Автомобильное зарядное устройство зу 75а1 схема
Радиостанции
Радиомодемы
GSM модемы
Антенны
Блоки питания и преобразователи
Информация
(495) 220-95-14
[email protected]
В связи с совершенствованием схемного решения, конструкция и технологии изготовления зарядного устройства предприятие-изготовитель может вносить изменения в схему и конструкцию устройства.
Общие указания
1. Устройство зарядное ЗУ-75А предназначено для зарядки автомобильных кислотных аккумуляторных батарей с номинальным напряжением 12В и емкость от 45 до 90 А*ч.
2. Устройство зарядное работает от сети переменного тока частотой 50 Гц и напряжением 220В.
3. Условия эксплуатации в закрытых проветриваемых помещениях при температуре от минус 10°С до плюс 35°С и относительной влажности до 85%.
4. Зарядное не применяется для перезарядки не перезаряжаемых батарей.
5. Обязательные требования к устройству, направленные на обеспечение безопасности для жизни, здоровья и имущества населения и охрану окружающей среды изложены в разделе 4.
2. Технические данные
2.2 Номинальные постоянный выходной ток (ток заряда) (6±0,5) А
2.3 Номинальная потребляемая мощность ЗУ при максимальном токе заряда 6А, не более 100 Вт.
2.4 Масса ЗУ в комплекте с соединительными проводами, не более 3 кг.
2.5 Габаритные размеры ЗУ 250*180*140мм.
2.6 Срок службы устройства не менее 6 лет.
2.7 Степень защиты от поражения электрическим током II.
2.8 Запрещается эксплуатация устройства при повреждении шнура питания.
3. Комплектность
В комплект поставки входят:
-Зарядное устройство с соединительными проводами 1 шт.
-Зажимы для подключения к аккумуляторной батарее 2 шт.
-Упаковка зарядного устройства 1 шт.
-Руководство пользователя 1 шт.
4. Требования безопасности
4.1 При эксплуатации зарядного устройства необходимо соблюдать требования настоящего руководства.
4.2 Запрещается снимать кожух устройства во время работы.
4.3 Запрещается проводить какой либо ремонт устройства аварийного отключения зарядного устройства.
4.4 Запрещается замыкать или блокировать механическое устройство защитного отключения.
4.5 Во время заряда аккумуляторной батареи выделяются взрывоопасные газы, проветривайте периодически помещение.
4.6 Зарядное устройство располагайте на расстоянии около 1 метра от заряжаемой аккумуляторной батареи.
4.7 Отключайте зарядное устройство от сети питания перед тем, как присоединяете или отключаете заряжаемый аккумулятор.
4.8 Помните, что оставленный без надзора на долгое время заряжаемый аккумулятор, представляет опасность.
5. Устройство изделия
5.1 Устройство состоит из корпуса, к основанию которого крепится трансформатор и остальные детали электрической схемы.
5.2 На передней панели ЗУ расположены: двухпозиционный переключатель зарядного тока и индикатор зарядного тока с пределом показаний от 0 до 10 А.
5.3 На задней стенке расположены: устройство защитного отключения, провода с выходными клеммами «+»- красного цвета, «-» – черного цвета, сетевой шнур питания способ крепления которого Y.
6. Подготовка к работе
6.1 Установите зарядное устройство на расстоянии около 1 метра от заряжаемого аккумулятора.
6.2 Присоедините зажим красного цвета к«+» аккумулятора,зажим черного цвета к«-» аккумулятора.
6.З Установите переключатель тока в положение в соответствии с выбранным значением зарядного тока.
6.4 После выполнения указанных операций и подключения ЗУ к сети переменного тока, оно готово к работе.
*При заряде аккумулятора без снятия его с автомобиля отключите клемму «+» аккумулятора от бортовой сети автомобиля, клемму «-» от «массы» не отключайте. Зажим красного цвета ЗУ соедините с клеммой «+» аккумулятора, второй провод подключите к «массе» автомобиля вдали от двигателя, топливной магистрали и аккумулятора.
7. Порядок работы
7.1 После выполнения операций, изложенных в разделе 6, зарядное устройство подключается к сети питания, и процесс зарядки начался.
7.2 При установке переключателя в положение «4А» ток заряда (контролируемый по амперметру), может находиться в пределах (4±1)А, в зависимости от степени разряженности аккумуляторной батареи.
7.3 При установке переключателя в положение «6А» ток заряда (контролируемый по амперметру), может находиться в пределах (6±1)А, в зависимости от степени разряженности аккумуляторной батареи.
7.4 Не рекомендуется производить заряд и подзарядку аккумуляторной батареи повышенным током (более 10% от емкости аккумулятора).
Придерживайтесь рекомендаций завода-изготовителя.
7.5 Окончание зарядки приближенно определяется по времени (порядка 8 часов) и падению зарядного тока до значений (1-2) А и окончательно – по плотности электролита.
7.6 После завершения зарядки отключите ЗУ от сети питания, отсоедините зажимы от клемм аккумулятора. Прибор готов к хранению.
8. Техническое обслуживание
Необходимо содержать в чистоте подключающие зажимы, так как попадание кислоты вызывает коррозию и нарушение электрического контакта в процессе зарядки аккумуляторной батареи. Рекомендуется смазывать зажимы смазкой типа «Литол», что значительно снижает вероятность коррозии.
9. Правила хранения
9.1 3арядное устройство в упаковке необходимо хранить в закрытых помещениях с температурой от минус 50°С до плюс 50°С, при относительной влажности не более 85%.
9.2 Зарядное устройство без упаковки может храниться в сухих помещениях с температурой от минус 10°С до плюс 50°С, при относительной влажности не более 60%.
10. Возможные неисправности и методы устранения
| Возможная неисправность | Вероятная причина | Метод устранения |
| При включении вилки ЗУ в сеть отсутствует напряжение на выходных клеммах. | Обрыв шнура питания. | Заменить шнур питания. Устраняется квалифицированным лицом или ремонтной мастерской. |
| При включении ЗУ в сеть сработало защитное отключение*. | КЗ аккумулятора, или ток заряда превышает 10 А | -Уменьшить ток заряда до рекомендуемого заводом-изготовителем, -Проверьте полярность подключения ЗУ и аккумулятора. |
*Защитное отключение – при КЗ или неправильном подключении аккумулятора («переполюсовке») через несколько секунд срабатывает биметаллический предохранитель. Для восстановления работоспособности устройства защелкните предохранитель в исходное положение.
11. Гарантии изготовителя
Изготовитель гарантирует нормальную работу устройства в течении 12 месяцев со дня продажи, при соблюдении правил эксплуатации.
При обнаружении производственных дефектов прибора следует обращаться к изготовителю ООО «НПП «ОБОРОНПРИБОР» по адресу: г. Рязань, ул. Военных автомобилистов, 10
В течении гарантийного срока неисправности, не вызванные нарушением правил эксплуатации, устраняются бесплатно.
При отсутствии на гарантийных талонах даты продажи с печатью магазина, срок гарантии исчисляется с даты выпуска прибора.
Замечания и предложения отправлять по адресу изготовителя.
Внимание!
Устройство оснащено защитой от перегрева. При превышении порогового значения температуры в процессе заряда аккумулятора срабатывает защитное отключение. Устройство продолжит работать автоматически после снижения температуры.
Инструкции пользователя зарядных устройств
Зарядное устройство ЗУ-90 Обронприбор
ООО НПП «Оборонприбор» г. Рязань. Руководство по применению
Зарядное устройство Рассвет-2
Руководство по эксплуатации предпускового зарядного устройства Рассвет-2 КМ-228.00.000РЭ
Зарядное устройство Кедр АВТО 4А
Руководство по эксплуатации предпускового зарядного устройства Кедр АВТО 4A
Зарядное устройство ОРИОН
Инструкция автомобильного зарядного устройства Орион 260/265/325
Автомобильное зарядное устройство
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ: Россия, ОАО «Тамбовский завод «Электроприбор».
ОСОБЕННОСТИ: простое зарядное устройство без системы преобразования частоты. Ток заряда падает с момента начала зарядки.
УПРАВЛЕНИЕ ТОКОМ ЗАРЯДА:
ИНДИКАЦИЯ КОНТРОЛЯ ЗАРЯДКИ: стрелочная индикация тока зарядки.
МАКСИМАЛЬНЫЙ ТОК ЗАРЯДА: 8 А.
ГАБАРИТЫ: 230х145х110 мм.
МАССА: 2,1 кг.
ПОТРЕБИТЕЛЬСКИЙ АНАЛИЗ
РЕЗУЛЬТАТЫ ТЕСТА
МАКСИМАЛЬНЫЙ ТОК ЗАРЯДА: >8 А.
МАКСИМАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ: примерно 14,4 В.
ОТКЛОНЕНИЕ: показаний от фактического значения тока заряда менее 10%.
ОБСУЖДЕНИЕ ТЕСТА
Сразу же в глаза бросается очень оригинальный дизайн устройства. Всем своим видом зарядное устройство показывает, что умеет обращаться с аккумуляторами! Предстоит как доказать, так и опровергнуть это утверждение. Принципиально это устройство не отличается от ЗУ-75М и ЗУ-120М-3. Существенно отличается внешний вид устройства. У ЗУ-75 отсутствует система индикации ЭДС батареи.
Что касается защиты от невнимательного пользователя, на этот раз производители подошли добросовестнее в решению этой проблемы. При КЗ, «переполюсовке» или просто при повышении тока заряда больше 10 А вылетает биметаллический предохранитель. Аппарат очень легко вернуть в рабочее состояние, нажав на кнопку-предохранитель. Он вылетает не сразу, а через несколько секунд. При кратковременном КЗ посыплются довольно обильные искры.
РЕЗЮМЕ
ДОСТОИНСТВА: улучшенная система защиты от КЗ и подключения к обратной полярности, оригинальный дизайн.
НЕДОСТАТКИ: большие размеры.
ОБЩАЯ ОЦЕНКА: в этом пункте стоит сделать заключение о перечисленных трех устройствах (ЗУ-75, ЗУ-75М, ЗУ-120М-3). Это трансформаторные устройства, работающие без преобразования частоты. Существенными недостатками являются такие явления, как сильная зависимость тока зарядки от реального напряжения в сети 220 В, не вполне совершенная система защиты от КЗ и «переполюсовки», не всегда опрятный внешний вид. Также эти устройства не умеют контролировать процесс зарядки, то есть нет электронных схем, позволяющих стабилизировать ток или напряжение.
Хотите купить или продать? Воспользуйтесь нашим интернет АУКЦИОНОМ !
Автоаксессуары и дополнительное оборудование, парковочные раддары и видеорегистраторы из первых рук!
1. ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ
Автоматическое зарядное устройство:
– предназначено для зарядки автомобильных свинцово-кислотных аккумуляторных батарей с номинальным напряжением 12 В, емкостью 46 – 75 А/ч. Допускается зарядка аккумуляторных батарей большей емкости, но при этом увеличивается время зарядки;
– обеспечивает зарядку аккумуляторных батарей в автоматическом режиме полностью соответствующему режиму зарядки на автомобиле;
– позволяет заряжать полностью разряженную батарею, не повреждая ее высоким зарядным током;
– может работать от пониженного напряжения сети от 150 В до завышенного 245 В;
– автоматически поддерживает заданный режим зарядки;
– автоматически переходит в режим хранения с компенсацией тока саморазряда;
– исключает перезарядку батареи;
– не боится короткого замыкания в цепи подключения к аккумуляторной батареи;
– защищено от переполюсовки при подключении к аккумуляторной батарее электронным ключом и плавким предохранителем;
– имеет встроенный вентилятор, автоматически поддерживающий температуру внутри прибора;
– имеет прочный алюминиевый корпус, служащий одновременно теплоотводом и исключающий механическое повреждение электронной схемы прибора.
2. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Номинальное напряжение заряжаемых батарей, В…………..12
Зарядный ток, А : средний…………………………………………………… 6
Номинальное напряжение питающей сети, В……………………220
Рабочее напряжение питающей сети, В………………….. 150 – 245
Частота питающей сети, Гц…………………………………………..50 +-0,5
Потребляемый ток, А ………………………………………..не более 0,5А
Зарядное устройство предназначено для эксплуатации внутри помещений при температуре воздуха от -10 0 С до +35 0 С и относительной влажности 80%.
Алгоритм работы зарядного устройства при нормально разряженной батарее.
1. При нормально разряженной батарее (до 10В) устройство зарядное начинает зарядку с тока 6А +-0,5А.
2. При увеличении плотности электролита заряженной батареи зарядный ток начинает снижаться.
3. При достижении напряжения на батарее 14,5 В – 14,8В зарядный ток снижается до 2А +-0,5), при этом загорается индикатор «Готов».
4. Далее аккумуляторная батарея продолжает подзаряжаться напряжением 14.5В до падения зарядного тока до 0 – 0,5А.
5. Далее зарядное устройство переходит в режим поддержания заряда с компенсацией тока саморазряда.
Алгоритм работы зарядного устройства с полностью разряженной аккумуляторной батареей.
1. При заряде полностью разряженной аккумуляторной батареи с целью избежания повреждения аккумуляторной батареи заряд производится небольшим током около 2А. После «оживления» батареи зарядный ток увеличивается до 6А и процесс зарядки продолжается по алгоритму нормально разряженной аккумуляторной батареи (см. описание выше).
3. ТРЕБОВАНИЯ БЕЗОПАСНОСТИ
– Перед использованием зарядного устройства убедитесь в исправности сетевого шнура и соединительных проводов.
– При работе зарядное устройство должно располагаться на твердой ровной поверхности, обеспечивающей циркуляцию воздуха под прибором.
– Не допускается накрывать прибор предметами затрудняющими охлаждение прибора.
ВНИМАНИЕ!
При зарядке аккумуляторов выделяется водород, помещение должно хорошо проветриваться, искры и открытый огонь не допустимы.
При подключении и отключении зажимов зарядного устройства от аккумуляторной батареи устройство должно быть отключено от сети.
Устройство должно использоваться только для зарядки кислотных аккумуляторных батарей напряжением 12В. Зарядка других источников не рекомендуется.
4. ПОДГОТОВКА К РАБОТЕ
– При зарядке аккумуляторной батареи, снятой с автомобиля, соедините зарядное устройство. Соблюдя полярность: провод с красным зажимом к клемме «+», провод с черным зажимом к клемме «-«.
– При зарядке аккумулятора без снятия его с автомобиля отключите клемму «+» от бортовой сети автомобиля, клемму «-« допускается не отключать.
ВНИМАНИЕ!
При всех подготовительных работах зарядное устройство должно быть отключено от сети.
ВНИМАНИЕ!
Соблюдайте полярность подключения зарядного устройства к аккумуляторной батарее. Несоблюдение полярности подключения приводит к срабатыванию электронной системы защиты, при этом загорается индикатор «Ошибка +/-». Для восстановления работы зарядного устройства необходимо поменять местами клеммы на аккумуляторной батарее. Индикатор «Ошибка +/-» погаснет.
При подключении прибора к не полностью разряженной аккумуляторной батарее может загореться индикатор «готов». При подключении к сети индикатор «готов» погаснет, загорится индикатор «заряд».
5.ЗАРЯДКА АККУМУЛЯТОРНОЙ БАТАРЕИ
Подключите зарядное устройство к сети. При этом загорится индикатор «сеть» и «заряд».
Проконтролируйте зарядный ток по амперметру. Зарядный ток не должен превышать 6 – 7А.
При полностью разряженной батарее начальный зарядный ток составляет 2 – 3 А. Если в течение 30 – 60 мин., в зависимости от емкости аккумулятора и степени разряженности, зарядный ток не возрастет до 6 А, это свидетельствует о неисправности аккумуляторной батареи. После этого необходимо прекратить заряд аккумуляторной батареи и выяснить причины неисправности.
При случайных замыканиях зажимов проводов зарядного устройства ток упадет до
2 А, и начнут мигать индикаторы «заряд» и «сеть». Необходимо срочно устранить причины замыкания.
Окончание зарядки аккумуляторной батареи определяется по загоранию индикатора «готов», при этом допускается мигание индикаторов «сеть» и «заряд». Напряжение на батарее при этом соответствует 13,5 В.
При этом допускается продолжение зарядки до падения зарядного тока до 0,5 – 0 А, что свидетельствует о зарядке батареи до 14.5 В.
Далее зарядное устройство переходит в режим компенсации саморазряда батареи и поддерживает напряжение на батарее 14.5 В.
Проконтролируйте плотность заряда аккумуляторной батареи ареометром согласно рекомендациям фирмы изготовителя аккумуляторной батареи.
Закончив зарядку, отключите питание зарядного устройства от сети и только после этого отключите зажимы с клемм аккумуляторной батареи.
6.ПРОВЕРКА РАБОТОСПОСОБНОСТИ ЗАРЯДНОГО УСТРОЙСТВА
При продаже и в процессе эксплуатации работоспособность зарядного устройства можно проверить с помощью автомобильной лампочки 12 В, мощностью от 10 – 50 Вт, подключив ее к зажимам зарядного устройства и включив зарядное устройство в сеть. Лампочка должна гореть полным накалом.
7. ПРАВИЛА ХРАНЕНИЯ.
Зарядное устройство в упаковке может храниться при температуре воздуха от – 40 0 С до + 45 0 С и относительной влажности не более 80%.
При хранении зарядного устройства у потребителя рекомендуется предохранять его от влаги и попадания пыли, прикрыв чехлом или уложив в коробку.
8. СВИДЕТЕЛЬСТВО О ПРИЕМКЕ
Зарядное устройство ИМПУЛЬС 75А соответствует ТАПЭ.4351111001.ТУ и признано годным для эксплуатации.
Дата выпуска ____________________
9. ГАРАНТИЙНЫЕ ОБЯЗАТЕЛЬСТВА
Изготовитель гарантирует соответствие зарядного устройства требованиям Технических условий при соблюдении потребителем правил руководства по эксплуатации.
Гарантийный срок эксплуатации 12 месяцев со дня продажи через торговую сеть. В течение гарантийного срока изготовитель безвозмездно проводит ремонт и обслуживание устройства.
В случае нарушения потребителем условий эксплуатации устройства изготовитель рекламации не принимает.
Зарядные устройства » Автосхемы, схемы для авто, своими руками
Неоднократно мы с вами беседовали о всевозможных зарядных устройствах для автомобильного аккумуляторам на импульсной основе, сегодня тоже не исключение. А рассмотрим мы конструкцию ИИП, который может иметь выходную мощность 350-600 ватт,но и это не предел, поскольку мощность при желании можно поднять до 1300-1500 ватт, следовательно, на такой основе можно соорудить пуско-зарядное устройство, ведь при напряжении 12-14 Вольт с блока 1500 ватт можно снять до 120 Ампер тока! ну разумеется
Конструкция привлекла мое внимание еще месяц назад, когда на одном из сайтов на глаза попалась статейка. Схема регулятора мощности показалось довольно простой, поэтому решил использовать эту схему для своей конструкции, которая особа проста и не требует никакой наладки. Схема предназначена для зарядки мощных кислотных аккумуляторов с емкостью 40-100А/ч, реализована по импульсной основе. Основной, силовой частью нашего зарядного устройства является сетевой импульсный блок питания с мощностью 105
Совсем недавно решил изготовить несколько зарядных устройств для автомобильного аккумуляторы, который собирался продавать на местном рынке. В наличии имелись довольно красивые промышленные корпуса, стоило лишь изготовить хорошую начинку и все дела. Но тут столкнулся с рядами проблем, начиная от блока питания, заканчивая узлом управления выходного напряжения. Пошел и купил старый добрый электронный трансформатор типа ташибра (китайский бренд) на 105 ватт и начал переделку.
Довольно простое зарядное устройство автоматического типа можно реализовать на микросхеме LM317, которая из себя представляет линейный стабилизатор напряжения с регулируемым выходным напряжением. Микросхема может также работать в качестве стабилизатора тока.
Качественное зарядное устройство для авто аккумулятора, на рынке можно приобрести за 50$, а сегодня расскажу самый простой способ изготовления такого зарядного устройства с минимальными расходами денежных средств, оно простое и изготовить сможет даже начинающий радиолюбитель.
Конструкцию простейшего зарядного устройства для автомобильных аккумуляторов можно реализовать за пол часа с минимальными затратами, ниже будет описан процесс сборки такого зарядного устройства.
В статье рассмотрено простое по схемному решению зарядное устройство (ЗУ) для аккумуляторов различного класса, предназначенных для питания электрических сетей автомобилей, мотоциклов, фонарей и т.д. ЗУ простое в эксплуатации, не требует корректировок в процессе заряда аккумулятора, не боится коротких замыканий, несложно и дешево в изготовлении.
Недавно в интернете попалась схема мощного зарядного устройство для автомобильных аккумуляторов с током до 20А. На самом деле это мощный регулируемый блок питания собранный всего на двух транзисторах. Основное достоинство схемы — минимальное количество используемых компонентов, но сами компоненты довольно недешевые, речь идет о транзисторах.
Естественно у каждого в машине есть зарядки в прикуриватель для всякого рода девайсов навигатор, телефон и т.д. Прикуриватель естественно не без размерный и тем более он один (вернее гнездо прикуривателя), а если еще и человек курящий то сам прикуриватель надо вынуть куда то положить, а если уж надо что-то подключить в зарядку то тогда использование прикуривателя по прямому назначению просто невозможно, можно решить подключение всякого рода тройников с гнездом как прикуриватель, но это как то
Недавно в голову пришла идея собрать автомобильное зарядное устройство на базе дешевых китайских БП с ценой 5-10$. В магазинах электроники сейчас можно найти такие блоки, которые предназначены для запитки светодиодных лент. Поскольку такие ленты питаются от 12 Вольт, следовательно выходное напряжение блока питания тоже в пределах 12Вольт
Представляю конструкцию несложного DC-DC преобразователя, который позволит вам зарядить мобильный телефон, планшетный компьютер или любое другое портативное устройство от автомобильной бортовой сети 12 Вольт. Сердцем схемы является специализированная микросхема 34063api разработанная специально для таких целей.
После статьи зарядного устройство из электронного трансформатора на мой электронный адрес поступило много писем, с просьбой пояснить и рассказать — как умощнить схему электронного трансформатора, и чтобы не писать каждому пользователю отдельно, решил напечатать эту статью, где я расскажу о тех основных узлах, которые нужно будет переделать для увеличения выходной мощности электронного трансформатора.
Мне пришлось совсем недавно самостоятельно соорудить зарядное устройство для автомобильного аккумулятора с током 3 – 4 ампер. Конечно мудрить, что то не желания, не времени не было и в первую очередь вспомнилась мне схема стабилизатора зарядного тока. По этой схеме очень просто и надежно сделать зарядное устройство.
Очень часто возникает проблема с зарядкой автомобильного аккумулятора, при этом зарядное устройство под рукой не имеется, как же быть в этом случае ? Сегодня я решил напечатать эту статью, где намерен пояснить все известные способы зарядки автомобильного аккумулятора, интересно правда ?
Довольно простой и качественный импульсный источник питания можно собрать с применением микросхемы IR2153. Микросхема из себя представляет самотактируемый полумостовой драйвер, которая довольно часто используется в промышленных балластах для лам дневного освящения.
Конструкция зарядного устройства от шуруповёрта.
Схема, устройство, ремонт
Без сомнений, электроинструмент значительно облегчает наш труд, а также сокращает время рутинных операций. В ходу сейчас и всевозможные шуруповёрты с автономным питанием.
Рассмотрим устройство, принципиальную схему и ремонт зарядного устройства для аккумуляторов от шуруповёрта фирмы «Интерскол».
Для начала взглянем на принципиальную схему. Она срисована с реальной печатной платы зарядного устройства.
Печатная плата зарядного устройства (CDQ-F06K1).
Силовая часть зарядного устройства состоит из силового трансформатора GS-1415. Мощность его около 25-26 Ватт. Считал по упрощённой формуле, о которой уже говорил здесь.
Пониженное переменное напряжение 18V со вторичной обмотки трансформатора поступает на диодный мост через плавкий предохранитель FU1. Диодный мост состоит из 4 диодов VD1-VD4 типа 1N5408. Каждый из диодов 1N5408 выдерживает прямой ток 3 ампера. Электролитический конденсатор C1 сглаживает пульсации напряжения после диодного моста.
Основа схемы управления – микросхема HCF4060BE, которая является 14-разрядным счётчиком с элементами для задающего генератора. Она управляет биполярным транзистором структуры p-n-p S9012. Транзистор нагружен на электромагнитное реле S3-12A. На микросхеме U1 реализован своеобразный таймер, который включает реле на заданное время заряда – около 60 минут.
При включении зарядника в сеть и подключении аккумулятора контакты реле JDQK1 разомкнуты.
Микросхема HCF4060BE запитывается от стабилитрона VD6 – 1N4742A (12V). Стабилитрон ограничивает напряжение с сетевого выпрямителя до уровня 12 вольт, так как на его выходе около 24 вольт.
Если взглянуть на схему, то не трудно заметить, что до нажатия кнопки «Пуск» микросхема U1 HCF4060BE обесточена – отключена от источника питания. При нажатии кнопки «Пуск» напряжение питания от выпрямителя поступает на стабилитрон 1N4742A через резистор R6.
Далее пониженное и стабилизированное напряжение поступает на 16 вывод микросхемы U1. Микросхема начинает работать, а также открывается транзистор S9012, которым она управляет.
Напряжение питания через открытый транзистор S9012 поступает на обмотку электромагнитного реле JDQK1. Контакты реле замыкаются, и на аккумулятор поступает напряжение питания. Начинается заряд аккумулятора. Диод VD8 (1N4007) шунтирует реле и защищает транзистор S9012 от скачка обратного напряжения, которое образуется при обесточивании обмотки реле.
Диод VD5 (1N5408) защищает аккумулятор от разряда, если вдруг будет отключено сетевое питание.
Что будет после того, когда контакты кнопки «Пуск» разомкнутся? По схеме видно, что при замкнутых контактах электромагнитного реле плюсовое напряжение через диод VD7 (1N4007) поступает на стабилитрон VD6 через гасящий резистор R6. В результате микросхема U1 остаётся подключенной к источнику питания даже после того, как контакты кнопки будут разомкнуты.
Сменный аккумулятор.
Сменный аккумулятор GB1 представляет собой блок, в котором последовательно соединено 12 никель-кадмиевых (Ni-Cd) элементов, каждый по 1,2 вольта.
На принципиальной схеме элементы сменного аккумулятора обведены пунктирной линией.
Суммарное напряжение такого составного аккумулятора составляет 14,4 вольт.
Также в блок аккумуляторов встроен датчик температуры. На схеме он обозначен как SA1. По принципу действия он похож на термовыключатели серии KSD. Маркировка термовыключателя JJD-45 2A. Конструктивно он закреплён на одном из Ni-Cd элементов и плотно прилегает к нему.
Один из выводов термодатчика соединён с минусовым выводом аккумуляторной батареи. Второй вывод подключен к отдельному, третьему разъёму.
Алгоритм работы схемы довольно прост.
При включении в сеть 220V зарядное устройство ни как не проявляет свою работу. Индикаторы (зелёный и красный светодиоды) не светятся. При подключении сменного аккумулятора загорается зелёный светодиод, который свидетельствует о том, что зарядник готов к работе.
При нажатии кнопки «Пуск» электромагнитное реле замыкает свои контакты, и аккумулятор подключается к выходу сетевого выпрямителя, начинается процесс заряда аккумулятора. Загорается красный светодиод, а зелёный гаснет. По истечении 50 – 60 минут, реле размыкает цепь заряда аккумулятора. Загорается светодиод зелёного цвета, а красный гаснет. Зарядка завершена.
После зарядки напряжение на клеммах аккумулятора может достигать 16,8 вольт.
Такой алгоритм работы примитивен и со временем приводит к так называемому «эффекту памяти» у аккумулятора. То есть ёмкость аккумулятора снижается.
Если следовать правильному алгоритму заряда аккумулятора для начала каждый из его элементов нужно разрядить до 1 вольта. Т.е. блок из 12 аккумуляторов нужно разрядить до 12 вольт. В заряднике для шуруповёрта такой режим не реализован.
Вот зарядная характеристика одного Ni-Cd аккумуляторного элемента на 1,2V.
На графике показано, как во время заряда меняется температура элемента (temperature), напряжение на его выводах (voltage) и относительное давление (relative pressure).
Специализированные контроллеры заряда для Ni-Cd и Ni-MH аккумуляторов, как правило, работают по так называемому методу дельта -ΔV. На рисунке видно, что в конце зарядки элемента происходить уменьшение напряжения на небольшую величину – порядка 10mV (для Ni-Cd) и 4mV (для Ni-MH). По этому изменению напряжения контроллер и определяет, зарядился ли элемент.
Так же во время зарядки происходит контроль температуры элемента с помощью термодатчика. Тут же на графике видно, что температура зарядившегося элемента составляет около 450С.
Вернёмся к схеме зарядного устройства от шуруповёрта. Теперь понятно, что термовыключатель JDD-45 отслеживает температуру аккумуляторного блока и разрывает цепь заряда, когда температура достигнет где-то 450С. Иногда такое происходит раньше того, как сработает таймер на микросхеме HCF4060BE. Такое происходит, когда емкость аккумулятора снизилась из-за «эффекта памяти». При этом полная зарядка такого аккумулятора происходит чуть быстрее, чем за 60 минут.
Как видим из схемотехники, алгоритм заряда не самый оптимальный и со временем приводит к потере электроёмкости аккумулятора. Поэтому для зарядки аккумулятора можно воспользоваться универсальным зарядным устройством, например, таким, как Turnigy Accucell 6.
Возможные неполадки зарядного устройства.
Со временем из-за износа и влажности кнопка SK1 «Пуск» начинает плохо срабатывать, а иногда и вообще отказывает. Понятно, что при неисправности кнопки SK1 мы не сможем подать питание на микросхему U1 и запустить таймер.
Также может иметь место выход из строя стабилитрона VD6 (1N4742A) и микросхемы U1 (HCF4060BE). В таком случае при нажатии кнопки включение зарядки не происходит, индикация отсутствует.
В моей практике был случай, когда стабилитрон пробило, мультиметром он «звонился» как кусок провода. После его замены зарядка стала исправно работать. Для замены подойдёт любой стабилитрон на напряжение стабилизации 12V и мощностью 1 Ватт. Проверить стабилитрон на «пробой» можно также, как и обычный диод. О проверке диодов я уже рассказывал.
После ремонта нужно проверить работу устройства. Нажатием кнопки запускаем зарядку АКБ. Приблизительно через час зарядное устройство должно отключиться (засветится индикатор «Сеть» (зелёный). Вынимаем АКБ и делаем «контрольный» замер напряжения на её клеммах. АКБ должна быть заряженной.
Если же элементы печатной платы исправны и не вызывают подозрения, а включения режима заряда не происходит, то следует проверить термовыключатель SA1 (JDD-45 2A) в аккумуляторном блоке.
Схема достаточно примитивна и не вызывает проблем при диагностике неисправности и ремонте даже у начинающих радиолюбителей.
Главная » Мастерская » Текущая страница
Также Вам будет интересно узнать:
Зарядные устройства
Доброе время суток. Сегодня речь пойдет об ЗУ для АКБ. ( автоматическом зарядном устройстве для свинцово-кислотных аккумуляторных батарей) После поездки по городу на своей машине, я поставил ее в гараж и забыл выключить подфарники, и только на третье сутки когда нужно было срочно ехать по делам, я обратил внимание что аккумулятор полностью мертв. И тогда задумался об ЗУ, и тут наткнулся на данную схему. Первоисточник и автор схемы указан в низу статьи.
В этой статье речь пойдет о том, как из компьютерного блока питания формата АТ/АТХ и самодельного блока управления изготовить довольно-таки «умное» зарядное устройство для свинцово-кислотных аккумуляторных батарей. К ним относятся т.н. «УПС-овые», автомобильные и другие АКБ широкого применения.
Описание
Устройство предназначено для зарядки и тренировки (десульфатации) свинцово-кислотных АКБ ёмкостью от 7 до 100 Ач, а также для приблизительной оценки уровня их заряда и емкости. ЗУ имеет защиту от неправильного включения батареи (переполюсовки) и от короткого замыкания случайно брошенных клемм. В нём применено микроконтроллерное управление, благодаря чему осуществляются безопасные и оптимальные алгоритмы зарядки: IUoU или IUIoU, с последующей «добивкой» до 100%-го уровня зарядки. Параметры зарядки можно подстроить под конкретный аккумулятор (настраиваемые профили) или выбрать уже заложенные в управляющей программе. Конструктивно зарядное устройство состоит из блока питания АТ/АТХ, который нужно немного доработать и блока управления на МК ATmega16A.
Всё устройство свободно монтируется в корпусе того же блока питания. Система охлаждения (штатный кулер БП) включается/отключается автоматически.
Достоинства данного ЗУ — его относительная простота и отсутствие трудоёмких регулировок, что особенно актуально для начинающих радиолюбителей.
1. Режим зарядки — меню «Заряд». Для аккумуляторов емкостью от 7Ач до 12Ач по умолчанию задан алгоритм IUoU. Это значит:
— первый этап- зарядка стабильным током 0.1С до достижения напряжения14.6В
— второй этап-зарядка стабильным напряжением 14.6В, пока ток не упадет до 0,02С
— третий этап-поддержание стабильного напряжения 13.8В, пока ток не упадет до 0.01С. Здесь С — ёмкость батареи в Ач.
— четвёртый этап — «добивка». На этом этапе отслеживается напряжение на АКБ. Если оно падает ниже 12.7В, включается заряд с самого начала.
Для стартерных АКБ (от 45 Ач и выше) применяем алгоритм IUIoU. Вместо третьего этапа включается стабилизация тока на уровне 0.02C до достижения напряжения на АКБ 16В или по прошествии времени около 2-х часов. По окончанию этого этапа зарядка прекращается и начинается «добивка». Это — четвёртый этап. Процесс заряда проиллюстрирован графиками рис.1 и рис.2.
2. Режим тренировки (десульфатации) — меню «Тренировка». Здесь осуществляется тренировочный цикл:
10 секунд — разряд током 0,01С, 5 секунд — заряд током 0.1С. Зарядно-разрядный цикл продолжается, пока напряжение на АКБ не поднимется до 14.6В. Далее — обычный заряд.
3. Режим теста батареи. Позволяет приблизительно оценить степень разряда АКБ. Батарея нагружается током 0,01С на 15 секунд, затем включается режим измерения напряжения на АКБ.
4. Контрольно-тренировочный цикл (КТЦ). Если предварительно подключить дополнительную нагрузку и включить режим «Заряд» или «Тренировка», то в этом случае, сначала будет выполнена разрядка АКБ до напряжения 10.8В, а затем включится соответствующий выбранный режим. При этом измеряются ток и время разряда, таким образом, подсчитывается примерная емкость АКБ. Эти параметры отображаются на дисплее после окончания зарядки (когда появится надпись «Батарея заряжена») при нажатии на кнопку «выбор». В качестве дополнительной нагрузки можно применить автомобильную лампу накаливания. Ее мощность выбирается, исходя из требуемого тока разряда. Обычно его задают равным 0.1С — 0.05С (ток 10-ти или 20-ти часового разряда).
Перемещение по меню осуществляется кнопками «влево», «вправо», «выбор». Кнопкой «ресет» осуществляется выход из любого режима работы ЗУ в главное меню.
Основные параметры зарядных алгоритмов можно настроить под конкретный аккумулятор, для этого в меню есть два настраиваемых профиля — П1 и П2. Настроенные параметры сохраняются в энергонезависимой памяти (EEPROM-е).
Чтобы попасть в меню настроек нужно выбрать любой из профилей, нажать кнопку «выбор», выбрать «установки», «параметры профиля», профиль П1 или П2. Выбрав нужный параметр, нажимаем «выбор». Стрелки «влево» или «вправо» сменятся на стрелки «вверх» или «вниз», что означает готовность параметра к изменению. Выбираем нужное значение кнопками «влево» или «вправо», подтверждаем кнопкой «выбор». На дисплее появится надпись «Сохранено», что обозначает запись значения в EEPROM.
Значения настроек:
1. «Алгоритм заряда». Выбирается IUoU или IUIoU. См. графики на рис.1 и рис.2.
2. «Емкость АКБ». Задавая значение этого параметра, мы задаем ток зарядки на первом этапе I=0.1C, где С- емкость АКБ В Ач. (Таким образом, если нужно задать ток заряда, например 4.5А, следует выбрать емкость АКБ 45Ач).
3. «Напряжение U1». Это напряжение, при котором заканчивается первый этап зарядки и начинается второй. По умолчанию задано значение 14.6В.
4. «Напряжение U2». Используется только, если задан алгоритм IUIoU. Это напряжение, при котором заканчивается третий этап зарядки. По умолчанию — 16В.
5. «Ток 2-го этапа I2». Это значение тока, при котором заканчивается второй этап зарядки. Ток стабилизации на третьем этапе для алгоритма IUIoU. По умолчанию задано значение 0.2С.
6. «Окончание заряда I3». Это значение тока, по достижению которого зарядка считается оконченной. По умолчанию задано значение 0.01С.
7. «Ток разряда». Это значение тока, которым осуществляется разряд АКБ при тренировке зарядно-разрядными циклами.
Выбор и переделка блока питания.
В нашей конструкции мы используем блок питания от компьютера. Почему? Причин несколько. Во–первых, это — практически готовая силовая часть. Во-вторых, это же и корпус нашего будущего устройства. В-третьих, он имеет малые габариты и вес. И, в-четвёртых, его можно приобрести практически на любом радиорынке, барахолке и в компьютерных сервисных центрах. Как говорится, дёшево и сердито.
Из всего многообразия моделей блоков питания нам лучше всего подходит блок формата АТX, мощностью не менее 250 Вт. Нужно только учесть следующее. Подходят лишь те блоки питания, в которых применён ШИМ-контроллер TL494 или его аналоги (MB3759, КА7500, КР1114ЕУ4). Можно также применить и БП формата AT, только придется изготовить еще маломощный блок дежурного питания (дежурку) на напряжение 12В и ток 150-200мА. Разница между AT и ATX – в схеме начального запуска. АТ запускается самостоятельно, питание микросхемы ШИМ–контроллера берётся с 12-вольтовой обмотки трансформатора. В ATX для начального питания микросхемы служит отдельный источник 5В, называемый «источник дежурного питания» или «дежурка».
Итак, блок питания имеется. Сначала необходимо его проверить на исправность. Для этого его разбираем, вынимаем предохранитель и вместо него подпаиваем лампу накаливания 220 вольт мощностью 100-200Вт. Если на задней панели БП имеется переключатель сетевого напряжения, то он должен быть установлен на 220В. Включаем БП в сеть. Блок питания АТ запускается сразу, для ATX нужно замкнуть зелёный и чёрный провода на большом разъёме. Если лампочка не светится, кулер вращается, а все выходные напряжения в норме — значит, нам повезло и наш блок питания рабочий. В противном случае, придётся заняться его ремонтом. Оставляем лампочку пока на месте.
Для переделки БП в наше будущее зарядное устройство, нам потребуется немного изменить «обвязку» ШИМ-контроллера. Несмотря на огромное разнообразие схем блоков питания, схема включения TL494 стандартная и может иметь пару вариаций, в зависимости от того, как реализованы защиты по току и ограничения по напряжению. Схема переделки показана на рис.3.
На ней показан только один канал выходного напряжения: +12В. Остальные каналы: +5В,-5В, +3,3В не используются. Их обязательно нужно отключить, перерезав соответствующие дорожки или выпаяв из их цепей элементы. Которые, кстати, нам могут и пригодиться для блока управления. Об этом — чуть позже.
Красным цветом обозначены элементы, которые устанавливаются дополнительно. Конденсатор С2 должен иметь рабочее напряжение не ниже 35В и устанавливается взамен существующего в БП. После того, как «обвязка» TL494 приведена к схеме на рис.3, включаем БП в сеть. Напряжение на выходе БП определяется по формуле: Uвых=2,5*(1+R3/R4) и при указанных на схеме номиналах должно составлять около 10В. Если это не так, придется проверить правильность монтажа. На этом переделка закончена, можно убирать лампочку и ставить на место предохранитель.
Схема и принцип работы.
Схема блока управления показана на рис.4.
Она довольно проста, так как все основные процессы выполняет микроконтроллер. В его память записывается управляющая программа, в которой и заложены все алгоритмы. Управление блоком питания осуществляется с помощью ШИМ с вывода PD7 МК и простейшего ЦАП на элементах R4,C9,R7,C11. Измерение напряжения АКБ и зарядного тока осуществляется средствами самого микроконтроллера — встроенным АЦП и управляемым дифференциальным усилителем. Напряжение АКБ на вход АЦП подается с делителя R10R11, Зарядный и разрядный ток измеряются следующим образом. Падение напряжения с измерительного резистора R8 через делители R5R6R10R11 подается на усилительный каскад, который находится внутри МК и подключен к выводам PA2, PA3. Коэффициент его усиления устанавливается программно, в зависимости от измеряемого тока. Для токов меньше 1А коэффициент усиления (КУ) задается равным 200, для токов выше 1А КУ=10. Вся информация выводится на ЖКИ, подключенный к портам РВ1-РВ7 по четырёхпроводной шине.
Защита от переполюсовки выполнена на транзисторе Т1, сигнализация неправильного подключения — на элементах VD1,EP1 ,R13. При включении зарядного устройства в сеть транзистор Т1 закрыт низким уровнем с порта РС5, и АКБ отключена от зарядного устройства. Подключается она только при выборе в меню типа АКБ и режима работы ЗУ. Этим обеспечивается также отсутствие искрения при подключении батареи. При попытке подключить аккумулятор в неправильной полярности сработает зуммер ЕР1 и красный светодиод VD1, сигнализируя о возможной аварии. В процессе заряда постоянно контролируется зарядный ток. Если он станет равным нулю (сняли клеммы с АКБ), устройство автоматически переходит в главное меню, останавливая заряд и отключая батарею. Транзистор Т2 и резистор R12 образуют разрядную цепь, которая участвует в зарядно-разрядном цикле десульфатирующего заряда (режим тренировки) и в режиме теста АКБ. Ток разряда 0.01С задается с помощью ШИМ с порта PD5. Кулер автоматически выключается, когда ток заряда падает ниже 1,8А. Управляет кулером порт PD4 и транзистор VT1.
Детали и конструкция.
Микроконтроллер. В продаже обычно встречаются в корпусе DIP-40 или TQFP-44 и маркируются так: ATMega16А-PU или ATMega16A-AU. Буква после дефиса обозначает тип корпуса: «P»- корпус DIP, «A»- корпус TQFP. Встречаются также и снятые с производства микроконтроллеры ATMega16-16PU, ATMega16-16AU или ATMega16L-8AU. В них цифра после дефиса обозначает максимальную тактовую частоту контроллера. Фирма- производитель ATMEL рекомендует использовать контроллеры ATMega16A (именно с буквой «А») и в корпусе TQFP, то есть, вот такие: ATMega16A-AU, хотя в нашем устройстве будут работать все вышеперечисленные экземпляры, что и подтвердила практика. Типы корпусов отличаются также и количеством выводов (40 или 44) и их назначением. На рис.4 изображена принципиальная схема блока управления для МК в корпусе DIP.
Резистор R8 –керамический или проволочный, мощностью не менее 10 Вт, R12- 7-10Вт. Все остальные- 0.125Вт. Резисторы R5,R6,R10 и R11 нужно применять с допустимым отклонением 0.1-0.5%. Это очень важно! От этого будет зависеть точность измерений и, следовательно, правильная работа всего устройства.
Транзисторы T1 и Т2 желательно применять такие, как указаны на схеме. Но если придется подбирать замену, то необходимо учитывать, что они должны открываться напряжением на затворе 5В и, конечно же, должны выдерживать ток не ниже 10А. Подойдут, например, транзисторы с маркировкой 40N03GР, которые иногда используются в тех же БП формата АТХ, в цепи стабилизации 3.3В.
Диод Шоттки D2 можно взять из того же БП, из цепи +5В, которая у нас не используется. Элементы D2, Т1 иТ2 через изолирующие прокладки от радиатора размещаются на одном радиаторе площадью 40 квадратных сантиметров. Зумер EP1- со встроенным генератором, на напряжение 8-12 В, громкость звучания можно подрегулировать резистором R13.
Жидкокристаллический индикатор – Wh2602 или аналогичный, на контроллере HD44780, KS0066 или совместимых с ними. К сожалению, эти индикаторы могут иметь разное расположение выводов, так что, возможно, придется разрабатывать печатную плату под свой экземпляр.
Программа
Управляющая программа содержится в папке «Программа» Конфигурационные биты (фузы) устанавливаются следующие:
Запрограммированы (установлены в 0 это значит там нужно поставить галочки):
CKSEL0
CKSEL1
CKSEL3
SPIEN
SUT0
BODEN
BODLEVEL
BOOTSZ0
BOOTSZ1
все остальные — незапрограммированы (установлены в 1).
Наладка.
Итак, блок питания переделан и выдает напряжение около 10В. При подключении к нему исправного блока управления с прошитым МК, напряжение должно упасть до 0.8..15В. Резистором R1 устанавливается контрастность индикатора. Наладка устройства заключается в проверке и калибровке измерительной части. Подключаем к клеммам аккумулятор, либо блок питания напряжением 12-15В и вольтметр. Заходим в меню «Калибровка». Сверяем показания напряжения на индикаторе с показаниями вольтметра, при необходимости, корректируем кнопками «<» и «>». Нажимаем «Выбор». Далее идет калибровка по току при КУ=10. Теми же кнопками «<» и «>» нужно выставить нулевые показания тока. Нагрузка (аккумулятор) при этом автоматически отключается, так что ток заряда отсутствует. В идеальном случае там должны быть нули или очень близкие к нулю значения. Если это так, это говорит о точности резисторов R5,R6,R10,R11,R8 и хорошем качестве дифференциального усилителя. Нажимаем «Выбор». Аналогично — калибровка для КУ=200. «Выбор». На дисплее отобразится «Готово» и через 3 сек. устройство перейдет в главное меню.
Калибровка окончена. Поправочные коэффициенты хранятся в энергонезависимой памяти. Здесь стоит отметить, что если при самой первой калибровке значение напряжения на ЖКИ сильно отличается от показаний вольтметра, а токи при каком — либо КУ сильно отличаются от нуля, нужно применить (подобрать) другие резисторы делителя R5,R6,R10,R11,R8, иначе в работе устройства возможны сбои. При точных резисторах (с допуском 0,1-0,5%) поправочные коэффициенты равны нулю или минимальны. На этом наладка заканчивается. Если же напряжение или ток зарядного устройства на каком-то этапе не возрастает до положенного уровня или устройство «выскакивает» в меню, нужно ещё раз внимательно проверить правильность доработки блока питания. Возможно, срабатывает защита.
Весь материал одним архивом можно скачать здесь1.87 MB
А вот Фото что получилось у меня.
Вместо лампочки которая стоит в качестве нагрузки можно пременить не сложную схему электроной нагрузки которая отлично работает!
Автор данной разработки: Sergey212
Печатная плата в lay
Обсудить на форуме.
Источник: http://electronics-lab.ru
Схема автомат зу
Автоматическое зарядное устройство 12 В
Это очень простая схема приставки к вашему уже имеющемуся зарядному устройству. Которая будет контролировать напряжение заряда аккумуляторной батареи и при достижении выставленного уровня — отключать его от зарядника, тем самым предотвращая перезарядку аккумулятора.Это устройство не имеет абсолютно никаких дефицитных деталей. Вся схема построена всего на одном транзисторе. Имеет светодиодные индикаторы, отображающие состояние: идет зарядка или батарея заряжена.
Кому пригодятся это устройство?
Такое устройство обязательно пригодится автомобилистам. Тем у кого есть не автоматическое зарядное устройство. Это приспособление сделает из вашего обычного зарядного устройства — полностью автоматический зарядник. Вам больше не придется постоянного контролировать зарядку вашей батареи. Все что нужно будет сделать, это поставить аккумулятор заряжаться, а его отключение произойдет автоматически, только после полной зарядки.
Схема автоматического зарядного устройства
Вот собственно и сама схема автомата. Фактически это пороговое реле, которое срабатывает при превышении определенного напряжения. Порог срабатывания устанавливается переменным резистором R2. Для полностью заряженного автомобильного аккумулятора он обычно равен — 14,4 В.
Схему можете скачать здесь — http://www.mediafire.com/file/0ldtxs4ma6mt2q2/12V-Auto-Cut-Off-Charger_circuit_By_hawkar_Fariq.pdf Источник: https://sdelaysam-svoimirukami.ru/?do=lastcomments
Печатная плата
Как делать печатную плату, решать Вам. Она не сложная и поэтому ее запросто можно накидать на макетной плате. Ну или можно заморочиться и сделать на текстолите с травлением.
Настройка
Если все детали исправные настройка автомата сводиться только к выставлению порогового напряжения резистором R2. Для этого подключаем схему к зарядному устройству, но аккумулятор пока не подключаем. Переводим резистор R2 в крайнее нижнее положение по схеме. Устанавливаем выходное напряжение на заряднике 14,4 В. Затем медленно вращаем переменный резистор до тех пор, пока не сработает реле. Все настроено.
Поиграемся с напряжением, чтобы убедиться что приставка надежно срабатывает при 14,4 В. После этого ваш автоматический зарядник готов к работе.
Смотрите видео работы зарядного устройства
В этом видео вы можете подробно посмотреть процесс всей сборки, регулировки и испытания в работе.
Original article in English
sdelaysam-svoimirukami.ru
| Автоматическое зарядное устройство предназначено для зарядки и десульфатации 12-ти вольтовых АКБ ёмкостью от 5 до 100 Ач и оценки уровня их заряда. Зарядное имеет защиту от переполюсовки и от короткого замыкания клемм. В нём применено микроконтроллерное управление, благодаря чему осуществляются безопасные и оптимальные алгоритмы зарядки: IUoU или IUIoU, с последующей дозарядкой до полного уровня зарядки. Параметры зарядки можно подстроить под конкретный аккумулятор вручную или выбрать уже заложенные в управляющей программе. Основные режимы работы устройства для заложенных в программу предустановок. >> — первый этап — зарядка стабильным током 0.1С до достижения напряжения14.6В — второй этап -зарядка стабильным напряжением 14.6В, пока ток не упадет до 0,02С — третий этап — поддержание стабильного напряжения 13.8В, пока ток не упадет до 0.01С. Здесь С — ёмкость батареи в Ач. — четвёртый этап — дозарядка. На этом этапе отслеживается напряжение на АКБ. Если оно падает ниже 12.7В, включается заряд с самого начала. Для стартерных АКБ применяем алгоритм IUIoU. Вместо третьего этапа включается стабилизация тока на уровне 0.02C до достижения напряжения на АКБ 16В или по прошествии времени около 2-х часов. По окончанию этого этапа зарядка прекращается и начинается дозарядка. >> Режим десульфатации — меню «Тренировка». Здесь осуществляется тренировочный цикл: 10 секунд — разряд током 0,01С, 5 секунд — заряд током 0.1С. Зарядно-разрядный цикл продолжается, пока напряжение на АКБ не поднимется до 14.6В. Далее — обычный заряд. >> >> Контрольно-тренировочный цикл. Если предварительно подключить дополнительную нагрузку и включить режим «Заряд» или «Тренировка», то в этом случае, сначала будет выполнена разрядка АКБ до напряжения 10.8В, а затем включится соответствующий выбранный режим. При этом измеряются ток и время разряда, таким образом, подсчитывается примерная емкость АКБ. Эти параметры отображаются на дисплее после окончания зарядки (когда появится надпись «Батарея заряжена») при нажатии на кнопку «выбор». В качестве дополнительной нагрузки можно применить автомобильную лампу накаливания. Ее мощность выбирается, исходя из требуемого тока разряда. Обычно его задают равным 0.1С — 0.05С (ток 10-ти или 20-ти часового разряда). Схема зарядного автомата для 12В АКБПринципиальная схема автоматического автомобильного ЗУ
Чтобы попасть в меню настроек нужно выбрать любой из профилей, нажать кнопку «выбор», выбрать «установки», «параметры профиля», профиль П1 или П2. Выбрав нужный параметр, нажимаем «выбор». Стрелки «влево» или «вправо» сменятся на стрелки «вверх» или «вниз», что означает готовность параметра к изменению. Выбираем нужное значение кнопками «влево» или «вправо», подтверждаем кнопкой «выбор». На дисплее появится надпись «Сохранено», что обозначает запись значения в EEPROM. Более подробно о настройке читайте на форуме. Управление основными процессами возложено на микроконтроллер. В его память записывается управляющая программа, в которой и заложены все алгоритмы. Управление блоком питания осуществляется с помощью ШИМ с вывода PD7 МК и простейшего ЦАП на элементах R4, C9, R7, C11. Измерение напряжения АКБ и зарядного тока осуществляется средствами самого микроконтроллера — встроенным АЦП и управляемым дифференциальным усилителем. Напряжение АКБ на вход АЦП подается с делителя R10 R11. Защита от переполюсовки выполнена на транзисторе Т1, сигнализация неправильного подключения — на элементах VD1, EP1, R13. При включении зарядного устройства в сеть транзистор Т1 закрыт низким уровнем с порта РС5, и АКБ отключена от зарядного устройства. Подключается она только при выборе в меню типа АКБ и режима работы ЗУ. Этим обеспечивается также отсутствие искрения при подключении батареи. При попытке подключить аккумулятор в неправильной полярности сработает зуммер ЕР1 и красный светодиод VD1, сигнализируя о возможной аварии. В процессе заряда постоянно контролируется зарядный ток. Если он станет равным нулю (сняли клеммы с АКБ), устройство автоматически переходит в главное меню, останавливая заряд и отключая батарею. Транзистор Т2 и резистор R12 образуют разрядную цепь, которая участвует в зарядно-разрядном цикле десульфатирующего заряда и в режиме теста АКБ. Ток разряда 0.01С задается с помощью ШИМ с порта PD5. Кулер автоматически выключается, когда ток заряда падает ниже 1,8А. Управляет кулером порт PD4 и транзистор VT1. О деталях схемы автоматической зарядкиРезистор R8 – керамический или проволочный, мощностью не менее 10 Вт, R12 — тоже 10Вт. Остальные — 0.125Вт. Резисторы R5, R6, R10 и R11 нужно применять с допустимым отклонением не хуже 0.5%. От этого будет зависеть точность измерений. Транзисторы T1 и Т1 желательно применять такие, как указаны на схеме. Но если придется подбирать замену, то необходимо учитывать, что они должны открываться напряжением на затворе 5В и, конечно же, должны выдерживать ток не ниже 10А. Подойдут, например, транзисторы с маркировкой 40N03GР, которые иногда используются в тех же БП формата АТХ, в цепи стабилизации 3.3В. ЖКИ – Wh3602 или аналогичный, на контроллере HD44780, KS0066 или совместимых с ними. К сожалению, эти индикаторы могут иметь разное расположение выводов, так что, возможно, придется разрабатывать печатную плату под свой экземпляр Переделка БП АТХ под зарядное устройствоСхема электрическая доработки стандартного ATX В схеме управления лучше использовать прецизионные резисторы, как указано в описании. При использовании подстроечников параметры не стабильные. проверено на собственном опыте. При тестировании данного ЗУ проводил полный цикл разрядки и зарядки АКБ (разряд до 10,8В и заряд в режиме тренировки, потребовалось около суток). Нагревание ATX БП компьютера не более 60 градусов, а модуля МК еще меньще.Форум по АЗУ на МК Обсудить статью АВТОМАТИЧЕСКОЕ ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО АВТОМОБИЛЬНОЕ |
radioskot.ru
Полностью автоматическое зарядное устройство для аккумуляторов
Привет всем, в этой статье я расскажу, как можно сделать простой импульсный стабилизатор, который может быть использован в качестве автомобильной зарядки, источника питания или лабораторного блока питания.Эта схема отлично заточена под зарядку автомобильных аккумуляторов с напряжением 12 вольт, но стабилизатор универсальный, поэтому им можно заряжать любые типы аккумуляторов, как автомобильных, так и всяких других, даже литий-ионных, если они снабжены платой балансировки.Схема зарядного устройства состоит из 2-х частей, блока питания и стабилизатора, начнём пожалуй со стабилизатора.Стабилизатор построен на популярного шим-контроллера TL494, позволит получить выходное напряжение от 2-х до 20 вольт, с возможностью ограничения выходного тока от 1 до 6 ампер, при желании ток можно поднять до 10 ампер.Процесс заряда будет осуществляться методом стабильного тока и напряжения, это наилучший способ для качественной и безопасной зарядки аккумуляторов. По мере заряда аккумулятора ток в цепи будет падать и в конце процесса будет равен 0, следовательно нет опасности перегрева аккумулятора или зарядного устройства, так что процесс не требует человеческого вмешательства.Возможно также использования этого стабилизатора в качестве лабораторного источника питания.
Теперь несколько о самой схеме
Это импульсный стабилизатор с шим-управлением, то есть КПД куда больше, чем у обычных линейных схем. Транзистор работает в ключевом режиме управляясь шим-сигналом, это снижает нагрев силового ключа. Основной транзистор управляется маломощным ключом, такое включение обеспечивает большое усиление по току и разгружает микросхему ШИМ.По сути это аналог составного транзистора. Транзистор нужен с током на менее 10 ампер, возможно также использование составных транзисторов прямой проводимости. Регулировка выходного напряжения осуществляется с помощью переменного резистора R9, для наиболее точной настройки желательно использовать многооборотный резистор, притом очень советую использовать резистор с мощностью 0.5 ватт.Нижним резистором можно установить верхнюю границу выходного напряжения, а подбором соотношения резисторов R1, R3, устанавливается нижняя граница выходного напряжения.Для более быстрой и точной подстройки этот делитель может быть заменён на многооборотный подстроечный резистор сопротивлением от 10 до 20 ком. За ограничение тока отвечает переменный резистор R6, верхнюю границу выходного тока можно изменить подбором резистора R4.
Обратите внимание на чёткое срабатывание функции ограничения, даже при коротком замыкании, ток не более 6.5 ампер. Регулируется довольно плавно, если использовать многооборотный резистор.
Токовый шунт или датчик тока…, тут хотел бы обратить ваше внимание на то, что входные и выходные земли разделяются шунтом, обратите на это внимание при сборке. В качестве шунта можно использовать отрезок нихромовый проволоки с нужным сопротивлением. В моём же варианте было использование snd-шунты, которые можно найти на платах защиты аккумуляторов от ноутбука. Номинальное сопротивление шунта 0.5 ом +- 50%. При токе в 6 ампер такой шунт справляется очень даже не плохо.Силовой дроссель… Сердечник взят из выходного дросселя групповой стабилизации компьютерного блока питания, обмотка состоит из 30 витков, намотана двойным проводом, диаметр каждого составляет 1 мм. Тут важен один момент, количество нужно будет подобрать в зависимости от рабочей частоты генератора и материалов магнитопровода. Не верно подобранный дроссель приведёт к сильному нагреву силового ключа при больших токах, это легко понять по характерному свисту при токах в 2-3 ампера, если свист присутствует, то нужно увеличить рабочую частоту генератора.Для этих целей сопротивление резистора R2 снижается до 1 ком и последовательно ему подключается многооборотный подстроечный резистор на 10 ком, таким образом частоту генератора можно менять в пределах от 50 до 550 кГц.
Введите электронную почту и получайте письма с новыми поделками.
После настройки на нужную частоту, подстроечный резистор выпаивается, измеряется его сопротивление, прибавляется к полученному числу сопротивление дополнительного резистора в 1 ком и сборка заменяется одним постоянным резистором близкого сопротивления. Этим настройка завершена…
Силовой диод VD1 очень советую — шотки, с напряжение не менее 60 вольт и током от 10 ампер. При токах в 3-4 ампера тепловыделения почти не наблюдается, если же собираетесь гонять схему на больших токах, то нужен радиатор. Возможно и применение обычных импульсных диодов с нужным током.В качестве источника питания может быть задействован либо импульсный блок питания, либо сетевой трансформатор дополненный диодным выпрямителем и сглаживающим конденсатором. В обоих случаях постоянное напряжение с источника питания должно быть не менее 16\17 вольт и ток до 10 ампер.
Я использовал обыкновенный трансформатор с диодным мостом. Ну вот вроде и всё, всем спасибо за внимание, печатка находиться в архиве.Архив к статье; скачать…
Автор; АКА Касьян
xn--100—j4dau4ec0ao.xn--p1ai
Зарядное устройство автомат для автомобильных АКБ
Это зарядное устройство верой и правдой служит уже года 4, причём оно в отличии от многих других самодельных и промышленных автозарядок имеет несколько преимуществ, которые и сподвигли на создание сего девайса. Во-первых простота и надёжность схемы (без всяких процессоров) и наглядный простой светодиодный индикатор — полоска по вольтам. Псевдо-аналоговый вольтметр на 12 светодиодах был сделан на микросхеме UAA180, которую выпаял с какого-то тахометра. А к контактам АС подключаем трансформатор ~14 В / 5 А.
Схема автоматической зарядки для батарей авто
Автоматизация зарядки основана на так называемом компараторе — система, взятая из старых схем по заряду батареек + немного собственных модификаций. Задача модуля состоит в том, чтобы управлять реле (с контактами на 10 А), которое в свою очередь подает 12 В выпрямленного напряжения от основной вторичной обмотки на свинцовый АКБ.
Контроллер имеет вентилятор на достойном кулере из старого источника питания ПК. В качестве датчика температуры использовались 4 диода 1N4148, соединенных последовательно, получив изменение напряжения примерно 10 мВ / С. Установлен порог переключения примерно 40C, но вентилятор редко включается даже летом.
Корпус готовый из набора. Лицевая панель напечатана на желтой клейкой бумаге, на которой также прикрепил самоклеющуюся пленку. Решение оказалось надёжным и сохранилось в течение 4-х лет в самых трудных условиях (гаражи, подвалы) без повреждений. Под трансформатором, на задней панели и в верхней части, просверлил несколько десятков вентиляционных отверстий. Вентилятор был установлен таким образом, чтобы он вытягивал теплый воздух наружу. В течение многих часов работы корпус зарядного лишь слегка теплый.
Принцип действия автоматического ЗУ
Выпрямитель для заряда АКБ имеет 3 режима работы, выбранных переключателем:
- Автоматическая зарядка — заряд начнется только после подключения батареи, если ее напряжение будет больше 10 В и закончится, когда оно достигнет 15 В;
- Нет зарядки — переключатель в среднем положении — полезен для замера фактического напряжения батареи;
- Непрерывная зарядка — на клеммах постоянно подается напряжение, независимо от того, подключена ли батарея и каково ее реальное напряжение.
Вольтметр имеет нижнюю пороговую настройку измеряемого напряжения и верхнюю. Там использованы потенциометры, чтобы точно установить пороговые значения. Диапазон измеряемого напряжения составляет 6 вольт, поэтому 6 [В] / 12 [LED] = 0,5 В / LED, и на практике оно так и есть. Задача вольтметра — показать, какое примерно напряжение находится на клеммах аккумулятора.
За последние годы это самодельное зарядное устройство зарядило десятки батарей, в том числе у соседей по гаражному массиву. Начиная от новых 80 Ач — до старых 36 Ач и собрало очень лестные отзывы. Несмотря на отсутствие регулировки тока зарядки, схема работает отлично. Чем выше емкость аккумулятора, тем выше начальный зарядный ток (низкое внутреннее сопротивление батареи). Самый высокий ток составляет 6 А при зарядке аккумулятора емкостью 80 Ач. Типичный начальный ток 3-5 А, в зависимости от типа батареи. По завершении процесса система отключается, что слышно щелчком реле.
Какой вольтаж должен быть на авто АКБ
Обратите внимание что газы (то есть разделение воды на кислород и водород), являются признаком окончания зарядки аккумулятора, этот процесс начинается когда напряжение батареи превышает 14,4 В (2,4 В на ячейку). Производители аккумуляторов рекомендуют зарядку до 15 В (2,5 В на ячейку). Превышение этого напряжения может привести к повреждению аккумулятора. Также, по словам производителей, напряжение в установке автомобиля должно составлять 13,9-14,5 В. В конце зарядки ток составляет около 1 А.
Превышение значения 14,5 В приводит к довольно быстрому увеличению электролиза, в случае неоткрытых батарей — это реальная проблема. Для AGM и GEL еще хуже, потому что, если системы рекомбинации не справятся, то даже инвазивная заливка не является вариантом. Возможен уход активной массы и проблемы с АКБ в более позднее время, если не сразу.
Типичный автомобильный аккумулятор, состоящий из 6 ячеек, имеет:
- электродвижущая сила: приблизительно 12,6 В
- номинальное напряжение одной ячейки: 2,105 В
- минимальное зарядное напряжение 10,8 В
- после окончания заряда минимум: 13,9 В, максимум 14,5 В
- коэффициент саморазряда аккумулятора : 3-20% в месяц
- типичный зарядный ток 1 / 10 С
- долговечность: 500 — 800 циклов.
Напряжение батареи должно быть измерено через 12 часов после зарядки, чтобы обеспечить точные данные. После полной зарядки напряжение быстро падает до 13,2 В, а затем медленно до 12,6 вольт. В случае глубокой разрядки аккумулятора, целесообразно зарядить его постоянным током до напряжения 16 вольт.
2shemi.ru
Автоматическое ЗУ своими руками — DRIVE2
Однажды зимой сел аккумулятор и я решил сделать АЗУ, можно было бы купить новый, но для меня это не интересно))) Нашел в интернете схему и немного переделал её, а именно добавил сигнальную арматуру, кулер для охлаждения, предохранители на 10А, двухполюсный выключатель, вольтметр с амперметром и получилась такая схемка)))
Полный размер
А вот и готовое АЗУ
Полный размер
Полный размер
Полный размер
Полный размер
Полный размер
Полный размер
Полный размер
Полный размер
Ну и немного фото АЗУ в действии
Полный размер
Полный размер
Полный размер
АКБ заряжен(но не полностью), поэтому ток зарядки не большой
Тест с автомобильной лампочкой 55Вт
Полный размер
Полный размер
Список деталей:
R1 = 4,7 кОм (не меньше 2Вт)
R2 = 10K подстроечный (не меньше 2Вт)
T1 = BC547B (или аналог)
Реле = 12В, 400 Ом, SPDT (я использовал обычное реле от авто на 70А(такое нашел у себя))
TR1 = напряжение вторичной обмотки 14 В, ток 1/10 от емкости АКБ;
Диодный мост = на ток равный номинальному току трансформатора (я использовал на 50А, по той же причине как с реле)
Диоды D1, D2 и D3 = 1N4007;
C1 = 100uF/25V.
www.drive2.ru
Схема простого зарядного устройства для АКБ
Привет всем, я за свою практику делал множество схем зарядных устройств для самых разных аккумуляторов, но в последнее время заметил, что несмотря на огромную базу схем в интернете, люди хотят видеть простую схему зарядного устройства для автомобильных аккумуляторов из очень доступных компонентов, поэтому я решил воплотить эту идею в жизнь.
Эта схема была снята из радиожурнала, которая стала очень популярной в последнее время, по сути это тиристорный регулятор напряжения, многие наверное будут осуждать мое решение об использовании именно этой схемы, ведь она не имеет узла контроля тока, защиты и многих других плюшек, которыми снабжены современные зарядные устройства.
Вы конечно правы, но именно эта схема была повторена радиолюбителями, в том числе и мною множество раз и зарекомендовала себя с лучшей стороны.
Итак, о схеме; она отличается от обычных линейных схем, обратите внимание на транзисторы Q1 и Q2, на их базе собран генератор импульсов, то есть аккумулятор по сути заряжается импульсами тока, в этом можно убедиться подключив осциллограф, такой режим работы имеет множество плюсов.
Первый из них заключается в том, что силовой элемент схемы работает не в линейном, а в ключевом режиме, следовательно, нагреваться будет меньше, и ещё импульсная зарядка может быть полезной для консульфатации аккумулятора, а значит такая зарядка в теории может восстанавливать АКБ.
Генератор импульсов собран на маломощной комплементарной паре, можно использовать буквально любые маломощные транзисторы, например наши КТ 361 и КТ 315. Выходной ток может доходить до 10 ампер, следовательно с ее помощью можно эффективно заряжать аккумуляторы с ёмкостью до 100 ампер\часов.
Диодный мост нужен с запасом, советую использовать диоды ампер на 15-20, я ставил готовую сборку на 30 ампер. Сетевой понижающий трансформатор должен обеспечивать выходное напряжение не менее 15 или 16 вольт и соответствующий ток.
Тут важно запомнить — эффективный ток заряда для автомобильных свинцово-кислотных аккумуляторов составляет десятую часть от ёмкости аккумулятора, например аккумулятор на 60 ампер\часов эффективный ток заряда должен быть в районе 6 ампер и т.д.
В моем варианте был использован готовый трансформатор от источника бесперебойного питания, по мне это хороший вариант. Мне повезло и обмотки трансформатора оказались медными, а не алюминиевыми как это бывает с бюджетными бесперебойниками.
Порывшись в старом хламе мне удалось найти только один тиристор, но к сожалению и тот оказался нерабочим, по идее можно собрать аналог тиристора, но я решил использовать обычный транзистор типа империи MJE13009 и всё прекрасно заработало.
переделал на транзистор
Печатная плата получилась довольно компактной, кстати исходный файл платы доступен для скачивания в конце статьи. Транзисторы и диодный мост устанавливают на радиатор, конструкцию также желательно дополнить кулером. Индикаторы поставил стрелочные, амперметр на 1 ампер, но после замены шунта он стал отображать ток до 10 ампер, вольтметр на 15 вольт.
Хотел всё это дело собрать в корпусе от блока питания компьютера но на данный момент работаю над несколькими проектами и времени попросту нет, но в дальнейшем обязательно займусь изготовлением корпуса.
Введите электронную почту и получайте письма с новыми поделками.
Выходное напряжение регулируется от чистого ноля. Процесс зарядки автомобильных аккумуляторов происходит следующим образом, включаем зарядное устройство в сеть и вращением переменного резистора добиваемся на выходе 14 и 14.4 вольт выходного напряжения.
Это напряжение полностью заряженного автомобильного аккумулятора, дальше подключаем зарядку к аккумулятору не забывая соблюдать полярность, то есть плюс к плюсу, а минус к минусу.
По мере заряда аккумуляторной батареи ток будет снижаться и в конце процесса значение будет близким к нулю, этим заряд можно считать завершенным.
Плохо то, что схема лишена защиты от коротких замыканий, может спасти только предохранитель, также отсутствует функция защиты от переполюсовки питания, но все это можно дополнить и позже, было бы желание))).
Плата в формате .lay; скачать…
Автор; АКА КАСЬЯН
xn--100—j4dau4ec0ao.xn--p1ai
Самодельное зарядное устройство для аккумулятора автомобиля
На фотографии представлено самодельное автоматическое зарядное устройство для зарядки автомобильных аккумуляторов на 12 В током величиной до 8 А, собранного в корпусе от милливольтметра В3-38.
Почему нужно заряжать аккумулятор автомобиля
зарядным устройством
АКБ в автомобиле заряжается с помощью электрического генератора. Для защиты электрооборудования и приборов от повышенного напряжения, которое вырабатывает автомобильным генератором, после него устанавливают реле-регулятор, который ограничивает напряжение в бортовой сети автомобиля до 14,1±0,2 В. Для полной же зарядки аккумулятора требуется напряжение не менее 14,5 В.
Таким образом, полностью зарядить АКБ от генератора невозможно и перед наступлением холодов необходимо подзаряжать аккумулятор от зарядного устройства.
Анализ схем зарядных устройств
Для зарядки автомобильного аккумулятора служат зарядные устройства. Его можно купить готовое, но при желании и небольшом радиолюбительском опыте можно сделать своими руками, сэкономив при этом немалые деньги.
Схем зарядных устройств автомобильных аккумуляторов в Интернете опубликовано много, но все они имеют недостатки.
Зарядные устройства, сделанные на транзисторах, выделяют много тепла, как правило, боятся короткого замыкания и ошибочного подключения полярности аккумулятора. Схемы на тиристорах и симисторах не обеспечивают требуемой стабильность зарядного тока и издают акустический шум, не допускают ошибок подключения аккумулятора и излучают мощные радиопомехи, которые можно уменьшить, одев на сетевой провод ферритовое кольцо.
Привлекательной выглядит схема изготовления зарядного устройства из блока питания компьютера. Структурные схемы компьютерных блоков питания одинаковые, но электрические разные, и для доработки требуется высокая радиотехническая квалификация.
Интерес у меня вызвала конденсаторная схема зарядного устройства, КПД высокий, тепла не выделяет, обеспечивает стабильный ток заряда вне зависимости от степени заряда аккумулятора и колебаний питающей сети, не боится коротких замыканий выхода. Но тоже имеет недостаток. Если в процессе заряда пропадет контакт с аккумулятором, то напряжение на конденсаторах возрастает в несколько раз, (конденсаторы и трансформатор образуют резонансный колебательный контур с частотой электросети), и они пробиваются. Надо было устранить только этот единственный недостаток, что мне и удалось сделать.
В результате получилась схема зарядного устройства без выше перечисленных недостатков. Более 16 лет заряжаю ним любые кислотные аккумуляторы на 12 В. Устройство работает безотказно.
Принципиальная схема автомобильного зарядного устройства
При кажущейся сложности, схема самодельного зарядного устройства простая и состоит всего из нескольких законченных функциональных узлов.
Если схема для повторения Вам показалась сложной, то можно собрать более простую, работающую на таком же принципе, но без функции автоматического отключения при полной зарядке аккумулятора.
Схема ограничителя тока на балластных конденсаторах
В конденсаторном автомобильном зарядном устройстве регулировка величины и стабилизация силы тока заряда аккумулятора обеспечивается за счет включения последовательно с первичной обмоткой силового трансформатора Т1 балластных конденсаторов С4-С9. Чем больше емкость конденсатора, тем больше будет ток заряда аккумулятора.
Практически это законченный вариант зарядного устройства, можно подключить после диодного моста аккумулятор и зарядить его, но надежность такой схемы низкая. Если нарушится контакт с клеммами аккумулятора, то конденсаторы могут выйти из строя.
Емкость конденсаторов, которая зависит от величины тока и напряжения на вторичной обмотке трансформатора, можно приблизительно определить по формуле, но легче ориентироваться по данным таблицы.
Для регулировки тока, чтобы сократить количество конденсаторов, их можно подключать параллельно группами. У меня переключение осуществляется с помощью двух галетного переключателя, но можно поставить несколько тумблеров.
Схема защиты
от ошибочного подключения полюсов аккумулятора
Схема защиты от переполюсовки зарядного устройства при неправильном подключении аккумулятора к выводам выполнена на реле Р3. Если аккумулятор подключен неправильно, диод VD13 не пропускает ток, реле обесточено, контакты реле К3.1 разомкнуты и ток не поступает на клеммы аккумулятора. При правильном подключении реле срабатывает, контакты К3.1 замыкаются, и аккумулятор подключается к схеме зарядки. Такую схему защиты от переполюсовки можно использовать с любым зарядным устройством, как транзисторным, так и тиристорным. Ее достаточно включить в разрыв проводов, с помощью которых аккумулятор подключается к зарядному устройству.
Схема измерения тока и напряжения зарядки аккумулятора
Благодаря наличию переключателя S3 на схеме выше, при зарядке аккумулятора есть возможность контролировать не только величину тока зарядки, но и напряжение. При верхнем положении S3, измеряется ток, при нижнем – напряжение. Если зарядное устройство не подключено к электросети, то вольтметр покажет напряжение аккумулятора, а когда идет зарядка аккумулятора, то напряжение зарядки. В качестве головки применен микроамперметр М24 с электромагнитной системой. R17 шунтирует головку в режиме измерения тока, а R18 служит делителем при измерении напряжения.
Схема автоматического отключения ЗУ
при полной зарядке аккумулятора
Для питания операционного усилителя и создания опорного напряжения применена микросхема стабилизатора DA1 типа 142ЕН8Г на 9В. Микросхема это выбрана не случайно. При изменении температуры корпуса микросхемы на 10º, выходное напряжение изменяется не более чем на сотые доли вольта.
Система автоматического отключения зарядки при достижении напряжения 15,6 В выполнена на половинке микросхемы А1.1. Вывод 4 микросхемы подключен к делителю напряжения R7, R8 с которого на него подается опорное напряжение 4,5 В. Вывод 4 микросхемы подключен к другому делителю на резисторах R4-R6, резистор R5 подстроечный для установки порога срабатывания автомата. Величиной резистора R9 задается порог включения зарядного устройства 12,54 В. Благодаря применению диода VD7 и резистора R9, обеспечивается необходимый гистерезис между напряжением включения и отключения заряда аккумулятора.
Работает схема следующим образом. При подключении к зарядному устройству автомобильного аккумулятора, напряжение на клеммах которого меньше 16,5 В, на выводе 2 микросхемы А1.1 устанавливается напряжение достаточное для открывания транзистора VT1, транзистор открывается и реле P1 срабатывает, подключая контактами К1.1 к электросети через блок конденсаторов первичную обмотку трансформатора и начинается зарядка аккумулятора.
Как только напряжение заряда достигнет 16,5 В, напряжение на выходе А1.1 уменьшится до величины, недостаточной для поддержания транзистора VT1 в открытом состоянии. Реле отключится и контакты К1.1 подключат трансформатор через конденсатор дежурного режима С4, при котором ток заряда будет равен 0,5 А. В таком состоянии схема зарядного устройства будет находиться, пока напряжение на аккумуляторе не уменьшится до 12,54 В. Как только напряжение установится равным 12,54 В, опять включится реле и зарядка пойдет заданным током. Предусмотрена возможность, в случае необходимости, переключателем S2 отключить систему автоматического регулирования.
Таким образом, система автоматического слежения за зарядкой аккумулятора, исключит возможность перезаряда аккумулятора. Аккумулятор можно оставить подключенным к включенному зарядному устройству хоть на целый год. Такой режим актуален для автолюбителей, которые ездят только в летнее время. После окончания сезона автопробега можно подключить аккумулятор к зарядному устройству и выключить только весной. Даже если в электросети пропадет напряжение, при его появлении зарядное устройство продолжит заряжать аккумулятор в штатном режиме
Принцип работы схемы автоматического отключения зарядного устройства в случае превышения напряжения из-за отсутствия нагрузки, собранной на второй половинке операционного усилителя А1.2, такой же. Только порог полного отключения зарядного устройства от питающей сети выбран 19 В. Если напряжение зарядки менее 19 В, на выходе 8 микросхемы А1.2 напряжение достаточное, для удержания транзистора VT2 в открытом состоянии, при котором на реле P2 подано напряжение. Как только напряжение зарядки превысит 19 В, транзистор закроется, реле отпустит контакты К2.1 и подача напряжения на зарядное устройство полностью прекратится. Как только будет подключен аккумулятор, он запитает схему автоматики, и зарядное устройство сразу вернется в рабочее состояние.
Конструкция автоматического зарядного устройства
Все детали зарядного устройства размещены в корпусе миллиамперметра В3-38, из которого удалено все его содержимое, кроме стрелочного прибора. Монтаж элементов, кроме схемы автоматики, выполнен навесным способом.
Конструкция корпуса миллиамперметра, представляет собой две прямоугольные рамки, соединенные четырьмя уголками. В уголках с равным шагом сделаны отверстия, к которым удобно крепить детали.
Силовой трансформатор ТН61-220 закреплен на четырех винтах М4 на алюминиевой пластине толщиной 2 мм, пластина в свою очередь прикреплена винтами М3 к нижним уголкам корпуса. Силовой трансформатор ТН61-220 закреплен на четырех винтах М4 на алюминиевой пластине толщиной 2 мм, пластина в свою очередь прикреплена винтами М3 к нижним уголкам корпуса. На этой пластине установлен и С1. На фото вид зарядного устройства снизу.
К верхним уголкам корпуса закреплена тоже пластина из стеклотекстолита толщиной 2 мм, а к ней винтами конденсаторы С4-С9 и реле Р1 и Р2. К этим уголкам также прикручена печатная плата, на которой спаяна схема автоматического управления зарядкой аккумулятора. Реально количество конденсаторов не шесть, как по схеме, а 14, так как для получения конденсатора нужного номинала приходилось соединять их параллельно. Конденсаторы и реле подключены к остальной схеме зарядного устройства через разъем (на фото выше голубой), что облегчило доступ к другим элементам при монтаже.
На внешней стороне задней стенки установлен ребристый алюминиевый радиатор для охлаждения силовых диодов VD2-VD5. Тут также установлен предохранитель Пр1 на 1 А и вилка, (взята от
ydoma.info
Автоотключение любого ЗУ автомобиля при завершении зарядки, схема
Всем привет, сегодня рассмотрим несколько универсальных схем, которые позволят отключить зарядное устройство при полной зарядке аккумулятора, иными словами внедрением этих схем можно построить автоматическое зарядное устройство или доработать функцию автоотключения промышленной зарядки.
Сразу хочу пояснить один момент, если зарядное устройство работает по принципу стабильный ток — стабильное напряжение, то нет смысла использовать функцию автоотключения, поскольку естественным образом по мере заряда батареи ток в цепи будет падать и в конце заряда он равен нулю.Схемы, которые мы сегодня рассмотрим, предназначены для работы с автомобильными свинцово — кислотными аккумуляторами, хотя они могут работать с любыми зарядными устройствами, без всякой переделки последних.
Начнём с простых схем…
Первый вариант построен всего на одном транзисторе, переключающим элементом в схеме является реле с напряжением катушки 12 вольт.
Использованы те контакты, которые замкнуты без подачи питания на реле
Резистивный делитель или переменный резистор, задает нужное напряжение, смещение на базе транзистора, тот срабатывая подаёт питание на обмотку реле, вследствие чего реле включается размыкая контакт, который в состоянии покоя был замкнут и через который протекал ток заряда.Используя подстроечный резистор мы можем выставить то напряжение при котором сработает транзистор.
Для настройки схемы удобно использовать регулируемый источник питания, на котором нужно выставить напряжение около 13.5-13.7 вольт, что равноценно напряжению полностью заряженного автомобильного аккумулятора.
Затем медленно вращая подстроечный резистор добиваемся срабатывания транзистора, а следовательно и реле при выставленном напряжении.Теперь проверяем схему еще раз, допустим в начале заряда напряжение на аккумуляторе 12 вольт, по мере заряда оно увеличивается и по достижению порога 13.5 вольт реле срабатывает, отключив зарядное устройство от сети.
Кстати, можно подключить реле следующим образом, в этом случае зарядка не отключается от сети, а просто пропадает выходное напряжение и процесс заряда прекратиться, в этом случае контакты реле должны быть рассчитаны на токи в полтора раза больше максимального выходного тока зарядного устройства.
Транзистор буквально любой обратной проводимости, советую взять транзисторы средней мощности наподобие BD139, диоды в эмиттерной цепи транзистора тоже особо не критичны, ток потребления схемы всего 10-20 миллиампер, но схема имеет несколько недостатков.
Например, низкая помехоустойчивость, из-за которых возможно ложное срабатывание реле и невысокая точность работы, из-за отсутствия источника опорного напряжения и прочих стабилизирующих узлов.
Добавив в базовую цепь ключа стабилитрон, мы решим указанные проблемы и появится возможность довольно точно выставить нужное напряжение срабатывания.
Для настройки советую использовать многооборотный подстроечный резистор. Диод VD1 защищает транзистор от самоиндукции в случае размыкания реле.
Настраиваем схему точно так, как в первом варианте, лампочка имитирует процесс заряда и подключена вместо аккумулятора, при превышении определенного порога, реле срабатывает и лампа потухает.
Вторая схема построена на базе любого таймера NE555, этот вариант похож на предыдущие, микросхема NE555 в своей конструкции содержит два компаратора, пониженное опорное напряжение формирует стабилитрон, порог срабатывания устанавливается подстроечным резистором, как только напряжение на батарее будет равна пороговому, на выходе таймера получим высокий уровень, вследствие чего сработает транзистор.
В этом варианте использовать те контакты реле, которые находятся в разомкнутом состоянии без подачи питания. Во время настройки точку «А» размыкают от выходного контакта и подключают к плюсу зарядного устройства. К выходному контакту реле подключают лампу, второй вывод лампы подключают к массе питания.
В обеих схемах порог срабатывания можно выставить в пределах от 13.5 до 14 вольт, напряжение полностью заряженного автомобильного аккумулятора составляет от 12.6 до 12.8 вольт но при заведенном двигателе напряжение доходит до 14.5 вольт, так что небольшой перезаряд аккумулятора никак не повредит.
Аналогичную схему можно собрать на базе компаратора или операционного усилителя в компараторном включении, принцип работы тот же, что и в случае внедрения таймера NE555. В этой же статье, приведены наиболее простые и доступные варианты.
Все печатки в формате .lay можно скачать для повторения.
Автор; Ака Касьян
xn--100—j4dau4ec0ao.xn--p1ai
Схема самодельного зу для автомобильного аккумулятора
Канал “автомобильные аккумуляторы” представил простую и надежную схему зу для автомобильного акб. Не сложно повторить своими руками, собирается из доступных деталей. Эту схему разработал Сергей Власов.
Купить готовое устройство или радиодетали и модули можно в этом китайском магазине.
Все радиокомпоненты можно взять от старых телевизоров, радиоприемников. Можно заказать и купить, обойдется в 2-3 доллара. Возможно, на рынке дешевле, но надежность нередко вызывает сомнения. Бывали случаи, когда у пользователей портились автомобильные аккумуляторы.
Описание схемы
Схема состоит из 14 резисторов, 5 транзисторов, 2 стабилитронов, диода, потенциометра (часто в телевизорах встречается потенциометр на 10 килоом), подстроечного сопротивления. Нам понадобится тиристор Q 202 и тумблер. Для индикации тока амперметр, для напряжения – вольтметр.
Схема зу работает в двух режимах. Ручной и автоматический. Когда включаем ручной режим, выставляем ток 3 ампера заряда. Он постоянно душит 3 амперами, неважно какое время. Когда переключаем на автоматический заряд, выставляем тоже три ампера. Когда заряд аккумулятора доходит до установленного вами параметра, например 14,7 вольта, стабилитрон закрывается и прекращает заряд аккумулятора.
Понадобится 3 транзистора КТ 315. Два КТ 361. На двух КТ 315 собран триггер. На КТ 361 собран ключевой транзистор. Два транзистора работают как тиристоры. Дальше стоит конденсатор. На 0,47 микрофарада. Любой диод.
Проблема была найти три сопротивления. Два по 15 Ом, один на 9 Ом.
По ссылкам:
Скачать плату.
Схема зу.
остается распечатать и собрать себе такое же автомобильное зу.
Размеры печатной платы. 3,6x36x77 мм.
Чем хорошо это зарядное устройство?
Автоматический режим. Когда автор видеоролика заряжает свой аккумулятор в автомобиле, выставляет на минимум, установив 2 ампера. Можно спокойно ложиться отдыхать. Ничего не кипит, акб полностью заряжается. Ставит нагрузку на акб еще лампочку на несколько Ватт. Для чего это небольшая нагрузка? Это хорошо помогает от сульфатации пластин, которая губит аккумуляторы. Схема настроена на порог отключения 14,7 вольта. Когда батарея набрала емкость до этого параметра, ЗУ отключается. Тем временем лампочка садит аккумулятор, он немного разряжается. Когда он доходит до 14 12 вольт, схема снова включается и акб снова переходит в режим зарядки. Этим способом мы предотвращаем сульфатацию.
В данной схеме автор использует амперметр от магнитофона Весна. Подойдет и другой.
Видео, на котором показано зу для акб авто.
izobreteniya.net
Самодельное зарядное устройство для автомобильного аккумулятора из БП АТХ, схемы
Многие автолюбители отлично знают, что для продления срока службы аккумуляторной батареи требуется периодическая ее подзарядка именно от зарядного устройства, а не от генератора автомобиля.
И чем больше срок службы аккумулятора, тем чаще его нужно заряжать, чтобы восстанавливать заряд.
Без зарядных устройств не обойтись
Для выполнения данной операции, как уже отмечено, используются зарядные устройства, работающие от сети 220 В. Таких устройств на автомобильном рынке очень много, они могут обладать различными полезными дополнительными функциями.
Однако все они выполняют одну работу – преобразуют переменное напряжение 220 В в постоянное – 13,8-14,4 В.
В некоторых моделях сила тока при зарядке регулируется вручную, но есть и модели с полностью автоматической работой.
Из всех недостатков покупных зарядных устройств можно отметить высокую их стоимость, и чем «навороченней» прибор, тем цена на него выше.
А ведь у многих под рукой есть большое количество электроприборов, составные части которых вполне могут подойти для создания самодельного зарядного устройства.
Да, самодельный прибор выглядеть будет не так презентабельно, как покупной, но ведь его задача – заряжать АКБ, а не «красоваться» на полке.
Одними из важнейших условий при создании зарядного устройства – это хоть начальное знание электротехники и радиоэлектроники, а также умение держать в руках паяльник и уметь правильно им пользоваться.
Далее рассмотрим несколько схем зарядных устройств для АКБ, которые можно создать из старых электроприборов или составных частей электроники.
ЗУ из лампового телевизора
Первой будет схема, пожалуй, самая простейшая, и справиться с ней сможет практически любой автолюбитель.
Для изготовления простейшего зарядного устройства понадобиться всего лишь две составные части – трансформатор и выпрямитель.
Главное условие, которым должно соответствовать зарядное устройство – это сила тока на выходе из прибора должна составлять 10% от емкости АКБ.
То есть, зачастую на легковых авто применяется батарея на 60 Ач, исходя из этого, на выходе из прибора сила тока должна быть на уровне 6 А. При этом напряжение 13,8-14,2 В.
Если у кого-то стоит старый ненужный ламповый советский телевизор, то лучше трансформатора, чем из него не найти.
Принципиальная схема зарядного устройства из телевизора имеет такой вид.
Зачастую на таких телевизорах устанавливался трансформатор ТС-180. Особенностью его являлось наличие двух вторичных обмоток, по 6,4 В и силой тока 4,7 А. Первичная обмотка тоже состоит из двух частей.
Вначале потребуется выполнить последовательное подключение обмоток. Удобство работ с таким трансформатором в том, что каждый из выводов обмотки имеет свое обозначение.
Для последовательного соединения вторичной обмотки нужно соединить между собой выводы 9 и 9\’.
А к выводам 10 и 10\’ – припаять два отрезка медного провода. Все провода, которые припаиваются к выводам должны иметь сечение не менее 2,5 мм. кв.
Что касается первичной обмотки, то для последовательного соединения нужно соединить между собой выводы 1 и 1\’. Провода с вилкой для подключения к сети нужно припаять к выводам 2 и 2\’. На этом с трансформатором работы завершены.
Далее нужно сделать диодный мост. Для этого потребуется 4 диода, способных работать с током в 10 А и выше. Для этих целей подойдут диодные мосты Д242 или аналоги Д246, Д245, Д243.
На схеме указано, как должно производится подключение диодов – к диодному мосту припаиваются провода, идущие от выводов 10 и 10\’, а также провода, которые будут идти к АКБ.
Не стоит забывать и о предохранителях. Один из них рекомендуется установить на «плюсовом» выводе с диодного моста. Этот предохранитель должен быть рассчитан на ток не более 10 А. Второй предохранитель (на 0,5 А) нужно установить на выводе 2 трансформатора.
Перед началом зарядки лучше проверить работоспособность устройства и проверить его выходные параметры при помощи амперметра и вольтметра.
Иногда бывает, что сила тока несколько больше, чем требуется, поэтому некоторые в цепь установить 12-вольтовую лампу накаливания с мощностью от 21 до 60 Ватт. Эта лампа «заберет» на себя излишки силы тока.
ЗУ из микроволновой печи
Некоторые автолюбители используют трансформатор от сломанной микроволновой печи. Но этот трансформатор нужно будет переделывать, поскольку он является повышающим, а не понижающим.
Необязательно, чтобы трансформатор был исправен, поскольку в нем зачастую сгорает вторичная обмотка, которую в процессе создания устройства все равно придется удалять.
Переделка трансформатора сводится к полному удалению вторичной обмотки, и намотки новой.
В качестве новой обмотки используется изолированный провод сечением не менее 2,0 мм. кв.
При намотке нужно определиться с количеством витков. Можно сделать это экспериментально – намотать на сердечник 10 витков нового провода, после чего к его концам подсоединить вольтметр и запитать трансформатор.
По показаниям вольтметра определяется, какое напряжение на выходе обеспечивают эти 10 витков.
К примеру, замеры показали, что на выходе есть 2,0 В. Значит, 12В на выходе обеспечат 60 витков, а 13 В – 65 витков. Как вы поняли, 5 витков добавляет 1 вольт.
Схема.
Ну а далее все делается, как описано выше – изготавливается диодный мост, производится соединение всех составных элементов и проверяется работоспособность.
Стоит указать, что сборку такого зарядного устройства лучше производить качественно, затем все составные части поместить в корпус, который можно изготовить из подручных материалов. Или смонтировать на основу.
Обязательно следует пометить где «плюсовой» провод, а где — «минусовой», чтобы не «переплюсовать», и не вывести из строя прибор.
ЗУ из блока питания АТХ (для подготовленных)
Более сложную схему имеет зарядное устройство, изготовленное из компьютерного блока питания.
Для изготовления устройства подойдут блоки мощностью не менее 200 Ватт моделей АТ или АТХ, которые управляются контроллером TL494 или КА7500. Важно, чтобы блок питания был полностью исправен. Не плохо себя показала модель ST-230WHF из старых ПК.
Фрагмент схемы такого зарядного устройства представлена ниже, по ней и будем работать.
Помимо блока питания также потребуется наличие потенциометра-регулятора, подстроечный резистор на 27 кОм, два резистора мощностью 5 Вт (5WR2J) и сопротивлением 0,2 Ом или один С5-16МВ.
Начальный этап работ сводится к отключению всего ненужного, которыми являются провода «-5 В», «+5 В», «-12 В» и «+12 В».
Резистор, указанный на схеме как R1 (он обеспечивает подачу напряжения +5 В на вывод 1 контроллера TL494) нужно выпаять, а на его место впаять подготовленный подстроечный резистор на 27 кОм. На верхний вывод этого резистора нужно подвести шину +12 В.
Вывод 16 контроллера следует отсоединить от общего провода, а также нужно перерезать соединения выводов 14 и 15.
В заднюю стенку корпуса блока питания нужно установить потенциометр-регулятор (на схеме – R10). Устанавливать его нужно на изоляционную пластину, чтобы он не касался корпуса блока.
Через эту стенку следует также вывести проводку для подключения к сети, а также провода для подключения АКБ.
Чтобы обеспечить удобство регулировки прибора из имеющихся двух резисторов на 5 Вт на отдельной плате нужно сделать блок резисторов, подключенных параллельно, что обеспечит на выходе 10 Вт с сопротивлением 0,1 Ом.
Далее изготовленная плата устанавливается в корпус и производится подключение всех выводов согласно схеме.
Затем следует проверить правильность соединения всех выводов и работоспособность прибора.
Финальной работой перед завершением сборки является калибровка устройства.
Для этого ручку потенциометра следует установить в среднее положение. После этого на подстроечном резисторе следует установить напряжение холостого хода на уровне 13,8-14,2 В.
Если все правильно выполнить, то при начале зарядки батареи на нее будет подаваться напряжение в 12,4 В с силой тока в 5,5 А.
По мере зарядки АКБ напряжение будет возрастать до значения, установленного на подстроечном резисторе. Как только напряжения достигнет этого значения, сила тока начнет снижаться.
Если все рабочие параметры сходятся и прибор работает нормально, остается только закрыть корпус для предотвращения повреждения внутренних элементов.
Данное устройство из блока АТХ очень удобно, поскольку при достижении полного заряда батареи, автоматически перейдет в режим стабилизации напряжения. То есть перезарядка АКБ полностью исключается.
Для удобства работ можно дополнительно прибор оснастить вольтметром и амперметром.
Итог
Это только несколько видов зарядных устройств, которые можно изготовить в домашних условиях из подручных средств, хотя вариантов их значительно больше.
Особенно это касается зарядных устройств, которые изготавливаются из блоков питания компьютера.
Если у вас есть опыт в изготовлении таких устройств делитесь им в комментариях, многие буду очень признательны за это.
autotopik.ru
СХЕМА АВТОМАТИЧЕСКОГО ЗАРЯДНОГО УСТРОЙСТВА
Применение надёжных зарядных устройств является одним из главных условий стабильной и продолжительной работы автоаккумулятора. Зарядное устройство Кедр заслужило доверие у большого количества пользователей. Простое в эксплуатации и многофункциональное, это недорогое автоматизированное ЗУ пользуется стабильным спросом у бывалых водителей и у новичков-автомобилистов.Характеристики зарядного устройства Кедр-Авто 4А
— Номинальное напряжение питающей сети, В 220
— Частота сети, Гц 50
— Зарядный ток, А (макс.) 4 A
Принципиальная электрическая схема АЗУ
Печатная плата и подключение АЗУ
Если нет возможности купить его, можно без проблем собрать самому. Что я и сделал. Транзисторы применил импортные вс556b (pnp) и bc337-40 (npn) вместо кт315 и кт361. На фото заводская плата зарядного и моя самодельная.
Заводская плата автоматического зарядного
Самодельная сборка платы
Собрал данное устройство, проверил — работает отлично, мне нравится. Это зарядное устройство имеет:
— режим автомат — режим десульфат
— защиту при неправильном подключении и коротком замыкании.
Форум по АЗУ КЕДР-М
Обсудить статью СХЕМА АВТОМАТИЧЕСКОГО ЗАРЯДНОГО УСТРОЙСТВА
radioskot.ru
Зарядные устройства — Автолайн70
Наступает период холодов и одна из типичных проблем, с которой часто сталкиваются автолюбители это разряженный аккумулятор вашего автомобиля. В процессе эксплуатации автомобильный аккумулятор заряжается генератором, но его мощности часто оказывается недостаточно, особенно в осеннее и зимнее время, когда отапливается салон и включены фары, габаритные огни и освещение. В холодное время отдача аккумуляторов снижается, поэтому риск их разрядки в самый неподходящий момент возрастает. Конечно можно завести двигатель методом прикуривания от аккумулятора другого автомобиля или как говорится «с толкача», но эти способы не только не решат возникшую проблему, но и могут быть небезопасными для электроники вашего автомобиля. А если учесть, что желающих потолкать чужой автомобиль или предоставить свой аккумулятор постороннему человеку обычно немного, то надеяться на благополучный исход данной ситуации вам вряд ли придется. На самом деле проблема решается довольно просто — купить зарядно-пусковое устройство для автомобиля.
Прежде чем покупать зарядное устройство для автомобильного аккумулятора, необходимо определиться с типом аккумулятора, установленного на вашем автомобиле. Аккумуляторы бывают обслуживаемые и необслуживаемые, свинцово-кислотные с контролирующим клапаном, с содержанием гелиевых клеток. Необходимо учитывать, что не все зарядные устройства подходят под все типы аккумуляторов.
Чем зарядные устройства отличаются друг от друга.
Различие первое — схема заряда (заряд с фиксированным значением тока заряда или заряд при постоянном значении напряжения). При заряде с фиксированным значением тока аккумулятор можно зарядить полностью. Однако на завершающей стадии зарядки сильно повысится температура электролита, что может уменьшить срок службы аккумулятора. Если же аккумулятор заряжать при постоянном значении напряжения, то не возникнет необходимости контроля зарядки, электролит не перегреется и не закипит. Однако в этом случае аккумулятор не зарядится полностью из-за большого падения тока в конце зарядки. По этим причинам наиболее продвинутые зарядные устройства используют комбинированную схему зарядки. То есть вначале аккумулятор заряжается при постоянном значении тока, а затем стабилизируется напряжение и начинает спадать ток. Такие устройства называют автоматическими.
Различие второе — способ заряда (трансформаторные или импульсные ЗУ). Трансформаторные устройства работают без преобразования частоты. Такие зарядные устройства наделены большим и тяжелым трансформатором и выпрямителем. Ведь все, что нужно, — это преобразовать переменный ток с напряжением в сети 220 В в постоянный ток с напряжением около 12 В. Импульсные зарядные устройства также наделены трансформатором, но маленьким и легким, работающим на более высоких частотах.
Различие третье — источник питания. Существуют зарядные устройства, работающие от электрической сети и от прикуривателя в автомобиле. Зарядные устройства, работающие от обычной электрической сети, очень просты в обращении и удобны. Если у вас есть электричество в гараже, то аккумулятор можно оставить на подзарядку на расчетное время. Двенадцативольтовые зарядные устройства, работающие от прикуривателя, самые быстрые зарядные устройства. Многие из них могут регулировать скорость подзарядки в зависимости от емкости аккумулятора. Однако, эти зарядные устройства не следует оставлять подключенными на длительное время, так как существует большая вероятность перезарядки батареи.
Различие четвёртое — назначение ЗУ - зарядно-пусковые (пуско-зарядные) устройства или зарядно-предпусковые (зарядные) устройства. Первый тип не только более мощный, но и может работать в двух режимах: пуска двигателя и заряда аккумулятора. Выводные провода у них сделаны значительно толще, чем в обычных зарядных устройствах, но и цена зарядного устройства этого типа выше. Зарядное устройство для автомобильного аккумулятора, в связи с малым значением рабочего тока, способно только заряжать или подзаряжать аккумуляторы. Но зато такие устройства допускают их подключение к аккумуляторам, не отсоединяя последних от сети автомобиля.
Два совета по выбору зарядное устройство для автомобильного аккумулятора:
Первое — рекомендуется обратить внимание на величину зарядного (пускового) тока. Выбирать зарядное устройство необходимо с некоторым запасом по этому параметру. Во-первых, зарядное устройство не будет работать на пределе своей мощности, а во-вторых, появляется возможность заряда аккумуляторов большей емкости в случае возникновения такой необходимости. К тому же чем выше сила зарядного тока, тем быстрее происходит зарядка аккумуляторов.
Второе — при выборе схемы заряда следует выбирать автоматические зарядные устройства, которые обеспечивают заряд комбинированным способом. Во-первых на таком зарядном устройстве, как правило, только один орган управления — потенциометр, задающий начальный ток заряда. Во-вторых на них существует два способа индикации такого тока (на Ваш вкус) — дискретная, то есть с помощью установленного в приборе индикатора зарядного тока (амперметра) или с помощью светодиодов, последняя менее точная, но более дешевая.
Современное зарядное устройство с цифровым индикатором
Чрезмерный ток заряда опасен для автомобильного аккумулятора. Особенно это актуально, когда батарея была сильно разряжена, а затем её подцепили заражаться от фиксированного напряжения 14 В. Большой ток губительно влияет на пластины с губчатым свинцом, разрушая их и уменьшая емкость аккумулятора.
Вот почему каждым производителем автомобильных аккумуляторов рекомендуется строго придерживаться зарядного тока, при котором батарея прослужит полностью свой срок эксплуатации. Обычно ток заряда равен 0.1 от указанной емкости.
Отличную стабилизацию тока обеспечивают сложные зарядные устройства на микроконтроллере. Стоимость таких зарядных сопоставима с новым аккумулятором для автомобиля. Поэтому есть смысл самому собрать микропроцессорное зарядное. Такое устройство автоматически отключается по истечении устанавливаемого времени заряжания от 1 до 10 часов, и точно поддерживает требуемый ток.
Плюс после выпрямительного моста VD1-VD4 напрямую выводится на аккумуляторную батарею, а минус подается через измерительный резистор R2, регулирующий тиристор VS1 и защитный диод VD8.
Для работы 8-разрядного микроконтроллера AT89c2051 требуется прошивка управления зарядным устройством, она в конце статьи в Прикрепленных файлах.
Запуск и остановка процесса зарядки осуществляется кнопкой S1. Только после нажатия на неё начинает работать цифровой индикатор HG1, на котором отображается время заряжания в часах. Сначала высвечивается цифра 9 и постепенно уменьшается до нуля, пока зарядное не отключится. Одновременно с нажатием кнопки, загорается светодиод HL1, сообщая о том, что аккумуляторная батарея начала заряжаться.
Уменьшение времени заряжания происходит при удержании кнопки S1 нажатой более 2 сек. При этом на цифровом дисплее каждые 2 сек. будет происходить обратный отсчет времени заряжания.
Величина зарядного тока регулируется переменным резистором R12.
Измерение зарядного тока осуществляется амперметром на 10 А, подключенным к измерительному резистору R2. Также сгодится миллиамперметр 1–10 мА, только его важно подключить к R2 через дополнительный токоограничивающий резистор.
По этой схеме можно собрать очень мощное зарядное устройство на ток вплоть до 100 А. Это осуществимо, если подобрать трансформатор, диодный мост, тиристор и резистор R2 соответствующими по мощности. И конечно же использовать для соединения многожильные медные провода сечением не меньше 35 мм. кв. в двойной изоляции.
Для точности измерения тока амперметром, резистор R2 должен удовлетворять условию — падение напряжения на нём должно составлять 1 В при максимально возможном токе заряда. Естественно, что резистор на 100 А, сопротивлением 0.01 Ом, намотанный 4-милиметровой нихромовой проволокой, придется устанавливать на отдельное крепление. Но для 10-амперного зарядного устройства достаточно сделать 4 витка нихромовой проволоки диаметром 1 мм вокруг прутка в 6 мм, а готовый резистор закрепить на плате при помощи винтов М3.
Схема управления зарядного устройства помещается на печатной плате размером 74х64 мм. Трансформатор на 100–120 Вт, диодный мост, тиристор, переменный резистор R12, кнопка S1, цифровой индикатор HG1, светодиод HL1 устанавливаются вне платы.
Настройка зарядного устройства производится со снятым микроконтроллером при первом включении. Поэтому для микросхемы AT89c2051 желательно предусмотреть гнездо на печатной плате.
После включения в розетку следует проверить, есть ли напряжение 5 В на стабилизаторе 142ЕН5. Важно также убедиться, что ни на одном контакте гнезда микроконтроллера нет напряжения свыше 5 В.
Затем вытягиваем вилку из розетки, вставляем микросхему в гнездо. На её выводе 3 должны наблюдаться импульсы в 1 сек. Если их нет, тогда следует проверить генерацию на одном из выводов кварцевого резонатора X1.
На выводе 2 микросхемы должны быть короткие импульсы 10 мс. Если их нет, тогда надо проверить наличие таких же импульсов на выводе 6.
После нажатия на кнопку S1 должен засветиться светодиод HL1 и пойти ток на зарядку аккумулятора.
Порядок работы с зарядным устройством: подсоединять и отсоединять аккумуляторную батарею только при отсутствии зарядного тока, когда светодиод и цифровой индикатор не светятся. После погасания светодиода аккумулятор можно отсоединить, процесс зарядки завершен.
Прикрепленные файлы: СКАЧАТЬ
Автор: Попов Евгений Александрович
Схема выравнивания износа для подсистем памяти BRADSHAW; Сэмюэл Э.; & nbsp et al. [Micron Technology, Inc.]
Заявка на патент США № 17/018636 была подана в патентное ведомство 31 декабря 2020 года на схему выравнивания износа для подсистем памяти . Заявитель, указанный для этого патента, — Micron Technology, Inc. Авторы изобретения: Samuel E. BRADSHAW, Justin ENO.
| Номер заявки | 20200409837 17/018636 |
| Идентификатор документа | / |
| Идентификационный номер семьи | 1000005080155 |
| Дата подачи | |
| 32-31 Патент США Приложение | 20200409837 |
| Код вида | A1 |
| BRADSHAW; Сэмюэл Э.; et al. | 31 декабря 2020 г. |
Схема выравнивания износа для подсистем памяти
Аннотация
Процесс выравнивания износа для подсистемы памяти выбирает источник кусок, который нужно удалить из пригодного для использования адресного пространства памяти подсистема для распределения износа по всем доступным чанкам в подсистема памяти. Подсистема памяти имеет множество компоненты энергонезависимой памяти. Множество энергонезависимых Компоненты памяти включают в себя множество блоков, включая, по меньшей мере, один кусок неиспользуемого адресного пространства подсистемы памяти.В процесс выравнивания износа копирует действительные данные исходного блока в целевой фрагмент в неиспользуемом адресном пространстве памяти подсистемы и назначает целевой фрагмент местоположению в используемое адресное пространство подсистемы памяти, занимаемое источником кусок.
| Изобретателей: | BRADSHAW; Samuel E. ; (Сакраменто, Калифорния) ; ENO; Justin ; (Эльдорадо Хиллз, CA) | ||||||||||
| Заявитель: |
| ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Семейный ID: | 1000005080155 | ||||||||||
| Прил. №: | 17/018636 | ||||||||||
| Записано: | 11 сентября 2020 |
Связанные патентные документы США
| Приложение Число | Дата подачи | Номер патента | ||
|---|---|---|---|---|
| 16127025 | 10 сен.2018 | 10795810 | ||
| 17018636 | ||||
| Ток U.С. Класс: | 1/1 |
| Текущая цена за клик Класс: | G06F 3/0647 20130101; G06F 12/0246 20130101; G06F 2212/7211 20130101; G06F 3/0679 20130101; G06F 2212/7201 20130101; G06F 3/0616 20130101; G06F 12/1009 20130101 |
| Международный Класс: | G06F 12/02 20060101 G06F012 / 02; G06F 12/1009 20060101 G06F012 / 1009; G06F 3/06 20060101 G06F003 / 06 |
Претензии
1.Способ, включающий: выбор исходного фрагмента для удаления из используемое адресное пространство подсистемы памяти, подсистема памяти имея множество компонентов энергонезависимой памяти, множество компонентов энергонезависимой памяти, включая множество блоков включая несколько фрагментов в используемом адресном пространстве и как минимум один кусок неиспользуемого адресного пространства подсистемы памяти, при этом исходный фрагмент выбирается с использованием адреса, обозначенного указатель обмена; копирование действительных данных исходного блока в целевой фрагмент в неиспользуемом адресном пространстве памяти подсистема; обновление таблицы виртуализации для отслеживания назначения блок назначения в место в используемом адресном пространстве подсистема памяти, занятая исходным блоком; и обновление обменять указатель, увеличивая или уменьшая адрес на значение обновления для определения следующего местоположения исходного фрагмента в используемом адресное пространство.
2. Способ по п.1, в котором выбор исходного фрагмента дополнительно включает в себя идентификацию исходного фрагмента с помощью ротации считать.
3. Способ по п.1, дополнительно включающий: назначение источника блок в неиспользуемое адресное пространство подсистемы памяти.
4. Способ по п.1, дополнительно содержащий: определение того, соблюдены критерии политики, чтобы запустить копирование действительных данных в целевой фрагмент.
5. Способ по п.1, копирование действительных данных в дальнейшем. содержащий: выполнение поэтапной миграции действительных данных в целевой блок, фазовая миграция, обновляющая таблица перед миграцией с битом фазы на отображение и таблица после миграции с битом фазы на отображение для отслеживания состояния миграция.
6. Способ по п.1, в котором выбор фрагмента включает в себя выбор полосы фрагментов для одновременного переноса.
7. Способ по п.1, в котором обновление таблицы виртуализации для отслеживания назначения целевого фрагмента включает обновление таблица виртуализации для отображения логического расположения пункта назначения фрагмент в физическое место для фрагмента назначения в подсистема памяти.
8. Подсистема памяти, содержащая: множество энергонезависимых компоненты памяти, множество компонентов энергонезависимой памяти определение множества фрагментов, включая, по меньшей мере, один фрагмент в неиспользуемое адресное пространство подсистемы памяти; и процессор соединенный с множеством компонентов энергонезависимой памяти, процессор в: переносить действительные данные первого фрагмента в пригодный для использования адресного пространства подсистемы памяти для второго фрагмента в неиспользуемое адресное пространство подсистемы памяти, при этом первое чанк выбирается с использованием адреса, идентифицированного обменом указатель, обновите информацию отображения, чтобы включить косвенную адресацию данных во втором блоке в используемом адресном пространстве подсистемы памяти и обновите указатель обмена, увеличивая или уменьшение адреса на значение обновления для определения следующего местоположение исходного блока в доступном адресном пространстве.
9. Подсистема памяти по п. 8, в которой процессор далее, чтобы изменить отображение логических адресов для допустимых данных из от первого фрагмента ко второму фрагменту.
10. Подсистема памяти по п. 8, в которой процессор представляет собой далее, чтобы определить, соблюдены ли критерии политики для запуска перенос действительных данных во второй блок.
11. Подсистема памяти по п. 8, в которой процессор в дальнейшем осуществить миграцию действительных данных во вторую фрагмент как фазовая миграция, фазовая миграция в обновить таблицу перед миграцией, указав бит фазы на сопоставление и таблица после миграции с битом фазы на отображение для отслеживания состояния миграция.
12. Подсистема памяти по п. 8, в которой процессор далее, чтобы выбрать полосу фрагментов, включая первый фрагмент для мигрировать одновременно.
13. Подсистема памяти по п. 8, в которой процессор далее, чтобы выбрать первый кусок, используя счетчик вращения.
14. Подсистема памяти по п. 8, в которой процессор далее, чтобы обновить таблицу виртуализации, чтобы сопоставить логическое местоположение в физическое расположение данных во втором блоке.
15. Энергонезависимый машиночитаемый носитель данных, содержащий инструкции, которые при выполнении устройством обработки вызывают устройство обработки, чтобы: выбрать исходный фрагмент, который нужно удалить из используемое адресное пространство подсистемы памяти, подсистема памяти имея множество компонентов энергонезависимой памяти, множество компонентов энергонезависимой памяти, включая множество блоков включая несколько фрагментов в используемом адресном пространстве и как минимум один кусок неиспользуемого адресного пространства подсистемы памяти, при этом исходный фрагмент выбирается с использованием адреса, обозначенного указатель обмена; скопировать действительные данные исходного блока в целевой фрагмент в неиспользуемом адресном пространстве памяти подсистема; обновить таблицу виртуализации, чтобы отслеживать назначение целевой фрагмент в место в используемом адресном пространстве подсистема памяти, занятая исходным чанком; и обновите обменять указатель, увеличивая или уменьшая адрес на значение обновления для определения следующего местоположения исходного фрагмента в используемом адресное пространство.
16. Энергонезависимый машиночитаемый носитель информации по п. 15, при этом выбор исходного фрагмента дополнительно включает в себя идентификацию исходный фрагмент с использованием счетчика вращения.
17. Энергонезависимый машиночитаемый носитель информации по п. 15, устройство обработки дополнительно: назначить исходный фрагмент для неиспользуемое адресное пространство подсистемы памяти.
18. Энергонезависимый машиночитаемый носитель информации по п. 15, устройство обработки дополнительно для: определения того, соблюдены критерии для запуска копирования действительных данных в целевой фрагмент.
19. Энергонезависимый машиночитаемый носитель информации по п. 15, копирование действительных данных, дополнительно содержащее: выполнение поэтапная миграция допустимых данных в целевой блок, фазовая миграция, обновляющая таблицу перед миграцией с помощью фазовый бит на сопоставление и таблица после миграции с фазовым битом на сопоставление для отслеживания состояния миграции.
20. Энергонезависимый машиночитаемый носитель информации по п. 15, где выбор фрагмента включает в себя выбор полосы фрагменты, которые необходимо перенести одновременно.
Описание
ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА РОДСТВЕННЫЕ ЗАЯВКИ
[0001] Эта заявка является продолжением патента США. приложение Ser. № 16/127 025, поданная 10 сентября 2018 г., настоящим включен в качестве ссылки.
ТЕХНИЧЕСКАЯ ОБЛАСТЬ
[0002] Настоящее раскрытие в целом относится к подсистеме памяти. управление, а более конкретно, относится к выравниванию износа схема для подсистем памяти.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
[0003] Подсистема памяти может быть системой хранения, такой как твердотельный накопитель (SSD) и может включать в себя одну или несколько модулей памяти компоненты, хранящие данные.Компоненты памяти могут быть для например, компоненты энергонезависимой памяти и энергозависимой памяти составные части. В общем, хост-система может использовать память подсистема для хранения данных в компонентах памяти и извлечения данные из компонентов памяти.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0004] Раскрытие будет понятнее из подробное описание приведено ниже и с сопроводительных чертежей различных вариантов раскрытия. Однако рисунки не следует ограничивать раскрытие конкретной варианты осуществления, но предназначены только для объяснения и понимания.
[0005] Фиг. 1 иллюстрирует пример вычислительной среды, которая включает подсистему памяти.
Фиг. 2 представляет собой блок-схему одного варианта процесса для выравнивание износа в подсистеме памяти
Фиг. 3 — схема примера перехода от логического к физическому. отображение.
Фиг. 4 — диаграмма другого примера логического физическое отображение кристалла.
Фиг. 5 представляет собой блок-схему примера выравнивания износа. процесс.
Фиг.6 — схема примерного выравнивания износа на основе блоков. процесс.
Фиг. 7 — схема примерного выравнивания износа на основе блоков. процесс.
Фиг. 8 — схема примерного выравнивания износа на основе блоков. процесс.
Фиг. 9 — схема примерного выравнивания износа на основе блоков. процесс.
Фиг. 10 представляет собой диаграмму примера выравнивания износа. процесс.
Фиг. 11 — блок-схема примера выравнивания износа. процесс.
Фиг. 12 — блок-схема примерной компьютерной системы в какие варианты осуществления настоящего раскрытия могут работать.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
[0017] Аспекты настоящего раскрытия направлены на выравнивание износа в подсистеме памяти. Подсистема памяти также в дальнейшем именуемое «запоминающее устройство». Пример подсистема памяти — это модуль памяти, подключенный к центральному процессор (ЦП) через шину памяти. Примеры модулей памяти включает в себя модуль памяти с двумя линиями (DIMM), небольшой контур DIMM (SO-DIMM), энергонезависимый двухрядный модуль памяти (NVDIMM) и т. Д.Другой пример подсистемы памяти — запоминающее устройство, которое подключен к центральному процессору (ЦП) через периферийное устройство соединение (например, шина ввода / вывода, сеть хранения данных, так далее.). Примеры устройств хранения включают твердотельный накопитель. (SSD), флэш-накопитель, флэш-накопитель с универсальной последовательной шиной (USB) и жесткий диск (HDD). В некоторых вариантах реализации подсистема памяти представляет собой гибридную подсистему памяти / хранения. Как правило, хост-система может использовать подсистему памяти, которая включает в себя одну или несколько памяти составные части.Хост-система может предоставлять данные для хранения в подсистема памяти и может запрашивать данные для извлечения из подсистема памяти.
[0018] В вариантах осуществления запоминающее устройство, включающее в себя подсистема памяти реализует процесс выравнивания износа в подсистема памяти. Подсистема памяти включает в себя набор компоненты энергонезависимой памяти. «Набор», как здесь используется, относится к любое положительное целое количество элементов, включая один элемент. Набор Компоненты энергонезависимой памяти определяют набор блоков, которые подразделения компонентов памяти.Набор чанков включает по крайней мере, один кусок в неиспользуемом адресном пространстве памяти подсистема. Таким образом, блок в неиспользуемом адресном пространстве не может быть прочитано или записано хост-системой. Подсистема памяти может включить контроллер. Контроллер может включать в себя процессор коммуникативно прикреплен к набору энергонезависимой памяти составные части.
[0019] Процессор включает в себя компонент переназначения выравнивания износа. реализующий схему выравнивания износа. Выравнивание износа remapper переносит действительные данные из блока в пригодное для использования адресное пространство подсистемы памяти в другой фрагмент неиспользуемого адреса пространство подсистемы памяти.Перенос этих данных позволяет улучшенное выравнивание износа компонентов энергонезависимой памяти. В Кроме того, устройство переназначения выравнивания износа поддерживает и обновляет отображение информация для включения косвенной адресации данных в кусках в используемое адресное пространство подсистемы памяти. Выравнивание износа remapper переносит данные на блоки в неиспользуемом адресном пространстве, а затем переназначает эти фрагменты в используемое адресное пространство памяти подсистема. Таким образом, устройство переназначения выравнивания износа реализует схема, которая распределяет износ по всем кускам, включая эти куски которые, возможно, не использовались, потому что они находились за пределами адресное пространство подсистемы памяти.Увеличение количества участвующие куски улучшают выравнивание износа, распределяя износ по большее количество фрагментов, что позволяет всем фрагментам иметь более длительный срок эксплуатации.
[0020] Таким образом, аспекты настоящего раскрытия относятся к недостатки искусства, когда блоки в неиспользуемом адресном пространстве не участвуют в процессах выравнивания износа и вызывают образование кусков в доступное адресное пространство для сокращения срока службы.
Фиг. 1 иллюстрирует пример вычислительной среды 100, которая включает подсистему 110 памяти в соответствии с некоторыми вариантами осуществления настоящего раскрытия.Подсистема 110 памяти может включать в себя носители, такие как компоненты памяти с 112A по 112N. Память компоненты с 112A по 112N могут быть компонентами энергозависимой памяти, компоненты энергонезависимой памяти или их комбинация. В некоторых В вариантах осуществления подсистема памяти представляет собой систему хранения. Пример системы хранения — SSD. В некоторых вариантах осуществления память подсистема 110 является гибридной подсистемой памяти / хранения. В целом вычислительная среда 100 может включать в себя хост-систему 120, которая использует подсистема памяти 110.Например, хост-система 120 может записывать данные в подсистему 110 памяти и читать данные из подсистема памяти 110.
[0022] Хост-система 120 может быть вычислительным устройством, таким как настольный компьютер, портативный компьютер, сетевой сервер, мобильное устройство, или такое вычислительное устройство, которое включает в себя память и процессор устройство. Хост-система 120 может включать в себя память или быть связана с ней. подсистема 110, так что хост-система 120 может считывать данные из или записывать данные в подсистему 110 памяти. Хост-система 120 может быть связан с подсистемой 110 памяти через физический интерфейс хоста.Используемый здесь термин «соединенный с» обычно относится к соединению. между компонентами, что может быть косвенным коммуникативным соединение или прямое коммуникативное соединение (например, без промежуточные компоненты), проводные или беспроводные, в том числе такие соединения, как электрические, оптические, магнитные и т. д. Примеры физический интерфейс хоста включает, помимо прочего, последовательный интерфейс подключения передовых технологий (SATA), периферийное устройство компонентный интерфейс Express (PCIe), универсальный последовательный интерфейс шины (USB), Fibre Channel, Serial Attached SCSI (SAS), и т.п.Физический интерфейс хоста может использоваться для передачи данных между хост-системой 120 и подсистемой 110 памяти. Хост система 120 может дополнительно использовать интерфейс NVM Express (NVMe) для доступ к компонентам памяти 112A — 112N, когда подсистема памяти 110 связан с хост-системой 120 через интерфейс PCIe. В физический интерфейс хоста может предоставить интерфейс для передачи управление, адрес, данные и другие сигналы между памятью подсистема 110 и хост-система 120.
Компоненты памяти с 112A по 112N могут включать в себя любые сочетание различных типов энергонезависимой памяти компоненты и / или компоненты энергозависимой памяти.Пример Компоненты энергонезависимой памяти бывают отрицательного и (NAND) типа флэш-память. Каждый из компонентов памяти 112A-112N может включать один или несколько массивов ячеек памяти, например одноуровневые ячейки (SLC) или многоуровневые ячейки (MLC) (например, трехуровневые ячейки (TLC) или четырехуровневые ячейки (QLC)). В некоторых вариантах реализации конкретный компонент памяти может включать в себя как часть SLC, так и MLC часть ячеек памяти. Каждая из ячеек памяти может хранить одну или более битов данных (например, блоков данных), используемых хост-системой 120.Хотя компоненты энергонезависимой памяти типа NAND описаны флэш-память, компоненты памяти с 112A по 112N могут основываться на любом другом типе памяти, например, на энергозависимой памяти. В в некоторых вариантах осуществления компоненты памяти с 112A по 112N могут быть, но не ограничиваются, оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), динамическая оперативная память (DRAM), синхронная динамическая оперативная память (SDRAM), память с фазовым переходом (PCM), магнето оперативная память (MRAM), флеш-память с отрицательным или отрицательным (NOR) электрически стираемая программируемая постоянная память (EEPROM).В PCM может быть двухмерным или трехмерным массивом энергонезависимые ячейки памяти. Массив энергонезависимой памяти может выполнять хранение бит на основе изменения объемного сопротивления, в в сочетании с наращиваемым массивом доступа к данным с перекрестной сеткой. Кроме того, в отличие от многих запоминающих устройств на основе флэш-памяти, массив на основе Энергонезависимая память PCM может выполнять операцию записи на месте, где энергонезависимая ячейка памяти может быть запрограммирована без ранее стираемая ячейка энергонезависимой памяти. Кроме того, Ячейки памяти компонентов памяти с 112A по 112N могут быть сгруппированы как страницы памяти или блоки данных, которые могут относиться к единице компонент памяти, используемый для хранения данных.
[0024] В одном варианте осуществления технология PCM, изменяющая основную сопротивление материала создает массив нелетучих элементы памяти компонентов памяти с 1124A по 112N, включая массив, который является трехмерным (3D). В одном варианте осуществления халькогенидное стекло обеспечивает материал для строительства хранилища элементы, а также соответствующие селекторы. Множественность кости, образующие компоненты памяти с 112A по 112N, могут быть размещены в различные способы. В одном варианте выполнения игральные кости с 1 по n (где n — целое число) компонентов памяти с 112A по 112N может представлять кости различных описанных вариантов осуществления этого раскрытия.В Контроллер 115 подсистемы памяти соединен с компонентами 112A памяти на 112N через линии доступа, такие как битовые линии, линии слов, управление линий, чтобы получить доступ к компонентам памяти с 112A по 112N для выполнения различные операции, такие как чтение, запись, стирание и т. д.
[0025] Количество компонентов памяти, формирующих кости, с 112A по 112N варьируется в зависимости от того, сколько памяти желательно или предназначено для система. Например, 128 игральных костей могут обеспечить 2 терабайта хранилище, а 256 кубиков обеспечивают 4 терабайта.
[0026] Контроллер 115 системы памяти (далее именуемый «контроллер») может связываться с компонентами 112A памяти для 112N для выполнения таких операций, как чтение данных, запись данных или стирание данных в компонентах памяти с 112A по 112N и других подобных операции.Контроллер 115 может включать в себя оборудование, такое как одно или больше интегральных схем и / или дискретных компонентов, буфер память или их комбинация. Контроллер 115 может быть микроконтроллер, логическая схема специального назначения (например, поле программируемая вентильная матрица (FPGA), интегрированная для конкретного приложения схему (ASIC) и т. д.) или другой подходящий процессор. Контроллер 115 может включать в себя процессор (устройство обработки) 117, сконфигурированный для выполнять инструкции, хранящиеся в локальной памяти 119. На проиллюстрированном Например, локальная память 119 контроллера 115 включает в себя встроенная память, сконфигурированная для хранения инструкций по выполнению различные процессы, операции, логические потоки и процедуры, которые управлять работой подсистемы 110 памяти, включая обработку связь между подсистемой 110 памяти и хост-системой 120.В некоторых вариантах осуществления локальная память 119 может включать в себя память. регистры, в которых хранятся указатели памяти, полученные данные и т. д. память 119 может также включать постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) для хранения микрокод. Хотя примерная подсистема 110 памяти на фиг. 1 имеет проиллюстрирован как включающий контроллер 115, в другом В варианте осуществления настоящего раскрытия подсистема 110 памяти может не включать контроллер 115, а вместо этого может полагаться на внешние управление (например, обеспечивается внешним хостом, процессором или контроллер отдельно от подсистемы памяти).
[0027] Обычно контроллер 115 может принимать команды или операций из хост-системы 120 и может преобразовывать команды или операции в инструкции или соответствующие команды для достижения желаемый доступ к компонентам памяти с 112A по 112N. В контроллер 115 может нести ответственность за другие операции, такие как операции выравнивания износа, операции сборки мусора, ошибка обнаружение и исправление ошибок кодовых операций (ECC), шифрование операций, операций кэширования и преобразования адресов между адрес логического блока и адрес физического блока, которые связанные с компонентами памяти с 112A по 112N.Контроллер 115 может дополнительно включать схему интерфейса хоста для связи с хост-системой 120 через физический хост-интерфейс. Гостья схема интерфейса может преобразовывать команды, полученные от хоста система в командные инструкции для доступа к компонентам памяти 112A в 112N, а также конвертировать ответы, связанные с компоненты памяти 112A — 112N в информацию для главной системы 120.
[0028] Подсистема 110 памяти может также включать в себя дополнительные схемы или компоненты, которые не показаны.В некоторых В вариантах осуществления подсистема 110 памяти может включать в себя кэш или буфер (например, DRAM) и схемы адреса (например, декодер строк и декодер столбца), который может получать адрес от контроллера 115 и декодировать адрес для доступа к компонентам 112A памяти, чтобы 112N.
[0029] Подсистема 110 памяти включает в себя устройство переназначения выравнивания износа. компонент 113, который может увеличить срок службы памяти компоненты 112A — 112N. В некоторых вариантах реализации контроллер 115 включает, по крайней мере, часть компонента переназначения выравнивающего износа 113.Например, контроллер 115 может включать в себя процессор 117. (устройство обработки), сконфигурированное для выполнения инструкций, хранящихся в локальная память 119 для выполнения описанных здесь операций. В в некоторых вариантах осуществления компонент 113 устройства повторного нанесения выравнивающего износа является частью хост-системы 120, приложения или операционной системы.
[0030] Компонент 113 устройства переназначения выравнивания износа может реализовывать процесс выравнивания износа для манипулирования адресным пространством, чтобы охватить все фрагменты в компонентах памяти с 112A по 112N в случае, когда размер адресного пространства не совпадает с размером хранение в компонентах памяти с 112A по 112N.Дальнейшие подробности с что касается работы компонента переназначения выравнивания износа 113 описаны ниже. Техника (-ы) переназначения может быть применяется к различным устройствам энергонезависимой памяти (например, NAND запоминающие устройства). В некоторых случаях к устройствам памяти можно отнести как СМИ.
[0031] Носители на основе PCM и аналогичные технологии могут выдерживать фиксированное количество циклов записи до того, как частота ошибок по битам начнет становиться практически неуправляемый. Схема выравнивания износа может быть использована для поддерживать статическую емкость хранения в течение номинального срока службы любой компонент памяти на основе этой технологии.Количество циклов до того, как «отказ» этих компонентов памяти на основе PCM высок по сравнению с компонентами памяти на основе NAND. Варианты осуществления обеспечивают процесс выравнивания износа, подходящий для сред на основе ПКМ и аналогичная технология.
[0032] Варианты осуществления обеспечивают процесс выравнивания износа, который использует переназначение единиц компонентов памяти. Эти единицы могут быть «куски», которые в контексте настоящего описания относятся к единицам, которые имеют размер или степень детализации. В некоторых случаях процесс выравнивания износа может используйте куски размером с блок.»Блоки» в данном документе относятся к куски, которые являются произвольными кратными размерам управляемой единицы, вплоть до единый управляемый блок. «Управляемая единица», как здесь используется, относится к единица, которая представляет собой минимальную атомарную гранулярность записи для памяти подсистема.
Фиг. 2 — блок-схема процесса выравнивания износа. применимо к любому уровню детализации. Процесс может быть выполняется логикой обработки, которая может включать в себя оборудование (например, устройство обработки, схема, специализированная логика, программируемая логика, микрокод, аппаратная часть устройства, интегральная схема и т. д.), программное обеспечение (например, инструкции, выполняемые или выполняемые при обработке устройство) или их комбинацию. Хотя показано в частности последовательность или порядок, если не указано иное, порядок процессы могут быть изменены. Таким образом, проиллюстрированные варианты осуществления должны следует понимать только как примеры, а проиллюстрированные процессы могут выполняться в другом порядке, и некоторые процессы могут быть выполняется параллельно. Кроме того, один или несколько процессов могут быть опущено в различных вариантах осуществления. Таким образом, не все процессы требуется в каждом варианте.Возможны другие технологические потоки.
[0034] Процесс выравнивания износа описывается как выполняемый устройство 113 переназначения выравнивания износа и в отношении гранулярности фрагмента, которые, как изложено выше, могут иметь любой размер и степень детализации. В в процессе выравнивания износа используются запасные части, которые не находятся в используемое адресное пространство компонентов памяти с 112A по 112N. Таким образом, хост-система 120 не может получить доступ к этим фрагментам, поскольку они находятся в физическое адресное пространство, которое неизвестно или невидимо для хоста система 120.Устройство выравнивания износа поворачивает запасные части. в используемое или видимое адресное пространство, используя адрес косвенный перевод и миграция данных для уменьшения износа все блоки в подсистеме 110 памяти.
[0035] Процесс выравнивания износа может быть запущен необходимостью обслуживают запрос записи от хост-системы 120 или аналогичное событие. В процессе выравнивания износа выбирается исходный кусок, который нужно удалить из используемое адресное пространство компонентов памяти с 112A по 112N (Блок 201).Устройство 113 переназначения выравнивания износа может реализовывать любые алгоритм или метрика для выбора фрагмента, который нужно удалить из используемого адресное пространство компонентов памяти с 112A по 112N. Например, исходный фрагмент с большим количеством записей может быть выбран для уменьшения износа на этом куске.
[0036] Устройство 113 переназначения выравнивания износа копирует действительные данные в выбранный исходный фрагмент в целевой фрагмент (этап 203). В целевой фрагмент — это фрагмент, которого нет в используемом адресе пространство подсистемы памяти 110.Если их больше одного возможный целевой кусок, устройство 113 выравнивания износа может выберите один фрагмент из набора фрагментов в неиспользуемом адресе пространство подсистемы памяти 110. Устройство выравнивания износа 113 может использовать любой механизм выбора для определения блока назначения. Например, целевой блок с наименьшим счетчиком записи может быть выбрано.
[0037] Устройство 113 переназначения выравнивания износа назначает целевой блок в место в используемом логическом адресном пространстве памяти подсистема 110 (Блок 205).Пункт назначения, выбранный устройство 113 переназначения выравнивания износа может быть тем местом, которое в настоящее время удерживается исходным блоком. Таким образом, выравнивание износа remapper 113 меняет местами исходный фрагмент с целевым фрагментом в логическое адресное пространство подсистемы 110 памяти. устройство 113 переназначения выравнивания износа может обновлять таблицу виртуализации или аналогичный механизм для создания и поддержки виртуализированного представление подсистемы памяти 110. Конкретный пример варианты осуществления этого виртуализированного представления описаны здесь. ниже.Точно так же устройство 113 переназначения выравнивания износа может назначать исходный фрагмент в место за пределами используемого адресного пространства подсистема памяти 110 (блок 207) для завершения выравнивания износа процесс. Устройство 113 переназначения выравнивания износа обновляет виртуализацию. таблица или аналогичный механизм для удаления логической адресации исходный фрагмент и тем самым разместить его за пределами пригодного для использования адресного пространства подсистемы 110 памяти.
[0038] Варианты осуществления включают вариант, который предоставляется посредством пример, а не ограничение.Специалист в данной области техники поймет что аналогичные реализации и вариации на них возможны на основе принципов и структур, описанных в отношении представленные примеры. В одном варианте осуществления степень детализации блока равна определяется как кристалл в компонентах памяти с 112A по 112N. Смерть предлагает хранилище для фиксированного количества управляемых единиц. Умереть также имеет свойство иметь уникальный позиционный адрес или ранг на канал. Варианты осуществления достаточно гибкие, чтобы их можно было развернуть в разнообразие перестановок и гранулярностей, все реализующие принципы и структура выравнивания износа с помощью переназначения возможности.
[0039] В этом примерном варианте осуществления набор компонентов 112A памяти до 112N включают запасные кости. Запасные кости — это кости, у которых нет логические адреса в логическом адресном пространстве памяти подсистема 110, используемая главной системой 120. Выравнивание износа компонент 113 переназначения может динамически вращать запасные кости через видимое или используемое адресное пространство, распределяя износ среди всех кости в подсистеме памяти 110. Видимый или полезный адрес пространство — это адресное пространство, видимое или доступное для хост-системы 120.Процесс выравнивания износа вариантов осуществления может быть развернут как единственный механизм управления износом, если подсистема памяти 110 может выдерживать некоторую степень изменения износа внутри штампа или сочетание с одной или несколькими дополнительными схемами, которые распределяют носить внутри штампа. Процесс выравнивания износа в вариантах осуществления допускает одновременный доступ пользователей и безопасен при потере питания, при условии, что небольшой объем данных можно сделать постоянным в событие потери мощности. Процесс выравнивания износа повторно заполняет состояние, когда мощность повторно подается и продолжает процесс выравнивания износа с восстановленное состояние.
[0040] На процесс выравнивания износа влияет преобразование адресов. в подсистеме 110 памяти. Процесс выравнивания износа основан на поток статической трансляции адресов с использованием обновления на месте (т.е. перезапись) возможность компонентов 112A памяти для 112N (например, компоненты памяти на основе PCM). В одном варианте осуществления хост логический адрес системы 120 отображается на конкретный набор физические страницы. В других вариантах осуществления другой логический адрес могут использоваться схемы физических адресов.Полезный логический адрес к физической модели страницы для переназначения кристалла предоставляется способом иллюстраций, а не ограничений.
[0041] Если фиксированный, алгоритмический логический адрес в физический отношения были использованы, тогда не было бы возможности ввести косвенное обращение в поток трансляции адресов. В варианты осуществления процесса выравнивания степени износа матрицы определяют процесс виртуализации на основе таблиц. Настольный процесс виртуализации вводится в преобразование адресов поток контроллера 115 для поддержки виртуализации.`Умри виртуализация, как здесь используется, относится к наложению логических игральные кости, которые могут быть динамически сопоставлены с набором физических кубиков в подсистема 110 памяти. Устройство 113 переназначения выравнивания износа управляет таблица виртуализации. Таблица виртуализации индексируется логический кристалл и имеет одну запись на физический кристалл в топологии умирает в компонентах памяти с 112A по 112N.
Фиг. 3 — схема примерной таблицы виртуализации. представление для виртуализации кристалла как часть гранулярности кристалла процесс выравнивания износа.Таблицу виртуализации не нужно сохранить логический адрес кристалла. Логический адрес кристалла может быть подразумевается смещением любой конкретной записи в виртуализации Таблица. Пример иллюстрированной таблицы виртуализации сокращен: как показано зазором между логической матрицей 11 и 55 для краткости. Таблица виртуализации представляет собой топологию кристалла, которая состоит из 64 игральных костей по 16 физическим каналам (т. е. идентифицированных как каналы с 0 по 15), из которых один кристалл является запасным. Первоначально запасной кристалл находится на физическом канале 15, смещение 3, который показан внизу таблицы.Левая В таблице виртуализации показано начальное начальное сопоставление. В В правой таблице виртуализации показано переназначение запасного кристалла в логическое адресное пространство, соответствующее логической матрице 5. устройство 113 переназначения выравнивания износа переназначает матрицу со смещением 0 канала 5 на больше не имеют логического адреса. Таким образом, матрица на канале 5 смещения 0 больше не находится в используемом адресном пространстве и считается запасной кубик.
[0043] В этом примере манипулирование таблицей виртуализации для переназначить кристалл меняет местами записи в иллюстрированной виртуализации стол для виртуализации кристалла.Если источник подкачки умирает действительные данные пользователя, устройство 113 переназначения выравнивания износа выполняет данные миграция. Устройство 113 переназначения выравнивания износа перекодирует (зеркально отображает) данные, которые были расположены на выбранном кристалле, в запасной кристалл. В процесс миграции данных может быть устойчивым к одновременным доступам пользователей. Отключение выбранного кристалла для переноса данных нежелательно. из-за снижения пропускной способности данных и увеличения задержки, вызванной кристалл не в сети.
[0044] В одном варианте осуществления устройство 113 переназначения выравнивания износа реализует миграция данных как поэтапная миграция.Фаза управляемая миграция использует таблицу фаз, в которой есть бит фазы для каждого блок, управляемый блок или аналогичный независимо записываемый блок представляет все физическое адресное пространство памяти подсистема 110. В одном варианте осуществления таблица виртуализации для пример, показанный на фиг. 3, повторяется два раза. Один копия таблицы виртуализации содержит текущую (например, до миграции) конфигурация стола. Другая копия таблицы виртуализации содержит желаемая (например, после миграции) конфигурация таблицы.Фаза биты для каждого записываемого блока в таблице виртуализации затем установить на конкретное значение, соответствующее текущей таблице конфигурация (например, все записываемые блоки имеют бит фазы установлен в 0, указывая на то, что записываемый блок соответствует текущая таблица виртуализации).
[0045] Процесс переноса конфигураций из текущего состояние таблицы виртуализации до желаемого состояния таблицы виртуализации затем может быть реализован как переход по таблице фаз и два таблицы виртуализации.Устройство для выравнивания износа 113 или другое агент управления фоновыми данными может управлять фазой процесс миграции. В процессе поэтапной миграции каждый записываемый блок, когда бит фазы указывает на текущий таблица виртуализации, переключает бит фазы и записывает то же самое шаблон данных через желаемую таблицу виртуализации, которая на который ссылается бит фазы после его переключения. Этот последовательность чтения-переключения-перезаписи является атомарной по отношению к параллельным доступ пользователей.
[0046] Фазовый процесс миграции повторяется на протяжении всего адресное пространство подсистемы 110 памяти в записываемых единицах.В поэтапный процесс миграции продолжается до тех пор, пока все действительные данные в исходная единица была перенесена в целевую в соответствии с желаемые биты фазы таблицы виртуализации. После фазы вождения процесс миграции завершен текущая таблица виртуализации заменяется желаемой таблицей виртуализации, которая становится новой текущая таблица виртуализации. Поэтапный процесс миграции надежный для постоянного доступа пользователей к затронутым блокам подсистема 110 памяти при условии, что операция является атомарной.Пользователь доступы могут следовать за фазовым битом так же, как выравнивание износа remapper 113 или агент управления данными делает. Хост-система 120 доступ к записываемым модулям, на которые не влияет фаза управляемая миграция может считываться из подсистемы 110 памяти с помощью текущая таблица виртуализации. Хост-система 120 записывает в записываемые блоки в подсистеме 110 памяти, на которые не влияют фазовая миграция с возможностью записи с использованием желаемого таблица виртуализации 1. Для записываемых модулей, на которые влияют процесс миграции, управляемый фазами, хост-система 120 считывает из текущая или желаемая таблица виртуализации, обозначенная значком соответствующий бит фазы и записывает в место, указанное в желаемая таблица виртуализации.
[0047] В некоторых вариантах реализации процесс выравнивания износа включает механизм защиты от потери мощности. Устройство для выравнивания износа 113 или аналогичный агент управления данными выполняет миграцию данных, которая является мощной потеря безопасна. Механизм сохранения потери мощности может состоять из отслеживание положения устройства 113 выравнивания износа в таблица фаз во время миграции данных. Положение устройство 113 переназначения выравнивания износа может называться курсором. В В дополнение к информации о положении, устройство выравнивания износа 113 также может сохранять семантическую информацию, описывающую, фазовый битовый переход был 0-> 1 или 1-> 0 в дополнение к обозначение положения в таблице фаз, чтобы значение бита фазы (0 или 1) содержательный.Устройство 113 выравнивания износа поддерживает копии две таблицы виртуализации, однако они могут быть сохранялись во время их получения, и до того, как данные миграция начинается, а не при потере мощности, что снижает требования по времени простоя.
[0048] Описанная модель миграции данных предполагает одностороннюю передачу данных. переход, где могут быть действительные данные в исходном фрагменте и целевой блок не хранит действительные данные (например, это запасной кусок). Если данные существуют в целевом фрагменте, который необходимо преобразуется в резервное состояние перед получением данных от исходный фрагмент, тогда действительные данные целевого фрагмента должны быть мигрировали с использованием той же последовательности, которая описана здесь выше.
[0049] Процесс выравнивания износа осуществляется посредством детерминированно и алгоритмически изменяя виртуализацию столы. Затем процесс выравнивания износа выполняет перенос данных. и фиксирует изменения в таблицах виртуализации. В Процесс выравнивания износа может быть непрерывным и повторяющимся. Каждый состояние таблицы виртуализации представляет собой уникальную взаимосвязь между логические и физические блоки, хотя не каждый логический адрес будет получать разные физические адреса при каждом переходе таблицы.Результат процесса выравнивания износа по итерациям процесс заключается в том, что все логические адреса будут переназначены разные физические адреса. При продолжении итерации процесс выравнивания износа обеспечит одинаковое воздействие на каждый кусок доступ по определенному логическому адресу (или набору логических адреса, если при трансляции адреса чередуются смежные логические адреса в наборе блоков). В результате выравнивание износа процесс обеспечивает запланированное распределение износа, вызванного доступ к подсистеме 110 памяти в течение более длительного периода время.
[0050] В одном варианте осуществления процесс выравнивания износа детерминированно вращает блоки в логическом адресном пространстве с помощью указателя. В одном из примеров реализации переменная с именем «указатель обмена» (XchgPtr) определен. Указатель обмена определяет смещение в доступной части адресного пространства таблица виртуализации последнего исходного фрагмента. Выравнивание износа процесс может инициализировать указатель обмена для идентификации конкретного запись (например, наивысший логический адрес) в виртуализации Таблица.При каждой миграции данных устройство 113 выравнивания износа генерирует условия желаемой таблицы виртуализации с помощью обмен исходным фрагментом, идентифицированным указателем обмена в текущая таблица виртуализации с целевым фрагментом из набор блоков назначения, которых нет в используемом адресном пространстве. После переноса данных устройство 113 переназначения выравнивания износа обновляет указатель обмена на место следующего исходного фрагмента. В вариант, в котором исходный фрагмент определяется на основе раунда Робин или аналогичный процесс, затем устройство 113 выравнивания износа может уменьшить или увеличить указатель обмена на единицу (например,г., модуль количество записей в таблице плюс или минус 1), а затем начинается перенос данных.
Фиг. 4 — схема одного варианта выполнения последовательности обновления таблицы виртуализации. На этом рисунке показаны первые четыре переходные состояния таблицы виртуализации (состояния 0–3). Как показано в всего четыре изменения состояния, в процессе выравнивания износа происходит четыре различные фрагменты через неиспользуемый резервный фрагмент и повторно назначает фрагменты обратно в используемую пользователем часть адресного пространства подсистема 110 памяти в другом месте логического адреса.В процессе выравнивания износа указатель замены перемещается по логическое адресное пространство от высокой записи до более низкой записи после каждого перенос данных. В процессе выравнивания износа размещается другой кусок в неиспользуемом адресном пространстве как запасной блок, который представлен последней записью в таблице виртуализации. в примерный вариант с топологией из 64 кубиков, представленной Таблица виртуализации с 64 записями, потребуется 63 итерации для каждый кубик потратил одну итерацию в качестве неиспользуемого запасного и был в другом месте логического адреса относительно начального позиция в таблице виртуализации.
[0052] В вариантах осуществления с использованием указателя обмена для отслеживания следующего местоположение исходного блока, указатель обмена указывает на записи для фрагменты в используемом адресном пространстве. В примере на фиг. 4, там всего 63 записи для фрагментов в используемом адресном пространстве, пронумерованных 0-62. Таким образом, когда указатель обмена оборачивается после свопа в запись 0, она должна быть перенесена на запись 62, чтобы она никогда не указывала на неиспользуемое адресное пространство в логической записи 63. Таким образом, перенос — модуль (N-M), где N — общее количество записей в таблица виртуализации (которая соответствует всем физическим кубикам в топология этого примера), включая несопоставленную запись.M — это количество неиспользуемых игральных костей в этой топологии, здесь, в этом примере М = 1.
[0053] В проиллюстрированном примере указатель обмена переносится после Состояние 0 от записи 0 до записи 62. Указатель обмена никогда не указывает к смещению в таблице виртуализации для неиспользуемого адреса пробел (например, запись 63). В примере значение указателя обмена ограничено 0. . . N-1, где N — общее количество таблиц. записи, включая любые неотмеченные части.
[0054] Чтобы процесс выравнивания износа был эффективным, политики определены для запуска миграции данных таким образом, чтобы цель выравнивания износа.Эти политики могут быть основаны на множество внутренних и внешних триггеров. Если цель выравнивание износа — это операции записи уровня износа по доступным фрагментов, то процесс выравнивания износа может включать политику для триггер на основе порогового количества записей в любой или все фрагменты в подсистеме памяти 110 — (например, любой из кубиков в примере топологии). Для носителей PCM, которые испытывают снижение выносливости при асимметричном чтении и записи, процесс выравнивания износа может включать в себя триггер, который является функцией совместных операций чтения и записи в любой или все фрагменты (например,г., любой или все кости в топологии). В одном варианте функция сустава чтение и запись включает в себя функцию преобразования, которая применяется перед сравнением результата с порогом, который взвешивает прочитанное и количество записей по-разному, что отражает асимметричный характер деградации, вызванной чтением и записью в памяти компоненты с 112A по 112N подсистемы 110 памяти.
[0055] В других вариантах осуществления процесс выравнивания износа может включать политики для запуска операции на основе случайного или фиксированного времени.В других вариантах осуществления в процессе выравнивания износа может использоваться монитор качества канала (например, наблюдаемый и исправленный остаточный бит коэффициент ошибок (RBER) на канале или кристалле) как фактор при определении когда запускать перенос данных. Процесс выравнивания износа может также используйте триггер, основанный на пределе времени, в течение которого конкретный фрагмент может существовать в состоянии неиспользуемого адресного пространства. В модуль 113 переназначения выравнивания износа может быть отделен от политики и триггера управление. Компонент драйвера политики может быть включен в устройство 113 выравнивания износа или быть отдельным компонентом.Политика драйвер может быть использован или настроен для адаптации конкретного размер «износа», который необходимо выровнять. Износ можно измерить по любой метрике или критериям, и любой тип политики может быть использован для минимизировать износ за счет выбора, выбора времени и обращения с источником фрагменты и целевые фрагменты.
[0056] Как упоминалось выше, устройство 113 выравнивания износа также может управлять потерей питания, чтобы избежать повреждения данных. В устройство 113 переназначения выравнивания износа может сохранять указатель замены. В устройство 113 выравнивания износа может сохраняться при потере мощности во время задержки или в момент начала переноса данных.После включения и восстановления текущего и желаемого таблицы виртуализации, восстановление фазового бита и курсор восстановление, устройство 113 переназначения выравнивания износа может продолжать любое прерванная миграция данных в месте последнего курсора. В некоторых В вариантах осуществления, устройство переназначения выравнивания износа может производить замену указатель путем согласования сохраняемых наборов таблиц (т. е. сравнение восстановленной текущей и желаемой виртуализации таблицы).
Фиг. 5 представляет собой блок-схему одного варианта осуществления, включающего инициирование политик и поэтапной миграции.Блок-схема иллюстрирует один вариант осуществления процесса выравнивания износа. В процесс выравнивания износа может выполняться с помощью логики обработки, которая может включать оборудование (например, устройство обработки, схемы, выделенные логика, программируемая логика, микрокод, аппаратное обеспечение устройства, интегральная схема и т. д.), программное обеспечение (например, выполнение инструкций или выполняется на устройстве обработки) или их комбинацию. Хотя показано в определенной последовательности или порядке, если не указано иное указана, порядок процессов может быть изменен.Таким образом иллюстрированные варианты осуществления следует понимать только как примеры, и проиллюстрированные процессы могут выполняться в другом порядке, и некоторые процессы могут выполняться параллельно. Кроме того, один или несколько процессов могут быть опущены в различных вариантах осуществления. Таким образом, не все процессы требуются в каждом варианте. Другие технологические потоки возможны. В варианте осуществления процесс выравнивания износа представляет собой инициализируется при запуске системы или аналогичном событии (блок 501). В инициализация может включать определение политик, настройку обмена указатели, установление таблицы виртуализации и аналогичные действия настроить процесс выравнивания износа.Процесс выравнивания износа может постоянно проверять, критерии механизма удовлетворяются (блок 503). Триггер политики механизм может определять любой набор критериев. Триггер политики механизм определяет критерии, которые вызывают процесс выравнивания износа для обновления сопоставления логического адресного пространства с физическим адресное пространство для ротации запасных частей из неиспользуемого адреса пространство в используемое адресное пространство. Если триггер политики критерии механизма не соблюдены, то процесс выравнивания износа может продолжить проверку изменений условий в подсистеме памяти 110.Примеры политик включают периодическую активацию, завершение связанных функций (например, функции оценки скруббера), обнаружение повышенной коррекции ошибок в системе 110 памяти, пороговые уровни записи, взвешенные пороги совместного чтения и записи, случайные или фиксированные тайминги и аналогичные критерии или комбинации из них.
[0058] Когда критерии механизма запуска политики удовлетворяются, то процесс определяет исходный фрагмент, который должен быть заменен в пригодное для использования адресное пространство (например, блок, идентифицированный обменом указатель).Процесс выравнивания износа проверяет, есть ли допустимые данные в исходном фрагменте (блок 505). Если в исходный фрагмент, то процесс выравнивания износа может обновить текущая таблица виртуализации для указания следующего исходного фрагмента (блок 509). Например, процесс выравнивания износа может увеличиваться, уменьшить или аналогичным образом изменить указатель обмена, чтобы идентифицировать следующий фрагмент исходного кода, который будет использоваться. Аналогичным образом выравнивание износа процесс может обновлять информацию о физическом адресном пространстве для запись логического адресного пространства исходного блока должна быть физическим информация адресного пространства блока назначения.В процесс выравнивания износа может обновлять физическое адресное пространство информация для логической записи адресного пространства пункта назначения chunk — информация о физическом адресном пространстве источника кусок (блок 511).
[0059] В случае, если в исходном фрагменте есть действительные данные, затем процесс выравнивания износа выполняет фазовую миграцию допустимые данные из исходного фрагмента в целевой фрагмент (блок 507). Фазовая миграция может включать в себя создание копия текущей таблицы виртуализации и генерация желаемую таблицу виртуализации, копирование действительных данных в целевой фрагмент и обновление текущей виртуализации таблица для соответствия желаемой таблице виртуализации, поскольку каждый фрагмент скопировано.Обновление информации об исходном фрагменте (блок 509) и информация о целевом фрагменте (блок 511) в исходном таблица виртуализации, из которой создается копия текущего таблица виртуализации и желаемая таблица виртуализации выводятся могут быть интегрированы в фазовую миграцию или могут быть отдельные шаги. Затем процесс выравнивания износа продолжается проверка соответствия критериям механизма запуска политики (Блок 503) в непрерывном итеративном процессе, который вращает блоки в неиспользуемое адресное пространство, чтобы распределить износ всех фрагменты в подсистеме памяти 110.
[0060] Общие варианты осуществления и примерный вариант были описано здесь выше. Дополнительные варианты описаны ниже. для дальнейшей иллюстрации процесса выравнивания износа и выравнивания износа remapper 113 операции. Первый вариант, описанный здесь выше имеет уровень детализации матрицы и одну запасную матрицу в неиспользуемое адресное пространство подсистемы 110 памяти. процесс выравнивания износа первого варианта вращает каждую матрицу в подсистема 110 памяти через неиспользуемое адресное пространство (т.е.е., сделать каждый кубик запасным хотя бы на одну итерацию процесс). Существуют и другие варианты исполнения, каждый с различной стоимостью и преимущества. Дополнительные примерные варианты осуществления представлены в виде иллюстрация и пример, а не ограничение, дополнительные варианты осуществления не являются исчерпывающим списком возможных вариантов осуществления, которые соответствуют описанным принципам и структурам здесь.
[0061] В одном варианте осуществления в процессе выравнивания износа используются глубокие и / или широкое вращение каналов.Одна из неотъемлемых характеристик Примерного варианта, описанного здесь выше, — это запасной штамп процесс вращения сначала вращает запасную матрицу по каналам, а затем глубоко в каналах. ИНЖИР. 6 — диаграмма, иллюстрирующая матрицу. адресная матрица над набором изменений состояния. Иллюстрированный набор изменений в адресной матрице кристалла фиксирует первые четыре вращений через топологию 16 каналов на 4 кристалла / канал для набора компонентов памяти 112A — 112N. На фиг. 6, заштрихованные полосы наложены на матрицу, каждый из которых представляет собой избыточный массив разделение на девять кубиков в стиле независимых дисков (RAID) (представляет собой схему 8: 1).Кость, обозначенная XX, является запасной. в неиспользуемом адресном пространстве подсистемы памяти. Вращение Схема этого варианта осуществления процесса выравнивания износа вращает одна матрица на канал в полосе, что означает, что этот вариант процесса выравнивания износа обеспечит резервирование на уровне каналов через неопределенные вращения.
[0062] Напротив, фиг. 7 — диаграмма, иллюстрирующая матрицу. адресная матрица по набору изменений состояния, в проиллюстрированном сценария ориентация полосы в стиле RAID смещена в сторону совместное размещение элементов полосы в стиле RAID на одном канале.В этом ориентации, процесс выравнивания износа реализует направление вращение запасных блоков, которые сначала находятся глубоко в канале, а затем широкие на каналах, следуя ориентации полос в стиле RAID. Если было выбрано обратное направление вращения (широкое, затем глубокое), вращение процесса выравнивания износа в конечном итоге обеспечит достаточное наклон, чтобы распределить полосы RAID по каналам, а не глубоко по каналы. В дополнительных вариантах осуществления процесс выравнивания износа может перестроить инициализацию логического адреса на физический сопоставления адресов в таблице виртуализации таким образом, чтобы вращение указателя обмена, естественно, будет следовать Направление сначала глубоко по каналу, затем по каналам.В процесс выравнивания износа поддается множеству различных стратегии ротации, которые могут быть реализованы с помощью соответствующих отображение логического адреса на физический адрес в виртуализации Таблица.
[0063] Как упоминалось здесь выше, процесс выравнивания износа может быть адаптирован для использования нескольких запасных частей в неиспользуемом адресе пространство подсистемы 110 памяти. В одном варианте осуществления Процесс стратегии выравнивания износа использует несколько физических запасных частей и выполняет «массовые» миграции данных при обновлении указателя обмена.Этот вариант процесса выравнивания износа эффективно приводит к N новых ассоциаций фрагментов за один проход через миграцию данных. N в этот вариант осуществления упоминается как «шаг». В то же время придерживаясь общей модели детерминированной, алгоритмической вращений с фазовым переназначением на отдельном отображаемом фрагменте в основание запасной части, этот вариант с выравниванием износа обеспечивает разнообразие дополнительных возможностей и полезных атрибутов.
[0064] Варианты осуществления процесса выравнивания износа, в которых используются несколько запасных частей можно разделить на два подхода, один Категория многокомпонентного выравнивания износа называется «глубокой вращение полосы », а также выравнивание износа других частей. называется «широким вращением полосы».»Глубокое вращение полосы определяет шагом должно быть количество кусков (например, количество игральных костей) на конкретный канал, отсюда термин «глубокий» как «глубокий на глубине» канал «. Группа из N частей в шаге логически вращается все вместе. Например, в топологии 15 каналов на 4 кости / канал, N будет 4. При инициализации таблицы виртуализации для В этом варианте осуществления процесс выравнивания износа может обеспечить получение всех кусков (например, игральные кости) на заданном канале в качестве запасных частей.
Фиг. 8 — диаграмма, которая иллюстрирует пример матрицы кристалла. представление таблиц виртуализации выравнивания износа процесс.В примере показано состояние таблицы виртуализации. за первые четыре перехода после инициализации. В этом Например, закрашенные полосы в изображении логичны группировки, которые проявляются как диапазоны адресов в используемом адресе пространство, доступное для хост-системы 120.
[0066] В этом варианте осуществления устройство переназначения выравнивания износа перемещает один весь шаг к новому каналу при каждой миграции данных, шаг сам остается нетронутым на конкретном канале, к которому он назначенный. Эта характеристика может иметь важное преимущество в определенные варианты исполнения контроллера.В одном варианте это схема выравнивания износа может использоваться с кодом исправления ошибок (ECC) архитектура. В этом варианте кодовое слово разделено полосами. через части N = 4 игральных костей на одном канале. Если ECC кодер / декодер связан с конкретным каналом в том смысле, что что кодовое слово должно полностью состоять из данных, хранящихся на кости на этом конкретном канале, миграция данных не может разбиться кодовые слова, связанные (или полосатые) с игральными костями в этом группировать путем переноса данных только части группы.Таким образом, схема ротации должна перемещать группу как неделимую единицу для это пример архитектуры ECC.
[0067] В этом примерном варианте осуществления процесс выравнивания износа обновляет указатель обмена вместе с таблицей виртуализации переходы между состояниями, как и в других вариантах осуществления. Тем не менее процесс выравнивания износа уменьшает или увеличивает указатель замены размером шага для каждой миграции данных, а не уменьшение или увеличение указателя обмена на 1, как в другие варианты исполнения с отдельными запасными частями.Как и в случае с другими В вариантах осуществления указатель обмена оборачивается таким образом, что он выполняет только итерацию через используемую адресную часть адресного пространства подсистема памяти 110.
[0068] В этом варианте осуществления процесс выравнивания износа реализует последовательность миграции данных для перемещения данных на полный шаг, что сложнее, чем последовательность миграции данных, чтобы переместить объем данных в одном фрагменте. Вместо одного чтения-перезаписи на кусок, который нужно переместить из текущего в желаемый состояние таблицы виртуализации, процесс выравнивания износа выполняет N чтение-перезапись, каждое чтение-запись перемещает один фрагмент из текущего таблица виртуализации в желаемое состояние таблицы виртуализации.Если возможности переназначения выравнивания износа 113 поддерживают его, единый, общий курсор может описывать прогресс миграции данных через адресное пространство подсистемы памяти 110. Возможность совместного использования курсора будет поддерживать атомарную безопасную перезапись и чтение с потерей мощности для N члены шага таким образом, чтобы один курсор мог описать единый и однозначно правильный офсет. Если выравнивание износа remapper 113 не поддерживает эту возможность, каждый блок-член для шага потребуется независимый курсор, увеличивающий мощность требование удержания потерь, при котором N (вместо 1) курсоров были упорствовал на потере мощности.
Фиг. 9 — схема матричного представления таблица виртуализации для варианта с широким вращением полосы. Широкий вращение полосы определяет шаг, который ортогонален определенному для глубокого вращения полосы, например, вместо того, чтобы определять N как количество блоков (например, игральных костей) на канале, N определяется как количество каналов в топологии. Как и при глубоком вращении полосы, эта группа из N частей в шаге логически вращается вместе, переход к другому общему смещению на каждом канале с каждым итерация.В примере с 16 каналами по 4 кубика на канал топологии N будет 16. Таблица виртуализации может быть инициализирована для этого варианта осуществления, чтобы все фрагменты, находящиеся в заданном смещение канала на всех каналах предоставляется как резервные блоки. Это называется «широкая полоса».
Фиг. 9 иллюстрирует четыре состояния таблицы виртуализации. для этого варианта. В этом примере цветные полосы в этом представление — это логические группы, которые проявляются как адрес диапазоны в адресном пространстве, доступном пользователю.Последовательный состояний иллюстрируют, что, хотя один полный шаг перемещается в новое смещение при каждой миграции, сам шаг остается неизменным на конкретное смещение. Такая ориентация согласуется с логическим макеты единиц, которые разделяют более крупную единицу детализации, такую как ECC кодовое слово по каналам. Например, с носителями PCM контроллер и реализация ECC могут использовать 48-страничное кодовое слово, размещение 3 страниц этого кодового слова на одном или нескольких разделах каждого из 16 кубиков в полосе. Такая реализация может обеспечить минимизированная задержка доступа в ситуациях, когда конкуренция за канал может быть устранено за счет реализации ECC, где кодер / декодер является общим для всех каналов.В этой широкой полосе вариант, процесс выравнивания износа уменьшает или увеличивает указатель обмена на размер шага для каждой миграции данных. В виде с предыдущими вариантами осуществления указатель обмена обертывает такие что он выполняет итерацию только по полезной части адреса пространство подсистемы 110 памяти.
[0071] Последовательность миграции данных для этого варианта осуществления перемещает полную шаг за шагом и сложнее, чем миграция данных последовательность для перемещения одного фрагмента данных.Вместо единственного чтение-перезапись для каждого фрагмента, который необходимо переместить из текущего в желаемое состояние таблицы виртуализации, процесс выравнивания износа реализует N операций чтения-перезаписи, каждое чтение-запись перемещает либо один фрагмент или компонент кодового слова или фрагмента из текущего таблица виртуализации в желаемое состояние таблицы виртуализации. В некоторых В вариантах осуществления устройство 113 выравнивания износа может поддерживать одиночный, общий курсор, который может отслеживать прогресс миграции по адресу космос.
[0072] Следующие ниже варианты осуществления относятся к другому примеру. применение схемы выравнивания износа, называемой иерархическая схема переназначения.Предыдущие примерные варианты осуществления описал алгоритмическую схему переназначения на основе детализации кристалла куски. Гранулярность матрицы субъективно рассматривается скорее. грубая, если предположить, что кубик имеет достаточную емкость, чтобы вместить тысячи или больше единиц записи. Если переназначение уровня кристалла выполняется исключительно реализована, она может не распределять износ по горячим точкам внутри штампа. Таким образом, дополнительные примерные варианты осуществления обеспечивают более мелкозернистую алгоритмическая косвенная схема, применяемая внутри кристалла. Эти варианты осуществления могут быть реализованы устройством 113 переназначения выравнивания износа в сочетание с процессами выравнивания износа с большей степенью детализации.Для Например, если выравнивание износа матрицы и выравнивание износа внутри матрицы схемы накладываются на топологию энергонезависимой памяти и виртуализированная адресация, выравнивание износа памяти компоненты 112A-112N могут быть значительно улучшены. Слоистый процессы выравнивания износа могут привести к более идеальному износу распределение даже в самой сильно искаженной хост-системе 120 шаблоны доступа. Однако для ясности и краткости Примеры выравнивания износа с более мелкой гранулярностью предоставляются отдельно от вариант многослойного выравнивания износа.
[0073] В данном контексте «сегмент» относится к блоку внутри кристалла, например, логический блок размером 64 КБ. Сегмент может быть любого размера и включать любое количество блоков. В одном примерном варианте осуществления компоненты памяти с 112A по 112N включают в себя сегменты с физическим размер сегмента (64 КБ, с блоками 4 КБ) плюс дополнительный резервный блок. Таким образом, сегмент имеет размер блока 64k + 1, 4k, исключая любые служебные данные для среды передачи для ECC, циклического контроля избыточности (CRC), резервных битов, или другие биты для каждого блока.
[0074] Каждый сегмент имеет базовый физический адрес, который его связывает. к ряду последовательных физических адресов.Например, компоненты памяти 112A — 112N могут обеспечивать 32-битный физический адресное пространство в блоках по 4к. Базовый адрес неизменен на всю жизнь сегмента. Каждый сегмент может быть связан с двумя переменными. Первая переменная называется счетчиком оборотов (RC), а вторая переменная называется указателем обмена (EP). Обе переменные используется для определения косвенного отношения между логическим и физическим расположение блоков в сегменте. Размер поля RC зависит от выносливость средств массовой информации компонентов памяти 112A к 112N.Поле RC служит показателем степени износа. испытывает сегмент, поскольку каждое вращение коррелирует с степень износа сегмента. EP — это ценность, которая способна индексировать полный физический диапазон сегмента. В этом примере физический диапазон будет (64k + 1) блоков, что потребует 17 бит для захватить область индекса.
[0075] В некоторых вариантах осуществления может быть связано пороговое значение с каждым сегментом. Это пороговое значение затем можно рассматривать как быть частью «метаданных сегмента» вместе с RC и EP, или можно определить глобально для всех сегментов.Таблицы виртуализации не требуется для этого варианта с выравниванием износа. Две переменные (RC и EP) заменяют табличную функцию виртуализации более крупнозернистые варианты.
[0076] В примере для иллюстрации сегмента топологии отношения, запоминающее устройство поддерживает плоский физический адрес пространство в 1 тебибайт (ТиБ) (1,099,511,627,776 байт) в формате 4k физические блоки. В этом примере 268 435 456 блоков. устройство хранения. В этом примере блоки расположены в сегментов размером (64k + 1), то есть 4095 сегментов, которые минимально требуется 12 бит для индексации в табличной форме.
[0077] В вариантах осуществления внутри сегмента таблица виртуализации не используется для сопоставления логических адресных пространств с физическими адресами пробелы. Вместо этого в этом примере процесса выравнивания износа используется другой механизм для достижения косвенного обращения. Более тонкий процесс выравнивания износа с зернистостью использует RC, EP и функция перевода для достижения логического в физический косвенное обращение.
[0078] EP ссылается на запасной (в том смысле, что нет логических адрес соответствует этому) физическое местоположение в сегменте.RC треки сколько раз мигрировало свободное физическое местоположение каждое возможное физическое местоположение в сегменте. Нападающий функция трансляции для преобразования логического адреса (LA) в физический адрес (PA) для сегмента с N = 64k логических блоков: [0079] PA = (LA + RC) модуль N [0080] Если (PA> = EP) [0081] PA = PA + 1
Фиг. 10 — схема одного из вариантов внутрисегментного процесс выравнивания износа. Выравнивание износа сегментом осуществляется детерминированная, последовательная ротация логического к физическому ассоциация.EP, RC и триггер являются входами для алгоритма. который реализует косвенное обращение, как показано:
if (triggered) [0083] Копировать данные из [(EP + 1) модуль (N + 1)] в [EP] EP = (EP + 1) модуль (N + 1), если (EP == 0) RC = RC + 1
Фиг. 10 показывает миграцию данных из начального состояния в конечное состояние. Указатель обмена идентифицирует первый блок в сегмент. Когда запускается миграция данных, данные в источнике chunk, то есть исходный блок, который является предшествующим приращением EP, является копируется в целевой блок, т.е.е. блок назначения идентифицировано ЕР. В случае, который проиллюстрирован, что EP находится в конце сегмента, тогда операция модуля с размер сегмента может использоваться для идентификации исходного блока в другой конец отрезка. Кроме того, RC инкрементируется в каждый случай, когда происходит перенос. RC используется для включения перевод логического местоположения с физическим местоположением, где RC и EP можно комбинировать, чтобы включить функцию перевода в определить точное начальное состояние сегмента и любое состояние между начальным состоянием и текущим состоянием.
[0088] Механизм запуска на основе политик может использоваться для определения когда чередование процесса выравнивания износа может быть реализовано в способом, аналогичным основанным на политике триггерам процессы выравнивания износа с более крупной зернистостью. Пример триггера может быть функцией любого количества входов, включая записи и / или читает в сегмент, записывает и / или читает в ячейки, прилегающие к ячеек в сегменте, пространственная локализация блочных доступов в пределах сегмент, доступный, но неиспользуемый пропускная способность чтения / записи, периодический запуск и запуск по случайной разнице во времени.Триггер политики механизм, используемый с процессом выравнивания износа для запуска данных поэтому миграция может зависеть от конкретной реализации. Во многих примерные варианты осуществления, технология подсистемы 110 тяжелой памяти и Компонент памяти 112A — 112N, зависимость на основе носителя может указывать соответствующие критерии спускового механизма.
[0089] Переменные, используемые процессом выравнивания износа для поддержки алгоритмическая ротация внутрисегментных блоков может дополнительно служат в качестве показателей относительного износа. Размер сегмента на носителе его логический размер + 1.В этих вариантах осуществления сегмент определяется как быть 64k блоков. Каждый раз, когда переменная RC увеличивается, 64k + 1 данных миграции, каждая из которых требует чтения и записи блока, произошли в сегмент. Если целью метода является уровень износа пишет, как это обычно бывает, RC, умноженный на триггер Порог представляет собой совокупное количество записей в сегменте. Если все сегменты имеют одинаковый порог срабатывания, RC действует как прокси на износ и может быть напрямую противопоставлен. Сегменты с выбросы RC являются хорошими кандидатами для более высокого уровня выравнивания износа или вывод на пенсию в многослойном процессе выравнивания износа.В некоторых В вариантах осуществления процесс выравнивания износа может использовать случайные и недетерминированные методы выбора исходного блока. Эти варианты может внести достаточное разнообразие в доступ к блокам, чтобы исключить использование RC для точной оценки износа.
[0090] Если варианты осуществления выравнивания износа с мелкой зернистостью являются реализованный в твердотельном накопителе или другом управляемом медиа-решении, варианты осуществления могут также включать механизмы управления потерями мощности. Механизмы обработки потери мощности могут включать в себя захват RC и EP. значения для всех сегментов во время потери мощности для повторного создания экземпляра на повторное включение питания, сканирование носителя при повторном включении питания, чтобы получить значения RC и EP, а также гибридные подходы, где RC и Переменные EP для всех сегментов сохраняются периодически, а не чем при потере мощности.Последние сохраненные значения могут быть неточными в повторное включение питания, требующее сокращенного сканирования для восстановления переменные.
Фиг. 11 — блок-схема с мелкой степенью детализации. процесс выравнивания износа. Процесс мелкозернистого выравнивания износа может выполняться с помощью логики обработки, которая может включать аппаратное обеспечение (например, устройство обработки, схема, специализированная логика, программируемый логика, микрокод, аппаратная часть устройства, интегральная схема и т. д.), программное обеспечение (например, инструкции, выполняемые или выполняемые при обработке устройство) или их комбинацию.Хотя показано в частности последовательность или порядок, если не указано иное, порядок процессы могут быть изменены. Таким образом, проиллюстрированные варианты осуществления должны следует понимать только как примеры, а проиллюстрированные процессы могут выполняться в другом порядке, и некоторые процессы могут быть выполняется параллельно. Кроме того, один или несколько процессов могут быть опущено в различных вариантах осуществления. Таким образом, не все процессы требуется в каждом варианте. Возможны другие технологические потоки. В процесс выравнивания износа с мелкой гранулярностью может инициализировать RC и EP значения для каждого управляемого сегмента (1101).Мелкая гранулярность процесс выравнивания износа может реализовать любой механизм запуска политики контролировать, когда выполняется миграция данных для выравнивания износа (Блок 1103). Любой механизм запуска политики на основе любого ввода критерии могут быть использованы. Процесс выравнивания износа ждет выполнять миграцию данных до тех пор, пока не будут выполнены критерии триггера политики. Критерии срабатывания политики могут включать пороговое количество записей в сегмент, периодическая активация, пороговые уровни записи, взвешенный совместные пороги чтения и записи, случайные или фиксированные тайминги и аналогичные критерии или их комбинации.
[0092] После запуска данные в исходном блоке копируются в целевой блок, который является неиспользуемым блоком (блок 1105). После перенос данных завершен, затем EP и RC увеличиваются до следующее место для исходного блока с учетом циклический сценарий, который запускает настройку RC и применяет операцию по модулю к настройке EP (Блок 1107). Затем процесс постоянно проверяет наличие дополнительных событий. которые соответствуют критериям механизма политики триггера.
Фиг. 12 иллюстрирует пример машины компьютерной системы. 1200, в котором есть набор инструкций, заставляющих машину выполнять одну или несколько методологий, обсуждаемых здесь, может быть казненным. В некоторых вариантах реализации компьютерная система 1200 может соответствуют хост-системе (например, хост-системе 120 на фиг.1) который включает, связан или использует подсистему памяти (например, подсистема 110 памяти по фиг. 1) или может использоваться для выполнения операции контроллера (например,g., чтобы запустить операционную систему на выполнять операции, соответствующие устройству 113 выравнивания износа фиг. 1). В альтернативных вариантах машина может быть подключены (например, по сети) к другим машинам в локальной сети, интранет, экстранет и / или Интернет. Машина может работать в качестве сервера или клиентской машины в клиент-сервер сетевая среда, как одноранговая машина в одноранговой (или распределенная) сетевая среда, или как сервер или клиент машина в инфраструктуре или среде облачных вычислений.
[0094] Машина может быть персональным компьютером (ПК), планшетным ПК, приставка (STB), персональный цифровой помощник (КПК), сотовый телефон, веб-устройство, сервер, сетевой маршрутизатор, коммутатор или мост или любая машина, способная выполнять набор инструкций (последовательные или иные), которые определяют действия, которые должны быть предприняты этим машина. Далее, хотя проиллюстрирована одна машина, термин «машина» также должна включать любую совокупность машин. которые индивидуально или совместно выполняют набор (или несколько наборов) инструкции по выполнению одной или нескольких методик обсуждается здесь.
[0095] Примерная компьютерная система 1200 включает в себя обработку устройство 1202, основная память 1204 (например, постоянная память (ROM), флэш-память, динамическая память с произвольным доступом (DRAM), такая как синхронная DRAM (SDRAM) или Rambus DRAM (RDRAM) и т. д.), статическая память 1206 (например, флэш-память, статическая память с произвольным доступом (SRAM) и т. Д.), И система 1218 хранения данных, которые обмениваются данными друг с другом через шину 1230.
[0096] Устройство обработки 1202 представляет собой один или несколько универсальные устройства обработки, такие как микропроцессор, центральный процессор и т.п.В частности, устройство обработки может быть сложным набором команд вычислений (CISC) микропроцессор, вычисления с сокращенным набором команд (RISC) микропроцессор, микропроцессор с очень длинным командным словом (VLIW), или процессор, реализующий другие наборы команд, или процессоры реализация комбинации наборов инструкций. Устройство обработки 1202 также может быть одним или несколькими устройствами обработки специального назначения. например, специализированная интегральная схема (ASIC), поле программируемая вентильная матрица (FPGA), цифровой сигнальный процессор (DSP), сетевой процессор и т.п.Устройство 1202 обработки сконфигурирован для выполнения инструкций 1226 для выполнения операции и шаги, описанные здесь. Компьютерная система 1200 может дополнительно включать устройство 1208 сетевого интерфейса для связи по сеть 1220.
[0097] Система 1218 хранения данных может включать в себя машиночитаемый носитель данных 1224 (также известный как машиночитаемый носитель) на в котором хранится один или несколько наборов инструкций 1226 или программного обеспечения воплощение одной или нескольких методологий или функций описано здесь.Инструкции 1226 также могут находиться полностью или, по крайней мере, частично, в основной памяти 1204 и / или в устройство 1202 обработки во время его выполнения компьютером система 1200, основная память 1204 и устройство обработки 1202 также составляющие машиночитаемый носитель данных. В машиночитаемый носитель 1224, система хранения данных 1218, и / или основная память 1204 может соответствовать подсистеме 110 памяти. фиг. 1.
[0098] В одном варианте осуществления инструкции 1226 включают в себя инструкции по реализации функций, соответствующих устройство для выравнивания износа (например,г., выравнивающий преобразователь 113 из ИНЖИР. 1). Хотя машиночитаемый носитель 1224 данных показан на в качестве примера воплощения будет единый носитель, термин «машиночитаемый носитель информации» следует понимать как включающий один носитель или несколько носителей, которые хранят один или несколько наборов инструкции. Термин «машиночитаемый носитель информации» также должен следует понимать, что включает любой носитель, способный хранить или кодирование набора инструкций для выполнения машиной и которые заставляют машину выполнять одно или несколько методологии настоящего раскрытия.Термин «машиночитаемый» носитель информации «, соответственно, следует рассматривать как включающий, но не ограничивается твердотельной памятью, оптическими носителями и магнитными СМИ.
[0099] Некоторые части предшествующих подробных описаний имеют были представлены в терминах алгоритмов и символических представлений операций с битами данных в памяти компьютера. Эти алгоритмические описания и представления — это способы, используемые специалисты в области обработки данных для наиболее эффективного передать суть своей работы другим специалистам в данной области.An алгоритм здесь, и, как правило, задуман как самосогласованный последовательность операций, приводящая к желаемому результату. Операции это те, которые требуют физических манипуляций с физическими величинами. Обычно, хотя и не обязательно, эти величины принимают форму электрические или магнитные сигналы, которые можно хранить, комбинировать, сравнивали и манипулировали другими способами. Это оказалось удобным в раз, в основном по причинам обычного использования, чтобы ссылаться на эти сигналы как биты, значения, элементы, символы, символы, термины, числа и т.п.
[0100] Однако следует иметь в виду, что все эти и аналогичные термины должны быть связаны с соответствующими физическими количества и являются просто удобными этикетками, прикрепленными к этим количества. Настоящее раскрытие может относиться к действию и процессы компьютерной системы или аналогичные электронные вычисления устройство, которое манипулирует и преобразует данные, представленные как физические (электронные) величины в компьютерной системе регистры и память в другие данные, аналогично представленные как физические величины в памяти компьютерной системы или регистры или другие подобные системы хранения информации.
[0101] Настоящее раскрытие также относится к устройству для выполнение описанных здесь операций. Этот аппарат можно специально построенный для предполагаемых целей, или он может включать универсальный компьютер, выборочно активируемый или реконфигурируемый компьютерная программа, хранящаяся в компьютере. Например, компьютер система или другая система обработки данных, такая как контроллер 115, может осуществлять компьютерный метод выравнивания износа процесс в ответ на то, что его процессор выполняет компьютерную программу (е.g., последовательность инструкций), содержащихся в памяти или другом энергонезависимый машиночитаемый носитель информации. Такой компьютер программа может храниться на машиночитаемом носителе данных, например как, но не ограничиваясь, любой тип диска, включая дискеты, оптические диски, CD-ROM и магнитно-оптические диски, только для чтения памяти (ROM), памяти с произвольным доступом (RAM), EPROM, EEPROM, магнитные или оптические карты, или любой тип носителя, подходящий для хранение электронных инструкций, каждая из которых связана с компьютерной системой автобус.
[0102] Представленные здесь алгоритмы и дисплеи не по своей природе связаны с каким-либо конкретным компьютером или другим устройством. Различные универсальные системы могут использоваться с программами в в соответствии с изложенными здесь учениями, или может оказаться удобным сконструировать более специализированный аппарат для выполнения этого метода. В структура для множества этих систем будет выглядеть, как изложено в описании ниже. Кроме того, настоящее раскрытие не описано применительно к какому-либо конкретному программированию язык.Будет понятно, что различные программы языки могут быть использованы для реализации учения о раскрытии как описано здесь.
[0103] Настоящее раскрытие может быть предоставлено в виде компьютерной программы. продукт или программное обеспечение, которое может включать машиночитаемый носитель сохраняя на нем инструкции, которые можно использовать для программирования компьютерная система (или другие электронные устройства) для выполнения процесса согласно настоящему раскрытию. Машиночитаемый носитель включает в себя любой механизм для хранения информации в читаемой форме на машине (например,г., компьютер). В некоторых вариантах реализации машиночитаемый (например, машиночитаемый) носитель включает в себя машиночитаемый носитель данных (например, компьютер), такой как считываемый только память («ROM»), оперативная память («RAM»), магнитный диск носители информации, оптические носители информации, компоненты флэш-памяти, и т. д.
[0104] В вышеприведенном описании варианты реализации раскрытие было описано со ссылкой на конкретный пример их варианты. Будет очевидно, что различные модификации могут быть выполнены без отхода от более широкого духа и объем вариантов осуществления раскрытия, как изложено в следующие претензии.Спецификация и чертежи, соответственно, следует рассматривать в иллюстративном смысле, а не как ограничивающее смысл.
* * * * *
Схема разрешения — обзор
2.2.4 Множественный поиск: поиск по многоуровневым контекстам
Возвращаясь к теме контекстов по умолчанию (в таксономии на рис. 2.12), назначение контекста правила — тупой инструмент. Например, каталог, содержащий библиотечные программы, может потребоваться для совместного использования разными пользователями; не может быть достаточно одного правила присвоения.Эта негибкость приводит к третьей, более сложной схеме разрешения имен, множественный поиск . * Идея множественного поиска состоит в том, чтобы отказаться от понятия единого контекста по умолчанию и вместо этого разрешить имя, систематически пробуя несколько разных контекстов. Поскольку имя может быть привязано более чем к одному контексту, множественный поиск может привести к множеству разрешений, поэтому необходима некоторая схема, чтобы решить, какое разрешение использовать.
Распространенная такая схема называется путем поиска , который представляет собой не что иное, как определенный список контекстов, которые нужно попробовать, по порядку.Преобразователь имен пытается разрешить имя, используя первый контекст в списке. Если результат не найден, он пробует следующий контекст и так далее. Если имя связано более чем в одном из перечисленных контекстов, выигрывает тот, который самый ранний в списке, и преобразователь возвращает значение, связанное с этой привязкой.
Путь поиска часто используется в системах программирования, в которых есть библиотеки. Предположим, например, что библиотечная процедура, которая вычисляет математическую функцию квадратного корня, экспортирует интерфейс процедуры с именем sqrt.После компиляции этой функции автор помещает копию двоичной программы в математическую библиотеку. Предполагаемый пользователь функции извлечения квадратного корня записывает в программу оператор
, а компилятор генерирует код, использующий процедуру с именем sqrt. Следующим шагом является то, что компилятор (или в некоторых системах более поздний загрузчик) выполняет серию поисков в различных публичных и частных библиотеках, о которых он знает. Каждая библиотека — это контекст, а путь поиска — это список контекстов библиотеки.Каждый шаг множественного поиска включает в себя вызов более простого преобразователя имен с одним контекстом. Некоторые из этих попыток разрешения, вероятно, вернут результат «не найден». Первая попытка разрешения, которая находит программу с именем sqrt, вернет эту программу в результате поиска.
Путь поиска обычно реализуется как список для каждого пользователя, некоторые или все элементы которого пользователь может установить. Помещая библиотеку, которая содержит лично предоставленные программы, в начале пути поиска, отдельный пользователь может эффективно заменить библиотечную программу другой с тем же именем, тем самым обеспечивая привязку , зависящую от пользователя, .Эта функция замены по имени может быть полезной, но также может быть опасной, потому что можно случайно выбрать имя для программы, которое также экспортируется какой-либо совершенно не связанной библиотечной программой. Когда какое-либо другое приложение пытается вызвать эту несвязанную программу, последующий многократный поиск может найти неправильный. По мере увеличения количества библиотек и имен в пути поиска возрастает вероятность того, что две библиотеки случайно будут содержать две несвязанные программы, которые экспортируют одно и то же имя.
Несмотря на опасности, пути поиска — широко используемый механизм. Помимо загрузчиков, использующих пути поиска для поиска библиотечных процедур, пользовательские интерфейсы используют пути поиска для поиска команд, имена которых вводятся пользователем, компиляторы используют пути поиска для поиска интерфейсов, системы документации используют пути поиска для поиска процитированных документов, а системы обработки текстов используют поиск пути для поиска фрагментов текста, которые будут включены в текущий документ.
В некоторых схемах именования используется более ограниченный метод множественного поиска.Например, вместо того, чтобы разрешать произвольный список контекстов, схема именования может требовать, чтобы контексты были расположены во вложенных слоях. Каждый раз, когда разрешение возвращается «не найдено» в каком-либо слое, распознаватель повторяет попытку на охватывающем слое. Многоуровневые контексты были когда-то популярны в языках программирования, где программы определяют и вызывают подпрограммы, потому что может быть удобно (вплоть до недисциплинированности, вот почему это уже не так популярно) разрешить подпрограмме доступ по имени к переменные определяющей или вызывающей программы.В качестве другого примера схема нумерации точек подключения к сети Интернет имеет внешний общий уровень и внутренний частный уровень. Определенные диапазоны интернет-адресов (например, все адреса с первым байтом 10) зарезервированы для использования в частных сетях; эти диапазоны адресов составляют внутренний частный уровень. Эти сетевые адреса могут быть привязаны к разным точкам сетевого подключения в разных частных контекстах без риска конфликта. Интернет-адреса, выходящие за пределы диапазонов, зарезервированных для частных контекстов, не должны быть привязаны к какому-либо частному контексту; вместо этого они разрешаются в публичном контексте.
В наборе многоуровневых контекстов область имени — это диапазон слоев, в которых имя привязано к одному и тому же объекту. Имя, которое привязано только к самому внешнему уровню и всегда привязано к одному и тому же объекту, независимо от текущего слоя контекста, известно как глобальное имя . Самый внешний слой, который разрешает глобальные имена, является примером универсального пространства имен.
Между прочим, теперь мы использовали термин путь и как квалификатор прилагательного, и как существительное, но с совершенно разными значениями.Имя пути — это имя, которое несет свой собственный явный контекст, а путь поиска — это контекст, который состоит из списка контекстов. Таким образом, каждый элемент пути поиска может быть именем пути.
Слово «поиск» также имеет другое, родственное, но несколько иное значение. Поисковые системы Интернета, такие как Google и AltaVista, принимают на вход запрос, состоящий из одного или нескольких ключевых слов, и возвращают список страниц всемирной паутины, содержащих эти ключевые слова. Множественные результаты (известные как «совпадения») являются обычным случаем, и Google, например, реализует сложную систему для ранжирования совпадений.Google также предлагает пользователю на выбор получение только попаданий с наивысшим рейтингом («Мне повезет») или получение упорядоченного по рангу списка попаданий. Большинство современных настольных компьютерных систем также предоставляют некоторую форму поиска по ключевым словам для локальных файлов. Когда кто-то встречает некорректное слово «поиск», рекомендуется остановиться и выяснить, относится ли оно к многократному поиску или к запросу по ключевому слову.
ВОРОТА | GATE-CS-2014- (Комплект-3) | Вопрос 65
Рассмотрим оборудование подкачки с TLB. Предположим, что вся таблица страниц и все страницы находятся в физической памяти.Для поиска TLB требуется 10 миллисекунд, а для доступа к физической памяти — 80 миллисекунд. Если коэффициент попадания TLB равен 0,6, эффективное время доступа к памяти (в миллисекундах) составляет _________.
(A) 120
(B) 122
(C) 124
(D) 118
Ответ: (B)
Пояснение: TLB означает внешний вид перевода Буфер . В системах виртуальной памяти ЦП генерирует адреса виртуальной памяти.Но данные хранятся в реальной физической памяти, т.е. нам нужно разместить адрес физической памяти на шине памяти, чтобы получить данные из схемы памяти. Таким образом, операционная система поддерживает специальную таблицу, которая называется таблицей страниц. Эта таблица содержит отображение между виртуальными адресами и физическими адресами. Таким образом, каждый раз, когда ЦП генерирует виртуальный адрес, необходимо искать в таблице страниц операционной системы соответствующий физический адрес. Чтобы ускорить это, есть аппаратная поддержка, называемая TLB.TLB — это высокоскоростной кеш таблицы страниц, то есть содержащий недавно использованные виртуальные трансляции в физические. Коэффициент попадания TLB — попадание TLB — это тот случай, когда преобразование виртуального адреса в физический уже было обнаружено в TLB, вместо того, чтобы полностью перейти к таблице страниц, которая расположена в более медленной физической памяти. Коэффициент попаданий TLB — это не что иное, как отношение попаданий TLB к общему количеству запросов в TLB. В случае, если страница найдена в TLB (попадание TLB), общее время будет равно времени поиска в TLB плюс время доступа к памяти, поэтому
TLB_hit_time: = TLB_search_time + memory_access_time
В случае что страница не найдена в TLB (промах TLB), общее время будет временем поиска в TLB (вы ничего не найдете, но поиск все равно выполняется) плюс время на доступ к памяти для получения таблицы страниц и фрейма, плюс время на доступ к памяти для получения данных, поэтому
TLB_miss_time: = TLB_search_time + memory_access_time + memory_access_time
Но это в отдельных случаях, когда вы хотите узнать средний показатель производительности TLB, вы используете Эффективный доступ Время, то есть средневзвешенное значение предыдущих измерений
EAT: = TLB_miss_time * (1- hit_ratio) + TLB_hit_time * hit_ratio.
EAT: = (TLB_search_time + 2 * memory_access_time) * (1- hit_ratio) + (TLB_search_time + memory_access_time) * hit_ratio.
Поскольку и таблица страниц, и страница находятся в физической памяти
T (eff) = коэффициент совпадений * (время доступа TLB + время доступа к основной памяти) +
(1 — коэффициент совпадений) * (время доступа TLB + 2 * время основной памяти )
= 0,6 * (10 + 80) + (1-0,6) * (10 + 2 * 80)
= 0,6 * (90) + 0,4 * (170)
= 122
Это решение внесено Nitika Bansal
Контрольная работа по этому вопросу
Форма 6 NX-T / LS инструкции по управлению устройством повторного включения по схеме тройной-одиночный контур
% PDF-1.4 % 667 0 объект > / Metadata 806 0 R / Names 656 0 R / OpenAction 665 0 R / Outlines 696 0 R / PageLabels 662 0 R / PageMode / UseOutlines / Pages 652 0 R / Type / Catalog / ViewerPreferences >>> эндобдж 806 0 объект > поток False11.08.5442018-08-30T06: 49: 07.977-04: 003-Heights (TM) Оболочка оптимизации PDF 4.8.25.2 (http://www.pdf-tools.com) Eaton’s Power Systems Divisionec47e7e01520a26e806c635b387548fc76c7eab92406007MN280089EN3-Heights (TM) Оптимизация высоты Оболочка 4.8.25.2 (http://www.pdf-tools.com) falseAdobe InDesign CS6 (Windows) 2018-07-19T16: 22: 40.000Z2018-07-19T12: 22: 40.000-04: 002018-07-19T11: 43: 00.000-04: 00application / pdf
Идиом минимального Схема
Идиомы языка действительно можно узнать только через практика и знакомство с более опытными пользователями этого язык. Но могу указать на несколько идиоматических отличий между Scheme и другими компьютерными языками, которые вы, возможно, знаете.
Большинству объектов схемы даны имена в нижнем регистре.An
исключение (предположительно унаследованное от C) заключается в том, что
константы, определяемые пользователем, указываются ВСЕМИ ВЕРХНИМИ ВЕРХНЯМИ регистрами.
Имена из нескольких слов обычно разделяются дефисами, например это длинное имя .
В таких языках программирования, как Паскаль, C, C ++ и Java, возможно, самый распространенный вид утверждения — это присвоение, которое изменяет значение ранее определенного Переменная.Это можно сделать на схеме, но можно писать большие сложные программы, никогда не используя оператор присваивания вообще; действительно, я не упоминаю операторы присваивания в моем программировании в первом семестре класс. Идиома схемы — вместо этого использовать функцию композиция и рекурсия.
имеет циклические конструкции, немного более мощные чем цикл «for» C / C ++ / Java (то есть они позволяют одновременное обновление нескольких локально привязанных петель переменные), но программисты на Scheme чаще используют рекурсия.
программистов New Scheme с опытом работы в других языки часто злоупотребляют числами, особенно в виде цикла счетчики. Например, код Java
двойная сумма = 0,0;
for (int i = 0; i можно перевести в цикл с массивом
ссылки в схеме, но более естественный и идиоматический
решение - использовать список и сказать
(определить (добавить мой-список)
(cond [(пусто? мой-список) 0.0]
[else (+ (первый мой-список)
(добавление (остальные мой-список)))]))
или, проще,
(применить + мой-список)
Номера на других языках (и их близкие родственники,
перечислимые типы) также используются для представления данных, которые
принципиально нечисловой. Естественный способ сделать это в
Схема обычно проходит через
символы.
Мое практическое правило: , если числа не являются частью
проблема, они не должны быть частью
решение.
Программисты, привыкшие к другим языкам, также могут
используют числа с плавающей запятой чаще, чем программисты, владеющие схемой. Если
число, с которым вы работаете, является точным рациональным числом, например 1/2 или 1/3,
она может быть представлена точно как фракция схемы;
число с плавающей запятой может только приблизиться к нему. Программисты
C / C ++ / Java / Pascal / BASIC также иногда используют числа с плавающей запятой.
числа для "ДЕЙСТВИТЕЛЬНО БОЛЬШИХ целых чисел"; в этом нет необходимости
Схема, поскольку целые числа схемы ограничены только объемом памяти
в компьютере, поэтому, если вы хотите найти 46-ю цифру факториала
из 120 переходите к нему (кстати, это 3).
Опять же, практическое правило: если проблема требует
арифметические операции, кроме сложения, вычитания, умножения,
и деление, или, если ему нужны константы, такие как pi или e , вам понадобятся числа с плавающей запятой; если нет, то ты наверное
не будет.
человек Марион осуждены по схеме хищения на сумму 120 тысяч долларов
CEDAR RAPIDS. Во вторник мужчина из Мэрион признал себя виновным в мошенничестве с целью вымогательства у ассоциации домовладельцев более 120 000 долларов, которые он использовал для оплаты личных кредитных карт и собственной ипотечной ссуды в кондоминиуме, входившем в ассоциацию соседей.
Уэйн П. Джонс-младший, 55 лет, признал себя виновным по одному пункту обвинения в мошенничестве с использованием электронных средств в Окружном суде США. Во время слушания Джонс в качестве казначея Ассоциации домовладельцев Фазан-Ридж в Мэрионе признал, что переводил около 124 525 долларов из ассоциации на другой счет, который он контролировал и использовал для личных расходов, начиная примерно с ноября 2011 года по август 2016 года, согласно федеральным данным и Linn. Записи окружного суда графства.
Джонс, который владел садовым и ландшафтным бизнесом в Марион - Dream Designs of Iowa и DDI LLC - признался в создании мошеннических отчетов казначеев каждый год в попытке скрыть мошенничество от ассоциации.
Джонс, как часть соглашения о признании вины, также признал один банковский перевод 200 долларов для осуществления платежа по личной кредитной карте, который был включен в информацию о начислении платы.
Федеральные соглашения о признании вины не всегда включают все мошеннические операции, потому что прокуратура не обязана включать их, но иск, поданный в 2016 году против Джонса, включал другие хищенные средства, которые показали, что тысячи пошли на оплату его личных кредитных карт, ипотеки, коммунальных услуг. , кабель, розничная торговля, оборудование и возврат наличных при снятии и вкладе.
Согласно документам государственного суда, из общей суммы присвоенных средств около 19 285 долларов было выплачено в счет ипотечных ссуд Джонса для его квартиры в кондоминиуме.
Судья шестого судебного округа Пол Миллер в своем постановлении от 18 января 2017 г. обязал Джонса или его компании выплатить ассоциации по решению суда за неисполнение обязательств в размере 274 665 долларов.
Ассоциация подала на Джонса в суд, но он так и не появился на судебном разбирательстве по гражданскому иску, в результате чего было вынесено заочное решение.
Джонс, который был членом ассоциации, активно добивался назначения на должность казначея, когда еще один человек ушел в отставку в ноябре 2011 года, как показывает судебное решение. Как казначей, его членские взносы были отменены в качестве компенсации.
Как казначей, он перевел 124 525 долларов с банковского счета ассоциации на мошеннический банковский счет, который он открыл на имя ассоциации, согласно судебному решению.
'Поведение Джонса предосудительно, целенаправленно, злонамеренно, умышленно и бессмысленно и представляет собой абсолютное игнорирование интересов членов (ассоциации) и потребностей, связанных с содержанием общих частей кондоминиума в интересах всех членов и общества. ассоциации в целом », - сказал Миллер, присуждая штрафные санкции Ассоциации домовладельцев Фазан-Ридж.
В сумму ущерба включены гонорары адвокатам и бухгалтерские услуги, расходы на расследование и экспертизу, которые, согласно судебным документам, ассоциация должна была заплатить в результате мошенничества.
Окружной магистрат США Марк Робертс во время слушания во вторник заявил, что Джонсу грозит до 20 лет в федеральной тюрьме и до трех лет освобождения под надзором после тюремного заключения. Ему также может быть приказано выплатить штраф в размере до 250 000 долларов и возмещение ущерба, размер которого еще не определен.
Джонс был освобожден до вынесения приговора, который будет вынесен после завершения отчета о вынесении приговора.
л. Комментарии: (319) 398-8318; [email protected]
(Фото из архива) Печать Министерства юстиции в офисе прокурора США в здании федерального суда в Сидар-Рапидс в пятницу, 23 декабря 2016 г. (Liz Martin / The Gazette)
Реферат из «Маломощной памяти с адресацией по содержанию (CAM), использующей схему конвейерного иерархического поиска»
К.Пагиамцис и А. Шейхолеслами, «Маломощная память с адресацией по содержимому (CAM), использующая конвейерную иерархическую схему поиска», IEEE Journal of Solid-State Circuits , vol. 39, нет. 9. С. 1512–1519, сентябрь 2004 г.
Аннотация
В этой статье представлены два метода снижения энергопотребления в памяти с адресацией по содержанию (CAM). Первый метод заключается в конвейеризации операция поиска путем разбиения линий совпадения на несколько сегментов. Поскольку большинство сохраненные слова не совпадают в своих первых сегментах, операция поиска прекращено для последующих сегментов, что снижает мощность.Второй методика заключается в передаче данных поиска с малой амплитудой на менее емкостные глобальные поисковые линии, и усилить этот сигнал только на более коротком локальном поисковая строка. Поскольку активно несколько сегментов линии совпадения, несколько локальных линий поиска будут быть включенным, снова экономия энергии. Мы использовали предложенные схемы в разрешении 1024 x 144-битный тройной CAM в 1,8-В 0,18-мкм CMOS, демонстрирующий общую мощность сокращение на 60% по сравнению с архитектурой без трубопроводов и иерархией. В троичный CAM обеспечивает время цикла поиска 7 нс при 2.89 фДж / бит / поиск.
- Ж.-С. Ван, Х.-Й. Ли, К.-К. Чен, К. Йе, «Схема соответствия типа И для энергоэффективных запоминающих устройств с адресной адресацией», в IEEE Solid-State Circuits Conference (ISSCC) , February 2005, pp. 464–465, 610. [Запись IEEE Xplore]
- К. Дегава, Т. Аоки, Х. Инокава, Т. Хигучи и Ю. Такахаши,
«Память с адресацией по содержимому с двумя битами на ячейку, использующая одноэлектронные транзисторы»,
в Международный симпозиум IEEE по многозначной логике (ISMVL) , май 2005 г., стр.32–38.
[запись IEEE Xplore] - Б.-Д. Ян и Л.-С. Ким,
«CAM с низким энергопотреблением, использующий импульсную линию совпадения И-НЕ-ИЛИ и драйвер поисковой линии с рециркуляцией заряда», IEEE Journal of Solid-State Circuits , vol. 40, нет. 8, pp. 1736–1744, август 2005 г.
[запись IEEE Xplore] - И. Арсовский и Р. Надкарни,
«Встроенный модуль CAM с низким уровнем шума с линиями согласования с уменьшенной скоростью нарастания и асинхронными линиями поиска»,
в IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC) , сентябрь 2005 г., стр.447–450.
[запись IEEE Xplore] - К. Пагиамцис и А. Шейхолеслами, «Использование кеша для снижения энергопотребления в памяти с адресацией по содержимому (CAM)», в IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC) , сентябрь 2005 г., стр. 369–372.
- П. Эчеверрия, Х. Л. Айяла и М. Лопес-Вальехо, «Практическая реализация адресной памяти с низким энергопотреблением», на конференции Design of Circuits and Integrated Systems Conference , ноябрь 2005 г.
- Ж.-С. Ван, К.-К. Ван и К. Йе, «TCAM для поиска IP-адресов с использованием древовидных строк соответствия типа И и сегментированных строк поиска», в IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) , February 2006, pp. 166–167, 646.
- К. Маклафлин, Н. О'Коннор, С. Сезер,
«Изучение дизайна CAM для сетевой обработки с использованием технологии FPGA»,
в Advanced International Conference on Telecommunications / International Conference on Internet and Web Applications and Services (AICT / ICIW) ,
Февраль 2006 г., стр.84–88.
[запись IEEE Xplore] - К. Пагиамцис и Али Шейхолеслами, «Схемы и архитектуры памяти с адресацией по содержимому (CAM): учебное пособие и обзор», Журнал IEEE по твердотельным схемам , т. 41, нет. 3. С. 712–727, март 2006 г.
- Б. Агравал и Т. Шервуд,
«Моделирование мощности TCAM для сетевых устройств следующего поколения»,
на международном симпозиуме IEEE по анализу производительности систем и программного обеспечения (ISPASS) ,
С. 120–129, март 2006 г.
[запись IEEE Xplore] - Х. Цинь и Т. Сасао, «Разработка генераторов адресов с использованием нескольких каскадов LUT на ПЛИС», в Семинар по синтезу и системной интеграции смешанных информационных технологий (SASIMI) , Апрель 2006 г., стр. 146–152.
- П. Эчеверриа, Х.Л. Айяла, М. Лопес-Вальехо, «Маломощный конвейерный CAM для высокопроизводительной IP-маршрутизации», в IEEE International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS) , April 2006.
- ЧАС.-Y. Ли, К.-К. Чен, Ж.-С. Ван, К. Йе,
«Схема линии соответствия типа И для высокоэффективной энергоэффективной адресуемой памяти», IEEE Journal of Solid-State Circuits , vol. 41, нет. 5, pp. 1108–1119, May 2006.
[IEEE Xplore entry] - Т. Сасао и Дж. Дворецкий,
«Реализация многозначных функций CAM с помощью каскадов LUT»,
в Международный симпозиум IEEE по многозначной логике (ISMVL) ,
Май 2006 г.
[запись IEEE Xplore] - Т.Сасао,
«Методы проектирования для генераторов многозначных входных адресов»,
в Международный симпозиум IEEE по многозначной логике (ISMVL) ,
Май 2006 г.
[запись IEEE Xplore] - Н. Мохан, В. Фунг, Д. Райт и М. Сачдев, «Совместите усилители считывания линии с положительной обратной связью для маломощных адресных запоминающих устройств» в Конференция по специализированным интегральным схемам IEEE (CICC) , сентябрь 2006 г., стр. 297-300.
- К. Чжан, «Низкомощный высокоассоциативный кэш для встраиваемых систем», в IEEE International Conference on Computer Design (ICCD) , Октябрь 2006 г.
- Л. Котари, Н.П. Картер,
«Архитектура микропроцессора с функцией самоконтроля, который включает в себя наномагнитные устройства», Транзакции IEEE на компьютерах , т. 56, нет. 2, pp. 161–173, February 2007.
[запись IEEE Xplore] - Х. Накахара, Т. Сасао и М. Мацуура, «Эмулятор CAM, использующий каскады таблиц поиска», в Мастерская реконфигурируемых архитектур , март 2007 г.
- Т.-Б. Пей и К. Жуковски,
«Помещение таблиц маршрутизации в кремний», Сетевой журнал IEEE , т.6, pp. 42–50, January 1992.
[запись IEEE Xplore] - Л. Чисвин и Р. Дж. Дакворт,
«Контент-адресная и ассоциативная память: альтернативы повсеместной оперативной памяти», Компьютер IEEE , т. 22, стр. 51–64, июль 1989 г.
[запись IEEE Xplore] - Х. Миятаке, М. Танака и Ю. Мори,
«Конструкция для высокоскоростных макросов маломощной КМОП-памяти с полностью параллельной адресацией памяти», IEEE Journal of Solid-State Circuits , vol. 36, pp. 956–968, June 2001.
[запись IEEE Xplore] - И.Арсовский, Т. Чандлер и А. Шейхолеслами,
«Тернарная память с адресацией по содержимому (TCAM), основанная на статической памяти 4T и включающая схему определения текущей гонки», IEEE Journal of Solid-State Circuits , vol. 38, стр. 155–158, январь 2003 г.
[запись IEEE Xplore] - И. Арсовский и А. Шейхолеслами,
«Методика распределения мощности в зависимости от рассогласования для определения линии совпадения в памяти с адресацией по содержанию», IEEE Journal of Solid-State Circuits , vol. 38, стр. 1958–1966, ноябрь 2003 г.
[запись IEEE Xplore] - К. А. Жуковски, С.-Й. Ван,
«Использование избирательной предварительной зарядки для маломощных запоминающих устройств с адресной адресацией»,
в IEEE International Symposium on Circuits and Systems , vol. 3, 1997, с. 1788–1791.
[запись IEEE Xplore] - К. Пагиамцис и А. Шейхолеслами, «Конвейерные линии соответствия и иерархические строки поиска для маломощных запоминающих устройств с адресацией по содержанию», в IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC) , сентябрь 2003 г.