ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ, сниТСниС уровня кислорода Π² Ρ‚ΠΎΠΏΠ»ΠΈΠ²Π½ΠΎ-Π³ΠΎΡ€ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ смСси ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ росту напряТСния Π΄ΠΎ 20 ΠΊΠ’.

НСсмотря Π½Π° ряд ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… мСроприятий, ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ подгорания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ создатСлям ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания Π½Π΅ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ способом сниТСния этого эффСкта являСтся Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°Π·ΠΎΡ€Π° Π½Π° минимальном ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ (0,3-0,4 ΠΌΠΌ).

Π’ качСствС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ привСсти отСчСствСнныС ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ ВАЗ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π·Π°Π·ΠΎΡ€Π° Π² ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ Ρ€Π°Π²Π½Π° 0,35-0,45 ΠΌΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт ΡƒΠ³Π»Ρƒ Π² 52-58 градусов ЦСльсия (ΠΏΡ€ΠΈ условии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ контактная Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ° находится Π² Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ состоянии).

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’ случаС измСнСния этого ΡƒΠ³Π»Π° коррСктируСтся ΠΈ напряТСниС Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅. Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ искры ΠΏΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°Ρ…, Π½ΠΎ ΠΈ Π½Π° Π±Π΅Π³ΡƒΠ½ΠΊΠ°Ρ…. По этой ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ качСство искры, ΠΈ ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€ тСряСт ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠžΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ внимания заслуТиваСт Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания, которая зависит ΠΎΡ‚ Ρ†Π΅Π»ΠΎΠ³ΠΎ ряда Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ²:

  • Π€ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, энСргии ΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ появлСния искры;
  • ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π° искр Π½Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ;
  • Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… характСристик). Π§Π΅ΠΌ большС этот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, Ρ‚Π΅ΠΌ мСньшС Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ систСмы ΠΎΡ‚ состава Π³ΠΎΡ€ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ смСси ΠΈ уровня чистоты элСктродов.

Устройство

НС сСкрСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ контактная систСма заТигания состоит ΠΈΠ· мноТСства Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов:

  • ΠΠšΠ‘;
  • ΠœΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ, Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ β€” высокого напряТСния;
  • Π—Π°ΠΌΠΎΠΊ, ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° ΠΈ свСчи заТигания;
  • РСгуляторы опСрСТСния заТигания прСдставлСны двумя Π²ΠΈΠ΄Π°ΠΌΠΈ β€” Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹ΠΌ;
  • Π’Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Β 

Рассмотрим основныС элСмСнты ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ:

  • ΠŸΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ β€” ΡƒΠ·Π΅Π», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ обСспСчиваСт ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Π’ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π²Π° Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ формируСтся высокоС напряТСниС.
  • ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ β€” Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ, Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ являСтся ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ подгорания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ прСрыватСля. ΠœΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆ Смкости производится ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°Ρ‚ΡŒ издСлию больший объСм энСргии. К Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ кондСнсатора стоит отнСсти ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅.ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹
  • Π Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ β€” элСмСнт ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ обСспСчиваСт Ρ€Π°Π·Π΄Π°Ρ‡Ρƒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° напряТСния Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΡƒΡŽ ΠΈΠ· свСчСй Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΎΠ². ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ устройство состоит ΠΈΠ· ΠΊΡ€Ρ‹ΡˆΠΊΠΈ ΠΈ Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΉ части располоТСны ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹, Π° ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ направляСтся Π½Π° Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚, Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΊ свСчам. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹
  • ΠšΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° заТигания β€” устройство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ напряТСниС (ΠΈΠ· Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π² высокоС). Находится Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒ Π² ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ отсСкС, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ элСмСнтов ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ Π² ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΈ прСдусмотрСно Π΄Π²Π΅ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. Одна β€” Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ, Π° другая β€” высокого напряТСния. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹
  • Π’Ρ€Π°ΠΌΠ±Π»Π΅Ρ€ β€” прСдставляСт собой устройство, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ вмСстС находятся ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π½Ρ‡Π°Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Π»Π° ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹
  • Π¦Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ рСгулятор β€” ΡƒΠ·Π΅Π», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ обСспСчиваСт ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ³Π»Π° опСрСТСния заТигания. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ прСдставляСт собой ΡƒΠ³ΠΎΠ» ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° ΠΊΠΎΠ»Π΅Π½Π²Π°Π»Π°, Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ достиТСния ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° свСчи подаСтся напряТСниС. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ сгораниС Π³ΠΎΡ€ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ смСси, рассматриваСмый ΡƒΠ³ΠΎΠ» устанавливаСтся с ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ.

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ рСгулятор β€” ΠΏΠ°Ρ€Π° Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΠΊΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π½Π° пластинку с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π½Π° Π½Π΅ΠΉ ΠΊΡƒΠ»Π°Ρ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ прСрыватСля. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ стоит ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ пластинка свободно пСрСмСщаСтся, Π½ΠΎ ΡƒΠ³ΠΎΠ» опСрСТСния ставится Π·Π° счСт ΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠ±Π»Π΅Ρ€Π° ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

  • РСгулятор Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° β€” устройство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ обСспСчиваСт ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ³Π»Π° опСрСТСния Π½Π° Ρ„ΠΎΠ½Π΅ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ уровня Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π° ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€ (мСняСтся ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΠΈΠΈ Π½Π° пСдаль Π³Π°Π·Π°). РСгулятор ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ с ΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠ·Π»Π° ΠΈ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡƒΠ³ΠΎΠ» с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ уровня разрСТСния. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹
  • Π‘Π²Π΅Ρ‡ΠΈ заТигания β€” стандартныС элСмСнты Π·Π°ΠΏΠ°Π»Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ Π² искру, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡƒΡŽ для подТигания Ρ‚ΠΎΠΏΠ»ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ смСси Π² Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€Π°Ρ… ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° Π½Π° свСчи формируСтся искра, Π·Π°ΠΆΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π³ΠΎΡ€ΡŽΡ‡ΡƒΡŽ смСсь.
  • Π’Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° (Π±Ρ€ΠΎΠ½Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°) β€” Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ элСмСнт ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… высокоС напряТСниС пСрСдаСтся ΠΏΠΎ ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ Β«ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° β€” Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ β€” свСчи заТигания». ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠ΅ прСдставляСт собой Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ большого сСчСния с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΆΠΈΠ»ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΠΌΠ΅Π΄ΠΈ ΠΈ многослойной изоляциСй. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия

Для ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡ†Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ обслуТивания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ особСнности взаимодСйствия Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов.

Пока ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ прСрыватСля Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅.

Как Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ происходит Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ устройства, Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ формируСтся высокоС напряТСниС.

Π’ этот ΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ созданный ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ направляСтся ΠΏΠΎ Π±Ρ€ΠΎΠ½Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ ΠΊ ΠΊΡ€Ρ‹ΡˆΠΊΠ΅ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройства, Π° дальшС β€” ΠΊ свСчам заТигания. ΠŸΡ€ΠΈ этом распрСдСлСниС производится ΠΏΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΡƒΠ³Π»ΠΎΠΌ опСрСТСния.

ΠžΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π½Ρ‡Π°Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Π»ΠΎΠ² находятся Π² ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌ взаимодСйствии. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ростС ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ, частота вращСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ возрастаСт.

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ вступаСт рСгулятор Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ±Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΠΊΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ расходятся ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π²ΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΡƒΡŽ пластинку с ΠΊΡƒΠ»Π°Ρ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ.

НСмногим Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅ производится Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ прСрыватСля, Π° ΡƒΠ³ΠΎΠ» опСрСТСния растСт.

Π’ случаС сниТСния ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ»Π΅Π½Π²Π°Π»Π° происходит ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ процСсс β€” сниТСниС ΡƒΠ³Π»Π° опСрСТСния.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания

Π‘ Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ схСмы Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΠ»ΠΈ Π² ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ транзисторный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ устанавливаСтся Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅. Π•Π³ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ производится с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ систСмы Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройства ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΎ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π»ΠΈΡ‚ΡŒ рСсурс ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ прСрыватСля (ΠΎΠ½Π° стала мСньшС ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΡŒ).

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная схСма, благодаря Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ измСнСниям, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»Π° Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ΅ характСристики, Ссли ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π΅ с классичСским Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠΌ заТигания. Из-Π·Π° примСнСния транзистора Π² систСмС Π±Ρ‹Π» Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΡƒΠ·Π΅Π» β€” ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ транзистора Π² этой схСмС Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ нСбольшого Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ (Π² Π±Π°Π·Ρƒ), достаточно для контроля Ρ‚ΠΎΠΊΠ° большСй Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹.

Как ΡƒΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π»ΠΎΡΡŒ, новая систСма ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторного Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ нСбольшиС отличия ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΉ вСрсии систСмы. Π•Π΅ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² особых характСристиках, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ…Π²Π°ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ стандартная контактная схСма.

Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ взаимодСйствуСт Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ с транзистором, Π° Π½Π΅ с Β«Π±ΠΎΠ±ΠΈΠ½ΠΎΠΉΒ». Π’ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-Ρ‚Ρ€Π°Π½Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Π°.

Как Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ происходит ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅, Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ высокого напряТСния.

Если Π½Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ внимания Π½Π° конструктивныС особСнности ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ прСимущСство β€” Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, благодаря ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ транзистора.

ΠŸΡ€ΠΈ этом удаСтся Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ряд Π·Π°Π΄Π°Ρ‡:

  • Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π·ΠΎΡ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ свСчными элСктродами;
  • ΠŸΠΎΠ΄Π½ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС;
  • Π£ΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ с пуском ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅;
  • ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ процСсс образования искры;
  • ΠŸΠΎΠ΄Π½ΡΡ‚ΡŒ число ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной схСмы Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² нСобходимости использования ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ с ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΉ.

РассмотрСнныС измСнСния схСмы ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΡƒΡŽ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡƒ прСрыватСля ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ проходящий Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ слуТат дольшС, Π° Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ систСмы возрастаСт.

НСсмотря Π½Π° рассмотрСнныС ΠΏΠ»ΡŽΡΡ‹, нСльзя Π½Π΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ ряд минусов ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ связаны с Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ прСрыватСля.

Π’Π°ΠΊ, Π² схСмС формируСтся искра Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° происходит Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Β«Π±ΠΎΠ±ΠΈΠ½Π΅Β». Π’ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ поступаСт Π² транзистор, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ для влияния Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ΅ прСрыватСля Π½Π΅Π³Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ сказываСтся Π½Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… характСристиках систСмы.

НСисправности ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹

ΠžΡ‚ эффСктивности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания зависит ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ пуска автомобиля. Π’ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ²Π»Π°Π΄Π΅Π»Π΅Ρ† Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ нСисправности, ΠΈ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΈ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Ρ‹.

К основным ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΌΠΊΠ°ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ отнСсти:

ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π±ΠΎΠΈ Π² Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅.

ΠŸΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ нСсколько:

  • ΠΠ°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ цСлостности ΠΊΡ€Ρ‹ΡˆΠΊΠΈ распрСдСлитСля;
  • ΠŸΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π°;
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ· строя свСчи заТигания ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°Π·ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСктродами;
  • ΠžΡˆΠΈΠ±ΠΎΡ‡Π½ΠΎ выставлСнный ΡƒΠ³ΠΎΠ» заТигания.

Для устранСния ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΌΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ β€” ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ³ΠΎΠ» опСрСТСния, ΠΏΠΎΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π΄ΡˆΠΈΠ΅ ΠΈΠ· строя элСмСнты ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ Π·Π°Π·ΠΎΡ€Ρ‹ Π² ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ ΠΈ элСктродах свСчСй.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ систСмы заТигания, устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

На свСчах отсутствуСт искра.

Подобная Π½Π΅ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π°:

  • ΠžΠ±Π³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля ΠΈ отсутствиСм Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π·Π°Π·ΠΎΡ€Π°;
  • ΠŸΠ»ΠΎΡ…ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π²ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ;
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠ· строя кондСнсатора, Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания, Π±Ρ€ΠΎΠ½Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ свСчСй.

Для устранСния нСисправности трСбуСтся ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π·ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля, ΠΏΠΎΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ нСисправныС элСмСнты ΠΈ (ΠΈΠ»ΠΈ) ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ ΠΎΠ±Π΅ΠΈΡ… ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΠΊ (Π²Ρ‹ΡΡˆΠ΅ΠΉ ΠΈ низшСй).

РассмотрСнныС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΌΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ нСскольким ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌ β€” СстСствСнный износ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ, нСсоблюдСниС ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ» эксплуатации, примСнСния Π½Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСмСнтов схСмы, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅Π³Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ воздСйствиС Π½Π° ΡƒΠ·Π»Ρ‹.

На соврСмСнном этапС контактная систСма заТигания ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΎΠ΅ ΠΈ Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΎ сСбС Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ обслуТивании старых Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ΠΉ.

На Π΅Π΅ смСну ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ»ΠΈ соврСмСнныС, Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ схСмы, построСнныС Π½Π° микропроцСссорном ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅.

ΠžΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚Π΅ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡŽ

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ – транзисторная систСма заТигания

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ – транзисторная систСма заТигания

Π’ описанной Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ систСмС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ заТигания с ростом частоты вращСния ΠΊΠΎΠ»Π΅Π½Ρ‡Π°Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Π»Π° двигатСля сниТаСтся напряТСниС Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ сокращСниСм Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠ³ΠΎ состояния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля, вслСдствиС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ заТигания. Π­Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ² силу Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ послС 10Β 000 – 15000 ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π΅Π³Π° ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля, Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π½Π΅Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ воспламСнСниС смСси Π² соврСмСнных высокооборотных ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… двигатСлях.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° послСдних модСлях Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΡƒΡŽ систСму заТигания с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ транзисторов, которая ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ряд прСимущСств ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ систСмой ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ заТигания. Вранзисторная систСма заТигания обСспСчиваСт Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΡƒΡŽ ΠΈ ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ высокооборотных, ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒΡŽ сТатия.

Помимо Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², входящих Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΡƒΡŽ систСму Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ заТигания, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ – транзисторная систСма ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ транзисторный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€1 ΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… сопротивлСний. ΠœΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ управляСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ транзистора, подавая Π½Π° Π½Π΅Π³ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠŸΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ – транзисторной систСмы Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ систСмы заТигания, Π° Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ слабого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 0,75А управлСния Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΌ транзистором, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ основной Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ транзисторного ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ транзистор ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ 2 ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания. Π‘ΠΈΠ»Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π²Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² износа ΠΎΡ‚ элСктричСской искры практичСски Π½Π΅ происходит, Π½Π° срок слуТбы ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² влияСт Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ мСханичСский износ ΠΈ ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ прСрыватСля Ρ€Π°Π·Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Ρ‹ ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, срок ΠΈΡ… слуТбы увСличиваСтся Π΄ΠΎ 100 тыс. ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π΅Π³Π° ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅.

Рис. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ – транзисторной систСмы заТигания 1 – ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€, 2 – пСрвичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания, 3 – вторичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ°, 4 – Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ заТигания, 5 – аккумуляторная батарСя, 6 – свСча заТигания, 7 – ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ высокого напряТСния, 8 – Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ распрСдСлитСля, 9 – Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€ распрСдСлитСля, 10 – ΠΊΡƒΠ»Π°Ρ‡ΠΎΠΊ, 11 – ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ прСрыватСля, 12 – Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ высокого напряТСния, I – ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, II – ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° заТигания, Π‘ – Π±Π°Π·Π°, К – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π­ – – эммитСр.

ΠŸΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ – Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ I ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмы устроСн Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ – Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΉ систСмы заТигания, Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ кондСнсатора. ΠšΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° заТигания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ – транзисторной систСмы отличаСтся мСньшим, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ, сопротивлСниСм ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ, благодаря Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ достигаСт 8А, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 4А. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, с Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ транзистора высоким напряТСниСм вторичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ Π½Π΅ соСдинСна с ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ.

Π’ΠΎΠΊ, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ напряТСниС Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π° Ρ‡Π΅Ρ‚Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΡŒ. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°Π·ΠΎΡ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСктродами свСчи заТигания Π΄ΠΎ 1, 2 ΠΌΠΌ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ самым ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρƒ искры ΠΈ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ сгорания Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ смСси Π² Ρ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€Π°Ρ… двигатСля ΠΏΡ€ΠΈ любой частотС вращСния ΠΊΠΎΠ»Π΅Π½Ρ‡Π°Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Π»Π°. ΠŸΡ€ΠΈ этом облСгчаСтся пуск двигатСля ΠΈ увСличиваСтся Π΅Π³ΠΎ ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Вранзисторный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ смонтирован Π² ΠΎΡ€Π΅Π±Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ корпусС ΠΈΠ· ΠΎΡ†ΠΈΠ½ΠΊΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ сплава. Π’ корпусС находятся транзистор ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ трансформатор. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ тСкст являСтся ΠΎΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ„Ρ€Π°Π³ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ.

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ½ΠΈΠ³Ρƒ Ρ†Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠΌ

ΠŸΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ Π½Π° страничкС

Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Π³Π»Π°Π²Π° >

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмы заТигания


Рис. 1. ЭлСктричСскиС схСмы ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмы заТигания: Π° β€” ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ; Π± β€” с транзисторным ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ TK102.

На рис. 1, Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмы заТигания. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ прСрыватСля S1 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹ (Π‘) транзистора VT, Π° пСрвичная ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° L1 ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания Π’1 β€” Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ эмиттСра (Π­) этого транзистора. НаличиС транзистора VT Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ управлСния транзистором (Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ±), Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания I1 β€” Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр β€” ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ транзистора.

Π’ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор RΠ΄ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ S2 Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ пуска двигатСля стартСром, Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ заТигания S3 ΠΈ аккумуляторная батарСя GB.

ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ заТигания ΠΈ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля S1 ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора VT Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра, поэтому транзистор откроСтся ΠΈ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ появится Ρ‚ΠΎΠΊ I1. Π’ этом случаС сопротивлСниС транзистора (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр—коллСктор) Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ (0,15 Ом).

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля S1 Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора IΠ± прСрываСтся, Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ эмиттСра становится Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, транзистор запираСтся (Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ сопротивлСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° эмиттСр—коллСктор), сила Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡƒΠ±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ высокого напряТСния Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ L2.

Π’ случаС запирания транзистора ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΊΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‚. Π΅. ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π²Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹, сниТаСтся ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора. Для ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ процСсса запирания транзистора Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторных систСм заТигания ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ размыкания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля подаСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ эмиттСру ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π». Π’ этом случаС получаСтся наибольшая ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ спада силы ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ способствуСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π² ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ΅ заТигания.

На рис. 1, Π± ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° элСктричСская схСма ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмы заТигания с транзисторным ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ВК102, которая ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π° для Π²ΠΎΡΡŒΠΌΠΈΡ†ΠΈΠ»ΠΈΠ½Π΄Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ транзисторный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ I (ВК102), ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΡƒ заТигания Π’1 (Π‘114), ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S1 ΠΈ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ S4, Π±Π»ΠΎΠΊ рСзисторов II (Π‘Π­107), составлСнный ΠΈΠ· рСзисторов RΠ΄1 (0,5 Ом) ΠΈ RΠ΄2 (0,5 Ом), Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора S2. РСзистор RΠ΄1 ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ силу Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊ I1 Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Π° рСзистор RΠ΄2 выполняСт Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора, ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ систСмС заТигания. ΠšΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° заТигания Π‘114 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ L1 ΠΈΠ· 180 Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 1,25 ΠΌΠΌ, ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ ΠŸΠ­Π’ ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ L2 ΠΈΠ· 41 ООО Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 0,06 ΠΌΠΌ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ ΠŸΠ­Π›. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ 0,38 Ом, Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ 20 500 Ом. Π˜Π½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ 3,7 ΠΌΠ“Π½, Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ 150β€”170 Π“Π½. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ трансформации ΠšΡ‚ = w1/w2 = 228. УмСньшСниС числа Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈ Π΅Π΅ индуктивности ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°ΠΌΠΈ заТигания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… систСм Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ для пониТСния Π­Π”Π‘ самоиндукции Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ пробоя силового транзистора ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторных систСм заТигания Π½Π΅ взаимозамСняСмы.

Вранзисторный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ транзистор VT3 Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π“Π’701А, стабилитрон VD2 (Π”817Π’), Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD1 (Π”226), ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ трансформатор Π’2, кондСнсаторы C1 (1 ΠΌΠΊΠ€) ΠΈ Π‘2 (50 ΠΌΠΊΠ€), рСзистор R1 (27 Ом).

ВсС элСмСнты транзисторного ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° смонтированы Π² Π»ΠΈΡ‚ΠΎΠΌ алюминиСвом корпусС, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Ρ€Π΅Π±Ρ€ΠΈΡΡ‚ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ для увСличСния Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π΄Π°Ρ‡ΠΈ. ΠΠ΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ интСнсивного ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор Π½Π΅ пСрСгрСвался, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 65Β°Π‘, поэтому транзисторный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ВК102 Π½Π° Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ устанавливаСтся Π² ΠΊΠ°Π±ΠΈΠ½Π΅ водитСля, Π° Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΊΠ°ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌ двигатСля.

БистСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ заТигания S3 послС замыкания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля S1 транзистор VT3 открываСтся, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π΅Π³ΠΎ Π±Π°Π·Ρ‹ (Π‘) становится Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° эмиттСра (Π­), ΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ L1 ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ I1. Π‘ΠΈΠ»Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ± Ρ€Π°Π²Π½Π° 0,8β€”0,3 А (ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡΡΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ частоты вращСния ΠΊΡƒΠ»Π°Ρ‡ΠΊΠ° Π²Π°Π»ΠΈΠΊΠ° прСрыватСля), Π° сила Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ 7β€”8 А.

Π’ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ размыкания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля транзистор VT3 запираСтся. Π’ΠΎΠΊ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, ΠΈ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ L2 ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания создаСтся высокоС напряТСниС, ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ свСчам заТигания распрСдСлитСлСм S4. Врансформатор Π’2 обСспСчиваСт Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора VT3. ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½Π°Ρ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° L3 этого трансформатора Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ прСрыватСля. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ L4 индуктируСтся Π­Π”Π‘, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора VT3 (ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π΅Π³ΠΎ Π±Π°Π·Ρ‹ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ запирания становится Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° эмиттСра).

РСзистор Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ, ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора. ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ рСзистора (27 Ом) врСмя запирания транзистора составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 30 мкс, Π±Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ 60 мкс.

Для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΏΡ€ΠΈ возрастании Π­Π”Π‘ самоиндукции, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ заТигания (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΡ€ΠΈ отсоСдинСнии ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° высокого напряТСния ΠΎΡ‚ свСчи ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΡ€Ρ‹ΡˆΠΊΠΈ распрСдСлитСля Π²ΠΎ врСмя Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ двигатСля ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ систСмы заТигания Π½Π° искру), Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ стабилитрон VD2. НапряТСниС стабилизации стабилитрона Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΎ вмСстС с напряТСниСм питания Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π»ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимого напряТСния Π½Π° участкС эмиттСр—коллСктор (ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 100 Π’) транзистора VT3.

Π”ΠΈΠΎΠ΄ VD1, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ встрСчно стабилитрону, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ стабилитроном ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ.

ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘2 ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΎΡ‚ случайных пСрСнапряТСний Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ питания схСмы (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π±Π΅Π· Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈ нСисправности рСгулятора напряТСния, ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Π² ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ°Ρ… Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° с массой Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ рСгулятора). ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ скорости запирания транзистора ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ трансформатором Π’2 ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ спада силы Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ достаточна для получСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, поэтому Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторных систСмах заТигания кондСнсатор ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌ прСрыватСля Π½Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ.

ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘1 обСспСчиваСт сниТСниС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ Π² транзисторС VT3 Π² ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

К прСимущСствам ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторной систСмы заТигания относятся ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, энСргии ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ искрового разряда, ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ срока слуТбы ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² прСрыватСля, Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π½Π°Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ свСчСй ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ Π·Π°Π·ΠΎΡ€Π° Π² свСчах, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ систСма ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° ΠΊ Π²ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°Π½ΠΈΡŽ искрового ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΊΠ° свСчи.

ВмСстС с Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎ-транзисторная систСма заТигания Π½Π΅ устраняСт Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… нСдостатков ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… систСм: Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ большой частотС вращСния Π²Π°Π»ΠΈΠΊΠ° прСрыватСля, износа ΠΏΠΎΠ΄ΡƒΡˆΠ΅Ρ‡ΠΊΠΈ Ρ€Ρ‹Ρ‡Π°ΠΆΠΊΠ° ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½Π΅ΠΉ ΠΊΡƒΠ»Π°Ρ‡ΠΊΠ° прСрыватСля, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ систСматичСской ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΈ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π·Π°Π·ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΡƒΠ³Π»Π° Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠ³ΠΎ состояния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². ПослСднСС особСнно Π½Π΅ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ экранировании распрСдСлитСля. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ бСсконтактныС систСмы заТигания, Π³Π΄Π΅ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ осущСствляСтся элСктронным устройством.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *